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[导读]Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列,成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.,向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ),是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。 该装置针对

Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列,成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.,向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ),是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。 该装置针对高频切换应用进行了优化,兼具超低切换损耗与超高切换速度,令传统功率晶体管望尘莫及。

 

1200V碳化硅MOSFET的图片

相比具有相同额定值的硅器件,碳化硅MOSFET系列产品的能效更高,系统尺寸/重量得到缩减,电力电子系统中的功率密度也有所增加。 即便在高温(150°C)下运行,也能发挥一流的耐用性与卓越性能。

新型碳化硅MOSFET产品的典型应用包括电源转换系统,例如: 太阳能逆变器、开关模式电源设备、UPS系统、电机驱动器、高压DC/DC逆变器、电池充电器和感应加热。

“全新碳化硅MOSFET系列产品是一个重要里程碑,标志着我们向成为功率半导体领先组件供应商又迈进了一步。”Littelfuse电子业务部功率半导体产品营销经理Michael Ketterer表示, “我们的碳化硅MOSFET应用支持网络随时帮助客户提升现有设计的性能,并协助客户开发新的电源转换产品。”

LSIC1MO120E0080系列碳化硅MOSFET具有以下关键优势:

· 超高切换速度可提高效率和电源密度。

· 切换损耗降低,有助提高切换频率。

· 更高的工作温度可确保器件在广泛的高温应用中更加可靠耐用。

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