安捷伦推出面向功率电路设计的功率器件电容分析仪

21ic讯 安捷伦科技公司日前宣布推出业界首款能够自动表征实际工作电压下功率器件节点电容的功率器件电容分析仪。

随着新材料(SiC 和 GaN 等)功率器件的使用日益广泛，开关电源的工作频率不断提高。因此，精确表征器件电容的重要性空前凸显。凭借可自动精确测量高偏置电压下的所有输入、输出和反向传输功率器件电容的功能，Agilent B1507A 功率器件电容分析仪能够轻松完成此项任务。

B1507A 为测量和测试高频开关电源的所有参数提供了完整解决方案。其测量功能包括高电压偏置(+/-3 kV)下的三端子电容(Ciss、Coss 和 Crss)、栅极电阻，同时通过对只能粗略测试IV 特征的曲线追踪仪等测试设备实施补偿，还能精确测量泄露电流和击穿电压。

专门设计的直观图形用户界面使毫无经验的新用户也能操控自如，对各种工作电压下的所有电容实施自动测量。凭借这些功能，B1507A 可以帮助功率电子电路设计人员选择在功率电子电路中使用的最佳器件，并帮助电子器件制造商测试器件的详细特征，从而最大限度提升产品性价比。

安捷伦八王子(Hachioji)半导体测试事业部总经理 Masaki Yamamoto 表示：“功率电子电路中使用的功率器件是满足业界有关低功耗、高开关频率需求的关键。然而直到现在行业中还没有哪种解决方案能够全面测试其在各种工作电压下的电容性能。B1507A 将会填补这一空白，对功率器件执行完整、可靠、自动化的电容测试。”

B1507A 的关键特性包括：

· 易于使用，能够对高偏置电压下的晶体管输入、输出和反向传输电容(Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres)、独立的端接电容(Cgs、Cgd、Cds、Cge、Cgc、Cce)以及常开器件(例如 SiC JFET 或 GaN FET)执行全自动测量;

· 内部栅极电阻(Rg)测量;

· 随着栅极电压从负值变为正值，实施连续的电容测量;

· 支持完整的电容测试流程，包括能够在泄露电流测量与电容测量之间轻松和精确地来回切换，无需重新连接线缆;

· 支持基本的 IV 表征，包括击穿电压和阈值电压。