凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一个 802.3af/802.3at 兼容的以太网供电 (PoE) 接口控制器 LTC4265,该器件用于需要高达 25.5W 功率的大功率受电设备 (PD) 应用。在 2003 年,IEEE 802.3af 标准定
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一个 802.3af/802.3at 兼容的以太网供电 (PoE) 接口控制器 LTC4265,该器件用于需要高达 25.5W 功率的大功率受电设备 (PD) 应用。在 2003 年,IEEE 802.3af 标准定
新日本无线开发完成了配有Dolby VolumeTM功能的DSP(Digital Signal Processor)NJU26207,并开始发放样品。该产品适用于数字电视和前置环绕扬声器系统。 在更换电视的频道,节目和CM变换,或者输入信号源变化时
本文提出了一种不同于传统通信机制的模块间通信模型。将用于网络通信的UDP方式引入到程序内的模块间通信中,避免了传统方式可能引起的降低效率与资源耗费过多问题。通过送耦合的连接方式增强了程序的灵活性。在实验中,这种基于UDP方式的虚拟设备绑定的通信模型取得了较好效果,在对实时性要求较高的嵌入式系统开发中有着较高的价值。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦创建的独立半导体公司)发布了一款全新的全球性单芯片液晶电视平台,该芯片第一次让消费者可以以中等价位体验到高画质电视(HDTV)和网络视频内容前所未见的绝佳画面质量
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件,而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
对于美国在半导体研发领域的衰落我们需要重点研究,悲观者认为正如贝尔实验室被后来者所超越一样,TI也在面临同样的问题,需要面对诸如TSMC等新兴制造商的挑战,乐观派则认为Intel依然扮演下一代半导体技术世界领
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件,从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术,利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出采用 4mm x 4mm QFN 或 TSSOP-20E 封装的 36V、1.5A (ISW) 降压和升压型稳压器以及线性控制器 LT3570。该器件在 2.5V 至 36V (40VMAX) 的 VIN 范围内工作,非常适
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为对能量敏感的系统设计人员提供300mA低压降 (LDO) 稳压器解决方案,在效率、瞬态响应和占位面积方面实现平衡。FAN2564是低VIN LDO产品,能提供开关稳压器相似的效率,而占
XMOS日前推出了其G4可编程器件的一款新型封装形式,它是XS1-G4系列的第一款产品。该款新型144管脚BGA的封装形式是专为要求较小外形(11mm2)的各种系统而设计,其0.8mm的球间距是小巧型设计和简单PCB布局的理想之选。
XMOS日前推出了其G4可编程器件的一款新型封装形式,它是XS1-G4系列的第一款产品。该款新型144管脚BGA的封装形式是专为要求较小外形(11mm2)的各种系统而设计,其0.8mm的球间距是小巧型设计和简单PCB布局的理想之选。
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式控制器 LT3751,该器件可将大型电容器迅速充电至高达 1000V。LT3751 驱动一个外部 N 沟道 MOSFET,可在不到 1 秒钟的时间内将一个 1000uF 电容器充电至 500