ST推出电流隔离gapDRIVE：新的尖端智能集成栅驱动器

21ic电源网讯 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出先进的单通道栅驱动器 (single-channel gate driver) 芯片STGAP1S。新产品在同一芯片上集成电隔离层 (galvanic isolation) 和模拟及逻辑电路 (analog and logic circuitry)，有助于设计人员简化驱动器设计，同时确保产品具有优异的抗噪性能 (noise immunity)，实现安全可靠的功率控制效果。

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STGAP1S是意法半导体新一代gapDRIVE™栅驱动器的首款产品。新产品整合意法半导体独有的双极-CMOS-DMOS (BCD) 制造工艺以及在芯片上植入隔离层的创新技术，可进一步提高系统集成度。高压轨上可耐受最高达1500V电压，而不会干扰其它电路;高可靠性使其适用于工业驱动器、大功率600V或1200V逆变器、太阳能逆变器以及不间断电源 (uninterruptible power supplies) 。

100ns电隔离层信号传播延时，使STGAP1S能够传输高精度的PWM信号。新产品集成驱动级的灌入或源出电流最高达5A;轨对轨输出支持负驱动电压，可与大型绝缘栅双极型晶体管 (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistors) 或宽带隙 (wide-bandgap) 电源开关(例如碳化硅MOSFET)配套使用。新产品具有优异的共模瞬变免疫能力 (common-mode transient immunity)，可耐受超过±50V/ns的共模瞬变电压，支持跨电隔离层通信和安全的工作环境。灌入与源出输出分开式设计可提高设计的灵活性，有助于减少外部元器件的使用。

新产品可通过内置的工业标准接口SPI端口与主控制器通信，内部控制逻辑可实时监控工作状态。STGAP1S通过这个接口向主控制器提供丰富的诊断信息，进一步提升系统保护性能和工作可靠性。

新智能驱动器还集成大量的保护功能，帮助芯片最大限度提升在恶劣工业环境中的工作可靠性。这些保护功能包括防止无用的晶体管导通的功率级有源米勒箝位 (active Miller clamp);在短路条件下保护开关的去饱和检测 (desaturation detection);可防止有危害性的电压过冲的集电极-发射极的过压保护 (collector-emitter overvoltage protection) 及输出双电平关断功能;过热保护 (over-temperature protection)、欠压保护 (UVLO, Under-Voltage Lockout) 和过压保护 (OVLO, Over-Voltage Lockout) 以及过流(over-current) 检测专用引脚。

STGAP1S是一款具有完美集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。