张力变频器的控制方式 张力变频器有两种控制方式:开环转矩控制方式和闭环速度控制方式。 一、开环转矩控制方式: 开环是指不需要张力反馈信号,变频器直接控制电
实际的应用中,很多降压型BUCK变换器,通常要利用连接到相应管脚的大片PCB铜皮来散热:单芯片的BUCK电源IC,主要利用IC的GND管脚,焊接到PCB的GND铜皮来散热;部分内部封装分立MOSFET的BUCK电源IC,以及采用分立方案的BUCK变换器,如使用控制器驱动分立MOSFET
示波器都具有一定的带宽、采样率和存储深度,正确的选择具有合适的带宽、采样率和存储深度的示波器,才能保证波形测量的准确性。 例如下面的这一款采样率2.5 GS/s 、带宽500MHz示波器。 记录长度:62.5MPoints 采样率:1.25GS/s,单通道。 带宽:500MHz 带宽
目前高频高效的DCDC变换器在汽车电子系统中的应用越来越多。高的开关频率可以使用较小的功率电感和输出滤除电容,从而在整体上减小的系统的尺寸,提高系统的紧凑性,并降低系统的成本;高的工作效率可以提高汽车电池的使用时间,降低系统的功率损耗,从而减小
这样的一个应用:-12V的输入,+5V的非隔离输出, 也就是负电压输入、正电压输出,应该采用什么结构的变换器? 反激变换器可以实现上述的电压变换,但要用到变压器,如果不用变压器,那么是否有其它的更简单的方法? 电源控制IC内部所有的电路都是以IC的地
DCDC或ACDC控制器的基准电压或参考电压也就是输出电压反馈管脚VFB对应的内部运放的基准电压,输出电压通过分压电阻连接到VFB管脚,在输入电压以及负载发生变化的时候,通过内部的调节,维持输出电压的稳定。如果环境温度发生变化,输出电压也要稳定,因此基准
摘要:本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压,功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点,分析了由于米勒平台
摘要:本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法,特别说明了在实际的不同应用中,采用不同的输出电容的原因。谐振变换器必须采用时间相关输出电容Coss(tr)来计算死区时间
摘要:本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义,详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间
1、功率MOSFET常规的开关特性 功率MOSFET在开通的过程中,当VGS的驱动电压从VTH上升到米勒平台VGP时间段t1-t2,漏极电流ID从0增加系统的最大的电流,VGS和ID保持由跨导GFS所限制的传输特性曲线的关系,而VDS的电压保持不变,这一个时间区域称为di/dt,主要由
IDC发布2019年全年全球服务器市场数据, 2019年全球服务器出货量和销售额分别为1174万台和873亿美元,同比轻微下降0.9%和1.7%。 2019年全球服务器市场的销售额前三名分别为戴尔、HPE、浪潮,戴尔销售额同比下降6.9%,份额为17.8%,HPE销售额下降8.4%,份额为1
功率MOSFET的输出电容是非常重要的一个参数,读过功率MOSFET数据表的工程师应该注意到:输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化,表现出非线性的特性,那么为什么会有这样的特性? 众所周知,当电容二端的电压增加时,就会形成对电容的充电电流,电容二
TV、户外LED照明等功率比较大的电源系统中,通常输入端使用PFC功率因素校正电路。系统反复起动的过程中,如系统动态老化Burn In测试、输入打火测试,由于PFC控制芯片的供电VCC电源建立过程比较慢,特别是使用PFC的电感绕组给PFC控制芯片供电的情况,会导致功
1 层叠的定义及添加 对高速多层板来说,默认的两层设计无法满足布线信号质量及走线密度要求,这个时候需要对PCB层叠进行添加,以满足设计的要求。 2 正片层与负片层 正片层就是平常用于走线的信号层(直观上看到的地方就是铜线),可以用“线”“铜皮”等进
一个差分信号是用一个数值来表示两个物理量之间的差异。从严格意义上来讲,所有电压信号都是差分的,因为一个电压只能是相对于另一个电压而言的。在某些系统里,系统'地'被用作电压基准点。当'地'当作电压测量基准时,这种信号规划被称之为单端的。我们使用该