Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器

    Ramtron 国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品 ---- FM20L08。此型号的操作电压为3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封装。

    FM20L08 是 Ramtron 目前生产的容量最大的铁电存储器，可以对其进行无限次的读写操作。该型号是专门设计用来替换标准异步静态随机存储器的 (Standard asynchronous SRAM)。同时，这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数据系统，如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。

    作为对 Ramtron 现有并口铁电存储器型号重要补充，FM20L08 在地址转换检测 (ATD) 方面可以与 SRAM 完全兼容，它允许用户在芯片使能有效的情况下改变地址。FM20L08 的内存访问方式与 SRAM 类似，极大的简化了设计工程师使用非易失性 RAM 时所需要做的工作。

    Ramtron 设计 FM20L08 的目标就是“易于使用”。除了能够完全兼容标准SRAM，FM20L08 还包含一个内部的电压监控器用来阻止低电压进入，保护已存储的数据。这个监控器会连续不断的检查工作电源电压，当工作电压低于一个临界值时，它就会发出一个低电压信号表明现在存储器已处于一个写保护的状态。当 /LVL 信号很弱的时候，存储器就被保护起来，防止无意中的访问和数据存储损坏。FM20L08 还有软件控制的写保护功能。整个内存被分成八个区域，每个区域都可能通过软件单独设置写保护，而不需要硬件或改变管脚排列。为了给现在的高性能微处理器提供一个方便的接口，FM20L08 包含一个高速的页面模式，这种模式可以允许在比传统随机存取器更高的总线速度的情况下，进行四字节脉冲的读写操作。

    所有的数据一旦被写入铁电存储器，就立即变成非易失性，并且不像老技术生产的非易失存储器一样出现延时现象。所有的铁电存储器都是非易失性的，在失去电源的情况下，数据仍然被保存在芯片中。与其它非易失性存储器技术相比，铁电存储器能提供非易失性的数据保存，免除了人们对存储器可靠性的担忧、对功能性的缺点和系统设计复杂性的担忧，而这些担忧都是需要后备电池的 SRAM (BBSRAM) 所存在的不足。此外，铁电还具有非常快的写入速度以及无限次的擦写寿命，而这些特点都优于其它类型的非易失性存储器 (例如：EEPROM 或者 Flash 等)。

    铁电存储器比 BBSRAM 更先进，单片集成电路的特质所带来的高可靠性，使得铁电存储器不需要在电路板上或者外部安装电池来备份数据。FM20L08 是一种真正的表面组装解决方案，不需要为配备附加电池而重复工作步骤，对负电压和负脉冲信号有着非常高的抵御能力，而对于这些方面，SRAM是无能为力的。

    FM20L08 的容量为 28K x 8。其读写操作与标准 SRAM 相同。访问进入时间为 60 ns。高速的页模式操作总线速度最高可达到 33MHz，4 字节脉冲。写操作无延时，也没有最大写操作缓冲大小限制。操作电压从 3.3V 开始，和标准SRAM 相比，需要消耗的操作电流更少，因而操作耗能更少。FM20L08目前有两种型号，分别可满足工业温度 (-40℃ 到 +85℃) 和商业温度 (0℃ 到 +70℃) 的需求。商业温度型 cycle time 为 150 ns；工业温度型号的 cycle time为 350 ns。

    FM20L08 样片 (32-pin TSOP) 现在可供立即申请，10,000 片以上单片价格为 13.65 美元 。此型号为绿色无铅封装。