壮大中压MOSFET产品阵容 英飞凌推出OptiMOS 300 V

21ic电源网讯 英飞凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壮大中压MOSFET产品阵容，树立功率场效应管市场新标准。300V OptiMOS 的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源(UPS)、电机控制、工业电源、和DC / AC逆变器等领域的市场领导地位。

新推出的OptiMOS 300 V有助于提高功率密度，降低系统成本，并提供更高的可靠性。而对于最终用户，这意味着节省能源成本。譬如，在AC/DC变换器的硬开关应用中，OptiMOS 300 V可以将电能损耗降低50%。这可让设计人员提高开关频率，因此减小无源器件乃至整个系统的尺寸。此外，OptiMOS 300 V提供更高的电压尖峰裕量，因此可提高60 V电信整流器设计的可靠性、安全性和易用性。另外，它还可减少级联高压开关型电源所需的级数。此外，OptiMOS 300 V也可以应用于110 V AC UPS。

英飞凌科技股份有限公司副总裁兼DC/DC 业务总经理Richard Kuncic表示：“借助300 V阻断能力，英飞凌将业界领先的OptiMOS技术扩展到目前的非主流电压等级，以支持不断演变的应用，如多电平变换器。由于OptiMOS技术性能优越，并且应用范围很广，所以，我们希望这个电压等级能成为功率场效应管市场的新标准。”

OptiMOS 300 V结合快速二极管技术，其反向恢复电荷Qrr要比市场上次优的同类产品低70%。这一特性所带来的结果就是，体二极管表现平稳，并可最大限度减少电压过冲。与其他可用的产品相比，采用TO-220封装的OptiMOS 300 V能以低58%以上的优值系数(FOM: RDS(on) x Qg)，提供业界最佳导通电阻(RDS(on))。这可以直接降低导通损耗，并提高电机控制等大电流应用的总体效率。

供货情况

OptiMOS 300 V提供两种封装形式：导通电阻为40.7 mΩ的D2PAK和导通电阻为41 mΩ的TO-220。两种封装形式的产品都已开始量产。