电源
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首个完整的数字前端设计（赛灵思）
赛灵思公司（Xilinx, Inc.）宣布推出优化的完整数字前端（DFE）设计，帮助设计人员实现更快速、低成本3GPP LTE无线通信系统的开发。这是专门针对高性能3GPP LTE射频应用的业界第一款DFE设计。该设计不仅能够降低总功
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最新 VLIB 软件库（TI）
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出可帮助视频或视觉系统开发人员显著加速产品开发进程的最新 VLIB 软件库。VLIB 是一套集合了 超过40种软件内核的可扩展软件库，并针对业界领先的 TI TMS320C64x+™ 数字信号处理器
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Boot在ADSP-BF533上的移植
本文详细的介绍在BF533上移植U-Boot的工作步骤及难点。前期的移植工作是嵌入式系统开发的必要环节，Bootloader的稳定运行对于后期如Linux上内核的调试，Linux设备驱动的开发有重要意义。只有在此基础上才可以进行更深入的嵌入式系统开发，希望本文能为做相关工作的开发者提供参考。
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山寨笔记本能否拷贝手机成功路
在IT市场上，“山寨”是当前最为流行的词汇之一。目前山寨现象已经从手机行业蔓延到PC行业，山寨笔记本正慢慢地沿着山寨手机曾经走过的“道路”前进 在当前全球金融危机影响逐渐扩大的情况下，二手商品的
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LED点阵电子显示屏系统的设计
本设计所要求的显示汉字、字母和数字均已实现，并能控制文字的左右移动及速度。同时，温度与日期时间可以实时显示，并且与上位机联机通信成功。整机系统的硬件制作简便，难点是软件设计。本系统采用并行方式显示，并且采用主从单片机来控制整个系统，这样能够大大减化软件的编写难度，容易实现各项功能指标。
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兼容802.3af/802.3at的PoE接口控制器（Linear）
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一个 802.3af/802.3at 兼容的以太网供电 (PoE) 接口控制器 LTC4265，该器件用于需要高达 25.5W 功率的大功率受电设备 (PD) 应用。在 2003 年，IEEE 802.3af 标准定
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兼容802.3af/802.3at的PoE接口控制器（Linear）
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一个 802.3af/802.3at 兼容的以太网供电 (PoE) 接口控制器 LTC4265，该器件用于需要高达 25.5W 功率的大功率受电设备 (PD) 应用。在 2003 年，IEEE 802.3af 标准定
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配有Dolby Volume功能的DSP（新日本无线）
新日本无线开发完成了配有Dolby VolumeTM功能的DSP（Digital Signal Processor）NJU26207，并开始发放样品。该产品适用于数字电视和前置环绕扬声器系统。 在更换电视的频道，节目和CM变换，或者输入信号源变化时
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基于VxWorks实时操作系统的通信模型设计
本文提出了一种不同于传统通信机制的模块间通信模型。将用于网络通信的UDP方式引入到程序内的模块间通信中，避免了传统方式可能引起的降低效率与资源耗费过多问题。通过送耦合的连接方式增强了程序的灵活性。在实验中，这种基于UDP方式的虚拟设备绑定的通信模型取得了较好效果，在对实时性要求较高的嵌入式系统开发中有着较高的价值。
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全新全球性单芯片液晶电视平台（恩智浦）
恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了一款全新的全球性单芯片液晶电视平台，该芯片第一次让消费者可以以中等价位体验到高画质电视（HDTV）和网络视频内容前所未见的绝佳画面质量
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基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。
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表面贴装功率MOSFET封装的演进
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
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表面贴装功率MOSFET封装的演进
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
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美国在芯片研发领域落后了吗？
对于美国在半导体研发领域的衰落我们需要重点研究，悲观者认为正如贝尔实验室被后来者所超越一样，TI也在面临同样的问题，需要面对诸如TSMC等新兴制造商的挑战，乐观派则认为Intel依然扮演下一代半导体技术世界领
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采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45
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