飞兆半导体推出40V N沟道PowerTrench® MOSFET

21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench® MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。

FDB9403利用飞兆半导体的屏蔽栅极技术，改进了电阻并降低了电容。 该器件的RDS(ON) 比其最直接竞争对手低20%，并具有较低的Qg值，可降低功耗并最终提高总体效率。 FDB9403 MOSFET作为用于电流控制的基本开关，可有效控制电能而不将其浪费，因此非常适合电动助力转向、悬架控制和传动系管理等应用。

特色及优势：

· RDS(ON)典型值 = 1mΩ(VGS = 10V，ID = 80A时)，可降低功耗以实现 更高的效率

· Qg(tot)典型值= 164nC(VGS = 10V，ID = 80A时)，可降低功耗以实现更高的效率

· UIS能力

· 符合RoHS标准且通过AEC Q101认证

封装和定价信息(1000片起订，价格单位：美元)

按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内

· 采用D2PAK TO-263AB封装，FDB9403的定价为2.48美元

飞兆半导体在功率半导体器件和模块封装方面的专业知识，与广泛的测试、仿真和优质生产相结合，使其能提供在要求最严苛的汽车环境中表现可靠的产品。 凭借全球范围内的设计、制造、装配和测试设施，设施齐全的飞兆半导体能满足汽车制造商对于质量、可靠性和供货的需求。