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[导读]东芝公司宣布推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器,用于驱动中小功率IGBT和功率场效应晶体管(MOSFET)。批量生产定于1月底开始。新产品“TLP5701”(用于驱动小功

东芝公司宣布推出低高度SO6L封装栅极驱动光电耦合器,用于驱动中小功率IGBT和功率场效应晶体管(MOSFET)。批量生产定于1月底开始。

新产品“TLP5701”(用于驱动小功率IGBT)和“TLP5702”(用于驱动中等功率IGBT)是首批使用低高度SO6L封装的东芝光电耦合器。只有54%的东芝产品使用SDIP6封装,这些新设备将有助于更薄产品的开发。虽然拥有低高度,但是这些设备可以确保8毫米爬电距离,使它们适用于需要较高隔离规格的应用。

通过利用BiCMOS工艺技术,“TLP5701”和“TLP5702”可实现2.0mA(最大)低供电电流和低功耗。通过与原先的大功率、高可靠性红外线LED结合,它们可以应用于广泛的应用,包括需要高热稳定性的应用(例如工厂自动化和家用光伏电力系统、数码家电和控制设备)。最大传输延迟时间和传输延迟偏差在定义的工作温度范围(最高110摄氏度)内可以获得保证,因此能够减少逆变电路的停滞时间,从而可以确保更高的运行效率。

新产品的主要规格

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