分析师：NAND闪存市场或将“崩盘”

时间：2011-03-01 06:29:54

关键字：闪存市场 NAND闪存 GB 三星

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[导读]在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上，海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。在一段时间内，由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求，NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。但是不要

在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上，海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。

在一段时间内，由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求，NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。

但是不要看现在，NAND闪存的“派对”可能将要结束了。海力士、美光、三星和东芝已经或者即将建造新的NAND晶圆工厂，此举可能会导致生产能力过剩和价格下跌。

Objective-Analysis分析师JimHandy表示：“我们一直估计下半年(NAND市场)将要崩盘。”

NAND市场需求预计仍将保持较强水平。Handy在ISSCC大会上表示，NAND平均销售价格(ASP)在过去一年中一直保持平稳，但是平均销售价格预计将在2011年第四季度“瓦解”。

目前，NAND闪存的每GB售价为1.6美元。到2012年中，这一价格预计将下降至0.65美元，降幅达40%。

问题时，即将有太多的工厂产能上线。美光公司正在新加坡兴建新的NAND晶圆工厂。东芝公司日前启动了名为Fab5的晶圆厂。此外有报道称三星也将启用新的名为Line16的晶圆厂。

与此同时，在ISSCC大会上，东芝和SanDisk提交了一份关于151平方毫米、64Gb、基于MLC和24nm技术的设备材料。

海力士则谈到了他们基于该24nm的32GbMLC产品线。市场领导者三星公司则谈到了64Gb、基于27nm的3bpc产品线。