英飞凌40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013电子行业年度技术创新奖

【导读】2013年4月12日，上海——4月11日下午， OFweek光电新闻网 (以下简称OFweek)和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动，英飞凌科技公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY，以下简称英飞凌)产品40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取

摘要：  2013年4月12日，上海——4月11日下午， OFweek光电新闻网 (以下简称OFweek)和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动，英飞凌科技公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY，以下简称英飞凌)产品40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

关键字：  英飞凌，MOSFET，无铅芯片贴装

英飞凌40 V OptiMOSTM T2功率MOSFET器件结合采用了创新的封装技术和英飞凌的薄晶圆工艺，规格性能超出同类所有其他产品。英飞凌采用扩散焊接芯片贴装工艺生产TO-220、TO-262和TO-263等无铅封装。鉴于对于封装几何结构、芯片焊垫厚度和芯片尺寸的特定要求，扩散焊接芯片贴装工艺到目前为止是世界上唯一可以实现上述三种封装的生产工艺。

这些MOSFET系列器件使得英飞凌不但率先达成现行的RoHS(有害物质限制指令)有关用于将芯片附着到封装的铅基焊料的要求，而且可以满足即将在2014年之后实施的更严格的ELV RoHS指令要求。作为业界第一款完全无铅的MOSFET，英飞凌的这些器件可帮助客户满足目前和将来这方面的严格要求。

英飞凌获得专利的无铅芯片贴装(芯片和封装引线框架之间互联)采用扩散焊接方法，可改善芯片的电气和热性能、可制造性和质量。这种芯片贴装技术结合英飞凌的薄晶圆工艺(60微米，而不是标准的175微米)可让电力半导体器件实现如下几大改善：

Ÿ 因为不采用铅和其他有毒材料，因此是一项环保技术

Ÿ 结合采用扩散焊接芯片贴装工艺和薄晶圆技术，可显著降低器件的导通电阻(RDS(on))

Ÿ 热阻(RthJC)改善40%至50%，因为传统铅基软焊材料的导热性较差，阻碍了MOSFET结上产生的热量的消散

Ÿ 由于不存在溢焊和芯片倾斜现象，而且没有更严格的RDS(on) 和RthJC分布要求， 结果改善了芯片的可制造性。由于产品内部的电机压力得以降低，进而可改善产品的可靠性和质量

OptiMOS T2 40V——即IPB160N04S4-02D的规格为：电流160A;RDS(on)仅2.0mΩ;RthJC为0.9K/W。与采用标准铅基芯片贴装焊接工艺的同类器件相比，导通电阻降低20%。此外，采用英飞凌获得专利的扩散焊接工艺降低了“芯片到引线框架”的热阻，使得OptiMOS T2具备同类最佳性能。

英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生表示：“很荣幸我们获得了OFweek2013电子行业年度技术创新奖，非常感谢OFweek以及业界对我们公司及产品的认可。英飞凌一直以来都十分强调创新精神，以满足客户和市场快速发展的需求，这也是成就英飞凌公司成为全球汽车半导体器件供货商的驱动力，使得英飞凌公司在过去十多年里能保持功率器件出货量第一的位置。我们公司将不断加大在创新方面的投入，为广大客户带来更多更好的产品。”