电源
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Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源 并节省占位面积
21ic电源网讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的稳压器ZXTR2105F，该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来，有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的
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在精密电阻应用中更小并不意味着更好
如今设备是越做越小，这个趋势要求越来越小的精密电阻能够支持越来越高的功率密度。这通常意味着只要可能就应该使用表贴片状电阻。是这么个说法吗?SMT技术也不是十全十美的
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电容的用途有哪几种
电容的用途非常多，主要有如下几种：.隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。.旁路(去耦)：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。在电子电路中，去耦电容和旁路电
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Linear 推出双路 3V 至 30V 低功率运算放大器 LT6023
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双路 3V 至 30V 低功率运算放大器 LT6023，该器件具 30µV 最大输入失调电压，並可在 60µs 稳定至 0.01%。
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CUI推出 90 A数字负载点模块系列 应对日益增多的先进IC供电挑战
市场上最高电流POL产品满足联网应用日益增长的功率需求CUI Inc宣布推出最高电流数字负载点POL系列产品NDM3Z-90，这些器件专为满足现今最先进的集成电路产品快速增长的功率
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RFID与NFC常用标准及应用场合
RFID与NFC有很多相似之处，除了应用场合以及使用频段，他们也同时共享了许多行业标准，今天就为大家介绍其中两个较常用的标准协议。RFID：许多人对于RFID的感性认识都来自一
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扩展示波器用途的另外十个技巧
先前的文章介绍了扩展中档数字存储示波器(DSO)基本功能的十个技巧(详见：扩展示波器用途的十大技巧)，本文将介绍另外十个技巧，它们可以帮助你节省时间，并使你成为公司的D
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晶体管或稳压器并联后可以取消散热器
引言双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，
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TI发布业内首款80V半桥GaN FET模块
全集成GaN FET功率级原型机帮助电源设计人员迅速了解GaN的极致优势21ic电源网讯 近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。
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英飞凌将与松下电器联袂 双双推出常闭型600V GaN功率器件
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在
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EPC推出12 V、42 A输出电流、已调节型的隔离式转换器演示板
21ic电源网讯 EPC9115 DC/DC总线转换器展示出配备专有驱动器的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在一个传统、已调节型的隔离式1/8砖式DC/DC转换器的拓扑可以发挥的优越性能。宜
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Diodes 推出两款同步整流器APR3415及APR34330 提高便携式充电器集成度和效率
21ic电源网讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款同步整流器APR3415及APR34330，满足市场对提高便携式充电器集成度和效率的要求。新器件把驱动电路与内部MOSFET结
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安森美和Transphorm推出600 V GaN 晶体管用于紧凑型电源及适配器
参考设计令评估和实现新的基于GaN的晶体管和需要充分利用GaN器件的技术优势的AC-DC控制器成为事实安森美半导体 (ON Semiconductor)，和功率转换器专家Transphorm，先前宣布
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Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C 适合超高功率密度应用
30V至150V漏源击穿电压的19款新MOSFET可将功率密度提高达85%可靠性比额定结温为150° C业内标准值的MOSFET高三倍21ic电源网讯 Fairchild 正在利用其扩展温度(ET)中压MOS
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开关电源设计，何时使用BJT？
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压(大于 1kV
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