尼康强化半导体曝光装置升级业务瞄准功率半导体和三维LSI

与购买新的曝光装置相比，将顾客现有的装置按照用途升级后，“可以将顾客的成本负担降至几分之一”（Nikon Tec董事社长石井勇树）。

比如，通过升级Si-LSI制造中采用的i线曝光装置，可以将其用于制造化合物半导体类功率元器件等。在采用化合物半导体的功率元器件制造中，必须要有透过晶圆检测定位标记的红外线定位系统等，因此将追加这类功能。

对于前景看好基于TSV（硅通孔）的三维LSI，将采取降低投影镜的开口数（NA）以改善焦点深度（DOF：Depth Of Focus）等改造措施。此外，还将提供自动对焦功能的改善、处理能力的提高、MEMS背面定位功能的追加等升级。

作为升级对象的曝光装置是向亚洲（日本、台湾、中国大陆、韩国、新加坡）客户提供的合计约2640台尼康生产的i线曝光装置（约1990台）和KrF曝光装置（约650台）。主要是200mm晶圆装置，还包括部分150mm装置和300mm装置。另外，对于KrF曝光装置，将更换有污垢的镜头或者进行改进等。（记者：木村 雅秀，日经BP半导体调查）