扩产能/制程升级，华邦再升今年CAPEX至106亿

记忆体厂商华邦电(2344)于今(25)日召开法说会，继日前预估今年资本支出CAPEX相较于去年的21亿元，将大幅拉高至86亿元后，今日则是再宣布，要将今年资本支出调高至106亿元之谱。对此总经理詹东义(见附图)指出，此次调高资本支出，主要是华邦电希望同时进行往4X奈米先进制程的升级，以及扩充目前吃紧的产能。预期今年底前，华邦电的月产能将从去年底的3.3万片，增加到4万片的水准。

华邦电于上回法说会上才宣布，去年资本支出为21亿元，但因产能不足，公司计划今年资本支出将大幅提升至86亿元，预计月产能将由3.3万片增加到3.8万片的水准，今日则是经董事会通过，要再加码今年的资本支出。

詹东义说明，今年华邦资本支出大增的原因，并非像很多业者，可能是希望搭上海力士大火的顺风车来扩建产能、抢短线需求，而是由于华邦实在看到很多市场的机会，盼能在DRAM、Flash都推出更广泛的产品线来掌握这些机会，因此决定拉高资本支出，同时升级产能与制程。

相对于南科(2408)宣布已转进3X奈米制程，詹东义指出，南科主攻大容量的DRAM，华邦电则是切入中低容量DRAM的市场，因此制程可以比其慢一个世代。而今年的资本支出，主要是用于将DRAM制程转进4X奈米、Flash则转进58奈米等制程的升级工作，冀纾解现有产能吃紧的窘境。

他强调，华邦走的路将不同于其他台湾同业，不是一味的强调制程微缩，而是强调某些特殊产品的功耗与性能。

在产品结构部分，华邦电今年Q1 Specialty DRAM占营收比重52%，季成长为6%、年成长35%，主因网通、硬碟产品出货增加，且产品均价随着记忆体市况渐趋健康而小幅上扬。Mobile DRAM今年Q1则占华邦营收比重12%，季成长17%、年增4%，主要是受益于46奈米制程产品营收贡献增加，以及华邦于512Mb及1Gb的Low Power DDR1出货增加。

而在NOR Flash部分，今年Q1营收占比为36%，与前季持平、年增2%。华邦表示，主要是此部分市场价格竞争状况虽持续，但已有减缓迹象，且华邦于高密度产品的出货增加，因此表现相对持稳。

值得注意的是，在上述三大产品线，华邦往先进制程的转移工作也鸭子划水、持续绽放成果。其中，Q1 Specialty DRAM已有53%的营收比重属于46奈米制程，Mobile DRAM更有60%的营收比重来自46奈米制程，而Flash Memory亦有53%的营收比重来自58奈米制程。