电源
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经典MOS驱动
分享一个比较经典的MOS管驱动电路 问题提出： 现在的MOS驱动，有几个特别的需求： 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管
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飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50%的RDS(ON)
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits
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电源设计小贴士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案
在电源设计小贴士 #42 中，我们讨论了 MOSFET 栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶体管便可以实现 2A 范围的驱动电流。在本设计小贴士中，我们
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用电流检测和MOSFET提升输出电流
以前有篇设计实例描述了一种可编程电流源，使用的是美国国家半导体公司的LM317可调三端稳压器（参考文献1）。虽然该电路可以编程设定输出电流，但负载电流要流经BCD（二-十
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电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件
在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商
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电源设计小贴士 42：可替代集成MOSFET的分立器件
在电源设计中，工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体
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用MOS管防止电源反接的原理
电源反接，会给电路造成损坏，不过，电源反接是不可避免的。所以，我么就需要给电路中加入保护电路，达到即使接反电源，也不会损坏的目的。 一般可以使用在电源的正极串入
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美高森美发布创新SiC MOSFET系列
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成，显着提升高压应用的系统效率，并提供最大功效，帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计致力于提供功率、安全、可靠
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SJ-MOS与VDMOS动态性能比较
引言：为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为Super Junction MOS(以下简称SJ-MOS),其导通电阻与反向击穿
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一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究
近年来，由于集成电路的飞速发展，基准电压源在模拟集成电路、数模混合电路以及系统集成芯片(SOC)中都有着非常广泛的应用，对高新模拟电子技术的应用和发展也起着至关重要的
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接近开关负载是什么意思
什么是负载负载是指连接在电路中的电源两端的电子元件。电路中不应没有负载而直接把电源两极相连，此连接称为短路。常用的负载有电阻、引擎和灯泡等可消耗功率的元件。把电
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性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击
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变频器中三极管型光耦的测量与在线检测
光耦在电路中的作用主要是对光能与电能进行隔离，在方便设计的同时避免干扰的产生。通常来说，光耦分为三大类，每一大类拥有不同的测量与在线检测方式。本文就将针对其中的
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该如何避免轨到轨CMOS放大器的不稳定性
从数十年前被发明以来，MOS晶体管的尺寸已经被大大缩小。门氧化层厚度、通道长度和宽度的降低，推动了整体电路尺寸和功耗的大大减少。由于门氧化物厚度的减小，最大可容许电
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高速CMOS钟控比较器的设计
随着现代通信技术的广泛应用，高速低功耗的电子设备成为市场的主流，这些设备都依赖高性能的模数转换器(ADC)，特别是对速度的要求越来越高，高速ADC成为决定设备性能的关键
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