MACOM推出用于GaN制RF晶体管的偏压控制模块

 美国M/A-COM Technology Solutions推出了用于GaN(氮化镓)制RF晶体管的偏压控制模块“MABC-001000-DP000L”。其作用是向GaN制RF晶体管加载适当的固定栅极电压，同时作为偏置用途供应脉冲漏极电压。新产品还配备了序列(Sequence)功能，可以在负偏压没有加载到栅极时，防止向漏极供应脉冲电压。除了GaN制RF晶体管以外，此次产品还可以用于GaAs制RF功率放大器以及HEMT(高电子迁移率晶体管)元件。

新产品的正电源电压为+12～55V(标称值为+50V)，负电源电压为-8～-2V(标称值为-6V)，相对于栅极的偏置输出电流为50mA(标称值)，开漏输出电流为200mA(最大值)，开关切换时间为500ns(最大值)，所有的输入输出(I/O)端子都带有30dB(标称值)的EMI/RFI去除功能。模块的封装面积为6.60mm×22.48mm，工作温度范围为-40～+85℃，价格尚未公布。