IDT全新电压可变衰减器 可提供比砷化镓产品高达1,000倍的线性度改进

低插入损耗、高线性度的全新RF电压可变衰减器支持1MHz 到6GHz，扩展了IDT公司的频率覆盖范围

IDT公司(IDT)今天宣布其不断扩大的射频电压可变衰减器(VVA)产品系列新增两款新产品，使IDT公司RF产品的频率覆盖范围扩大到1 MHz至6 GHz。与该产品系列中的其他成员一样，F2255 和 F2258器件都可提供业界领先的低插入损耗和高线性度。

IDT公司的电压可变衰减器可为那些需要精确衰减的应用提供模拟电压控制。两款新器件采用紧凑的3 x 3mm，16引脚TQFN封装，插入损耗仅为竞争解决方案的一半左右，而IP3性能比竞争的砷化镓(GaAs)器件好1000倍(30 dB)以上，并且它们都在电压控制范围内展示了dB线性(线性对数)衰减特性。这些器件的低插入损耗降低了射频链路的损耗，而他们的高线性度则提升了系统的数据速率。

这些全新器件与目前流行的芯片大小匹配，理想适用于基站(2G，3G和4G)、微波基础设施、公共安全、便携式无线通信/数据设备、测试/自动测试设备(ATE)、军用系统、联合作战无线系统(JTRS)以及HF、VHF和UHF无线电等应用。

IDT公司射频事业部总经理Chris Stephens介绍说：“与砷化镓解决方案相比，IDT公司基于硅的RF产品可提供非常出众的性能，如新器件高达30dB的线性度改善。这些器件是当今市场上具有最低插入损耗的VVA产品，并且具有最佳的线性衰减控制特性。”

通过使用基于硅的射频半导体技术，IDT的衰减器提供了一种替代传统砷化镓半导体技术的可靠方案。IDT公司的硅技术具有更佳的RF性能、更强大的静电放电(ESD)保护、更好的潮湿敏感度等级(MSL)、更高的散热性能、更低的电流消耗、以及硅技术经过验证的可靠性等优势。

与引脚兼容的GaAs竞争方案比较，F2258具有高达65dBm的输入IP3，而 GaAs竞争方案仅为35dBm，最大衰减斜率(slope)为33dB/V 对53dB/V ，6000MHz最低返回损耗为12.5dB对7dB，最高工作温度为105℃对85℃。F2255器件支持的频率范围可低至1MHz，并具有33dB/V的最大衰减斜率。F2258和 F2255都具有双向RF端口，支持3V或5V的单一正电源电压供电，工作温度范围是- 40℃至105℃。