IR 600V电流感测IC可大幅节省空间

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示，IR25750电流感测IC是新的组合区块，利用功率金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的导通电阻，或绝缘闸双极性电晶体(IGBT)的集射极导通电压(Vce(on))量测电流，不需大型外部电流感测电阻器。这些功能可大幅提升常用开关式电力电子产品、马达控制和工业设备等高电流应用的效率，并显著节省空间。

IR25750可在开关导通时从功率MOSFET的内部导通电阻，或IGBT的VCE(on)取出电压，不需大型外部电流感测电阻器和散热片，并避免过量的功率损耗；闸极驱动输入为IC供应类比电源(VCC)电源电压，并把导通电阻与VCE(on)感测电路，以及MOSFET或IGBT的开关时间进行同步。

新元件利用IR专利的高压技术，在开关非导通时阻断高源极电压(VDS)或VCE电压所需的600伏特(V)阻断能力；在所有输入输出(I/O)上均具整合式防静电能力和闩锁免疫力，带来理想的单晶片保护。该元件符合工业级标准及第一级湿度敏感度(MSL1)标准。

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