电源
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英飞凌推出新款Advantage系列IGBT产品 为逆变焊机的持续发展注入动力
近年来，中国的逆变焊机技术已日趋成熟，逆变焊机本身的技术和性能在不断提高，且得到各行业用户的认可，并逐渐进入国际市场。作为功率半导体市场领军者，英飞凌凭借丰富的经验和创新实力，重视中国本土客户的需求，全新推出针对于逆变焊机应用的34毫米IGBT功率模块Advantage系列，该系列产品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性价比，其品质和可靠性达到英飞凌一贯高标准。
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电源充电变换器电子电路原理分析
220V交流输入，一端经过一个4007半波整流，另一端经过一个10欧的电阻后，由10uF电容滤波。这个 10欧的电阻用来做保护的，如果后面出现故障等导致过流，那么这个电阻将被烧断，从而避免引起更大的故障。右边的4007、4700pF电容、82KΩ电阻，构成一个高压吸收电路。
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多种电流检测放大器应用电路设计
由于现代的精巧器件将更多的性能和功能集成到更小的封装，所以管理电子产品中的散热状况变得更为重要。即使是基站或服务器等“大型”项目也比它们以前的性能显著
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单片机中最小二乘方滤波器的向量测量及功率计算研究
单片机是一种集成在电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计时器等功能(可
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Fairchild大幅降低IGBT损耗 助力工业和汽车应用中效率的提升
Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗，降幅达30%。Fairchild采用工业和汽车市场中专为高/中速开关应用设计的新方案，提供了行业领先的性能水平，同时具有极强的闩锁效应，确保了优异牢固性和可靠性。Fairchild将在2015 亚洲PCIM中演示各种应用的测试结果和方案。
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意法半导体新款汽车级1200V晶闸管率先通过超高可靠性功率控制测试
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的TN5050H-12WY是世界首款大功率可控硅整流晶闸管(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor)，提供高达1200V的截止电压以及汽车级
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感测的内容是什么？ 用于电容感测的有源屏蔽
你在传感器系统中是否遇到过电容测量值的波动呢?对于这些测量值的波动有几种解释，但是最常见的根本原因是外部寄生电容干扰。这种干扰，比如说不经意间将手靠的太近或者周围区域中的电磁干扰 (EMI)，需要引起我们的注意，并在系统设计时解决这些问题，其原因在于这些干扰会大大地降低系统可靠性和灵敏度。幸运的是，有几种方法可以帮助缓解这些干扰因素，这样它们就不会影响到电容测量值的读数了;其中一个方法就是有源屏蔽。FDC1004的最大特点就是有能够降低干扰并帮助集中电容传感器的感测区域。
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电路设计中电阻的选择及其作用
电阻在电子产品中是最常用的器件之一，基本上只要是电子产品，内部就会存在电阻。电阻可以在电路中用作分压器、分流器和负载电阻;它与电容器—起可以组成滤波器及延时电路;在电源电路或控制电路中用作取样电阻;在半导体管电路中用作偏置电阻确定工作点;使用特殊性质的电阻如压敏电阻、热敏电阻实现防浪涌电压、抑制冲击电流，实现过温保护等等。电阻是最普通的器件，同时也是电路中不可或缺的器件，选好用好电阻对产品的稳定运行及使用可靠性是至关重要的。
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SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
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Vishay的新款绕线电阻可提供超标准的、可靠的高能浪涌保护能力
21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新系列硅树脂涂层的轴向引线绕线电阻---CW - High Energy。Vishay Dale CW - High Energy系列电阻的短时高能浪
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TI推出业界首款全集成型磁通门传感器、信号调节和补偿线圈驱动器IC
无与伦比的集成度实现了高准确度、动态范围和线性度，并简化了系统设计日前，德州仪器(TI)推出业界首款具有全集成型磁通门传感器和补偿线圈驱动器，以及所有必须的信号调节
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优化低成本BJT开关方案 满足DoE和CoC新效率标准
众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管(BJT)在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3W以上时，BJT中的开关损失可能就会成为大问题。Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的双极结型晶体管(BJT)开关，能够提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。新的系列器件专门适用于要求满足美国能源部(DoE)和欧盟行为准则(CoC)严格的新效率标准的充电器和适配器，帮助工
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函数信号发生器和示波器二合一仪器设计，提供源码
1.总体设计方案 1.1 主控制模块方案一：采用单片机。单片机的应用较为广泛，但是单片机的处理频率达不到我们的要求。所以我们只能够使用处理速度较快的处理器。方案二：采
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英飞凌推出新款大功率光触发晶闸管 首次集成保护功能
英飞凌科技Bipolar有限公司进一步扩大双极半导体产品阵容，推出光触发晶闸管，它们可增强系统可靠性、降低系统成本并简化超大功率应用的设计。英飞凌新推出的6英寸晶闸管搭载可靠的光触发组件，无需加装外部电触发电路。此外，过压保护、dv/dt 保护和在恢复时间防止正向电压瞬变等板载安全功能，使得元件数量进一步减少，并有效降低设计复杂性。 晶闸管是控制超高电流和电压的理想之选，因为在通态损耗和对称阻断能力方面，晶闸管的性能优于基于IGBT的电压源换流器(VSC)。英飞凌这次推出的高度集成的光触发晶闸管首次
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壮大中压MOSFET产品阵容 英飞凌推出OptiMOS 300 V
21ic电源网讯 英飞凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壮大中压MOSFET产品阵容，树立功率场效应管市场新标准。300V OptiMOS 的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不
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