65纳米手机芯片通过英飞凌初测

芯片制造商英飞凌透露，手机中整合的CMOS芯片制造工艺已经达到了65纳米，而整合该技术的手机将会在2006年晚期大规模上市。英飞凌表示，65纳米手机芯片技术已经通过了初步的测试工作，这些芯片将在33平方毫米的芯片上，整合3000万个晶体管。 据悉，这批高技术手机将主要销往德国慕尼黑、印度般加罗尔等地区，因为这些地方在使用不同类型的GSM网络。“新技术将在降低发热量的前提下，提高芯片运行速度，这是逻辑电路半导体技术的一次成功的进步，英飞凌计划将这种技术投入到大规模生产中。”公司发言人透露。与此同时，英飞凌通讯解决商务部门教授赫尔姆先生也表示：“感谢这次的技术突破，未来的芯片将会在尺寸降低的过程中继续增加功能。”据悉，此次的技术革新来自于英飞凌加入的ICIS联盟，该联盟还包括IBM、以及韩国三星等公司。