美高森美新型30 kW三相Vienna PFC参考设计充分利用SiC二极管和MOSFET器件以提供高性能

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二极管和MOSFET器件的全新可扩展30 kW三相Vienna功率因数校正(PFC)拓扑参考设计。这款可扩展的用户友好解决方案由美高森美与北卡罗莱纳州立大学(NCSU)合作开发，非常适合快速电动车(EV)充电和其它大功率汽车和工业应用;此外，它亦可通过美高森美功能强大的SiC MOSFET和二极管，为客户提供更高效的开关以及高雪崩/高重复性非钳位感性开关(UIS)能力和高短路耐受额定值。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展，在6号展厅318展台展示有源整流器PFC参考设计以及SiC产品系列中的其它解决方案。

美高森美副总裁兼分立和电源管理部门经理Leon Gross表示：“汽车市场不断变化，混合动力车(HEV)和电动车日益增加，SiC器件可以使得这些车辆提高效率，行走更远路程。这继续推动了市场对我们产品组合中的这些SiC器件以及其它高可靠性产品的高需求。在过去几年来成功发布SiC MOSFET和二极管产品组合后，我们新推出的三相三开关三电平PFC参考设计是一个具体示例，说明如何在要求严苛的应用中利用这些部件，展示其稳健性、高性能和整体价值。”

美高森美的用户友好30 kW三相PFC参考设计包括用于其下一代SiC二极管和MOSFET的设计文件、开源数字控制软件和用户指南。与单相PFC和两电平六开关升压脉宽调制(PWM)整流器设计相比，该拓扑结构具有多项优势，包括在连续导通模式下工作的失真极低，并可降低约98%的电源器件开关损耗;与Si/IGBT解决方案相比，它还具有高效率和紧凑外形尺寸的优势。

该参考设计还提供详细的3D机械和散热设计，并带有集成的风扇和冷却通道以降低热阻和缩小总系统尺寸。其印刷电路板(PCB)布局在开发时已考虑了安全性、电流应力、机械应力和抗噪声能力。参考设计包带有可立即使用的硬件和经过验证的开源软件，可降低大功率开关设计的技术风险，同时加快产品上市。

除了适合快速EV/HEV充电器和适用于汽车和工业市场大功率三相电源外，美高森美全新有源三相PFC参考设计还可以用于医疗、航天、国防和数据中心市场。这款参考设计补充了面向HEV/EV充电、插电/感应式车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电动车动力系统/牵引控制、光伏(PV)逆变器和作动器应用美高森美整体SiC解决方案组合。

包括IndustryARC和Technavio在内的市场研究机构预计，电动车电力电子市场到2021年的年复合增长率(CAGR)将达到19%至33%。包括SiC器件在内的宽带隙半导体器件具有高工作温度能力和高效率，因此在EV动力传送、DC-DC转换器、充电和开关电源应用中的使用将会与日俱增。

6月5日至7日在PCIM展会6号展厅318展台进行演示

美高森美产品专家将在PCIM展会期间于公司展台上演示全新Vienna PFC参考设计和美高森美SiC解决方案。