日商AIR WATER选用爱思强系统生产GaN-on-SiC-on-Si

德国AIXTRON爱思强29日宣布，日本安昙野市的爱沃特株式会社（AIRWATER）告称已成功安装一套8x6英寸规格的全自动的爱思强AIXG5HT行星式反应器，用于氮化镓外延层的生长。

AIRWATER之所以选用爱思强MOCVD系统，是基于该系统能够实现优越的材料均匀性，这是发挥AIRWATER在氮化镓外延基材方面的优势的一个关键要素。在系统安装完成后，该公司已宣布今年内推出在硅基材上生长的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC-on-Si），充分发挥该系统的卓越生产效率。为应对日后的市场需求，AIRWATER也正考虑将该系统升级为爱思强AIXG5+系统，升级后的系统能够处理5x200毫米（8英寸）规格的硅基材。与传统的硅基材相比，增加的碳化硅层具有能在氮化镓的初始成核过程保护硅基材的优点。碳化硅本身的晶体结构使得其被视为氮化镓生长的理想模板。因此，硅基碳化硅基材能够生长出大面积、晶体质量卓越的氮化镓层。在广泛的高功率及LED应用中，这一特性能带来效率的提高和实现成本节约。

AIRWATER是一家日本领先的工业气体制造商，作为半导体气体业务的一部分，该公司已针对功率器件和LED应用开发出在硅基上生长的碳化硅。在此方面，该公司已在8英寸规格大的硅基材上成功生产出高品质3C-SiC(111)，同时也已宣布推出此类产品，以满足就制造LED及电力电子应用的电子器件所需的氮化镓外延生长。