当前位置:首页 > 智能硬件 > 半导体
日本设备制造商Fujitsu和日本精工株式会社Epson近日宣称联手打造下一代FRAM(铁电存储器)。 

双方经协商,计划开发高整合的下一代FRAM,其面积将只有市场上现有同类产品的1/6。据悉,将有望于明年上半年完成开发。 

两公司将投入他们的主要科技,如FRAM选材处理及小型化技术等,以尽可能缩短开发周期。 

Fujitsu和Epson还计划开发对读写次数限制最小的存储核心处理器。 

公司负责人声称,近几年,手持设备及智能家用设备已得到了很大程度的普及,因此,对FRAM的呼声日益高涨。相对于闪存及EEPROM ,FRAM的低功耗、高读写速度满足了广泛的市场需求。 

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除( 邮箱:macysun@21ic.com )。
换一批
延伸阅读
关闭