电源
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一种新型LED显示模组供电拓扑
摘要：设计了一种LED显示屏模组的全新的电源供电拓扑。220 V／50 Hz(或110V／60HZ)交流电源经过滤波、整流、PFC矫正后产生一个400V的电压；400V的电压通过总线传输到模组内的辅助电源模块和多个高效电源模块；辅助电
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太阳能电源低压钠灯智能控制器的设计
摘要：设计一种采用低功耗单片机P87LPC767作为控制回路核心，低压钠灯为负载的太阳能电源智能控制器。系统在P87LPC767单片机的控制下，能将太阳能电池方阵转换的直流电进行有效存储和合理使用，具有环保节能的双重效
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太阳能电源低压钠灯智能控制器的设计
摘要：设计一种采用低功耗单片机P87LPC767作为控制回路核心，低压钠灯为负载的太阳能电源智能控制器。系统在P87LPC767单片机的控制下，能将太阳能电池方阵转换的直流电进行有效存储和合理使用，具有环保节能的双重效
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基于集成芯片TLE621O和L9349的ABS驱动电路设计
当前在ABS设计中普遍采用的电磁阀驱动电路设计均以功率MOSFET为主，辅之以保护回路，隔离措施等以保证其可靠性，还要设计专门的自诊断回路以进行故障检测。虽然在具体电路的设计上分立方案有一定的灵活性，但成本和PCB空间的耗费较高；本方案采用ABS专用集成芯片TLE621O和L9349，集驱动和监测功能于一身，应用于ABS系统中能降低功耗，便于故障检测，提高可靠性，大大改善了整个系统的性能。
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DC/DC变换器在汽车照明中的应用方案
摘要：LED照明在汽车领域的应用日益加速和广泛。本文针对汽车上的特定要求，推出了2种新型DC/DC变换器芯片：LTC3787和LTC3475，并对各自的特性予以介绍，能满足在不现场合上对转换的多项要求，促进了现代汽车电子
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DC/DC变换器在汽车照明中的应用方案
摘要：LED照明在汽车领域的应用日益加速和广泛。本文针对汽车上的特定要求，推出了2种新型DC/DC变换器芯片：LTC3787和LTC3475，并对各自的特性予以介绍，能满足在不现场合上对转换的多项要求，促进了现代汽车电子
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DC/DC变换器在汽车照明中的应用方案
摘要：LED照明在汽车领域的应用日益加速和广泛。本文针对汽车上的特定要求，推出了2种新型DC/DC变换器芯片：LTC3787和LTC3475，并对各自的特性予以介绍，能满足在不现场合上对转换的多项要求，促进了现代汽车电子
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一种高效率AC/DC变换器的实现方案
提要：本文提出一种高效率AC-DC变换器的实现思路，对实现高效率的各环节的效率分析，提出实现的方案，最后，给出实验数据。输入电压为85V输出24V的电源效率约为93%。 在一般开关电源的设计方案中，开关损耗和
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一种改进型级联H 桥型变流器的调制策略研究
摘要：五电平级联H 桥型变流器在高压大容量场合得到了广泛应用。各级直流侧电压出现不平衡现象会导致变流器的输出波形发生畸变，谐波特性恶化；另一方面，一些混合型级联H 桥型变流器中，各级直流母线电压亦不
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一种改进型级联H 桥型变流器的调制策略研究
摘要：五电平级联H 桥型变流器在高压大容量场合得到了广泛应用。各级直流侧电压出现不平衡现象会导致变流器的输出波形发生畸变，谐波特性恶化；另一方面，一些混合型级联H 桥型变流器中，各级直流母线电压亦不
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基于FPGA的高速宽带跳频发射机的中频设计
摘要：结合软件无线电思想和架构，利用Altera EP3C16F4 84C6作为中频信号处理器，设计了一种基于统一硬件架构的数字化高速宽带跳频发射机，实现跳频速率125kHops/s，跳频带宽320MHz。 引言 跳频通信是在恶劣
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嵌入式系统中的处理器技术综述
摘 要：目的:阐述并总结嵌入式系统微处理器的特点、分类、开发技术. 方法:给出相关定义,并和通用处理器进行比较. 结果:归纳出了嵌入式微处理器的基本情况及发展趋势. 结论: 嵌入式微处理器技术是一项很难被垄断
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以太网控制芯片W5100的存储装置设计
摘要：利用MSP430系列单片机直接控制以太网控制芯片W51000进行数据传输和存储，给出了系统的工作原理、硬件连接和软件实现方法。该装置通过双绞线与计算机相连，可以实现远距离、快速的数据传输及存储。 关键词：W5
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非对称双通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有
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非对称双通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有
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