IDT®推出两款面向手机基站设备的混频器

21ic讯 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出两款面向手机基站设备的低功耗、低失真射频（RF）至中频（IF）混频器以扩展其模拟无线基础设施产品组合。新的器件可改善系统三阶互调（IM3）性能并减少功耗，从而实现改进的服务质量（QoS）和 4G 无线基础设施应用中更小的附件和增强的可靠性。

IDT F1150 和 F1152 是低功耗、低失真的双通道 1700 – 2200MHz RF 至 IF 混频器，拥有非常好的线性指标（+42 dBm）三阶交调（IP3O）以实现极佳的互调抑制，使其成为 4G 无线基站中多载波、多模蜂窝系统的理想选择。与标准混频器相比，该混频器减少功耗超过 40%，极大减少了热耗散并减轻了射频的散热要求－这对如今高度紧凑设备来说是一项关键因素。此外，器件改善 IM3 失真超过 15 dB，可实现更好的信噪比（SNR），使得客户能够使用更高的前端增益改进性能。

IDT 公司通信部总经理兼副总裁 Tom Sparkman 表示：“我们最新的 RF 至 IF 混频器产品巩固了我们在无线基础设施应用领域领导地位和将我们的产品组合扩展到射频信号链。IDT F1150 和 F1152 拥有低功耗和低 IM3 失真，可满足我们客户正紧密部署的 4G 基站解决方案的关键需求。我们的客户非常欢迎混频器高性能和全功能的特点，他们已经在使用 IDT 的高性能产品，包括时钟和计时、RapidIO® 和来自我们完整通信产品组合的其他器件。”

IDT F1150 和 F1152 与低噪声数字控制 IF 可变增益放大器 F1200 相得益彰，F1200 是 IDT 不断增加的 RF 信号通道产品中最近推出的产品。这些产品利用 IDT 的模拟专长和丰富的数字经验，以提供可优化客户应用的系统级解决方案。

IDT F1150（高本振注入）和 F1152（低本振注入）已向合格客户提供样品，提供 36 引脚 6x6 毫米 QNF 封装。