电源
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e络盟为亚洲用户供应来自FCI的创新高功率边缘卡 及USB连接器
FCI最新系列高功率边缘卡(HPCE®)连接器和USB 3.0连接器广泛用于工业与电信应用领域，现可通过e络盟进行订购21ic讯 e络盟日前宣布供应来自全球连接器与互联系统解决方案
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一种新型的高性能CMOS电流比较器电路
分析了目前几种高性能连续时间CMOS 电流比较器的优缺点， 提出了一种新型CMOS 电流比较器电路。 它包含一组具有负反馈电阻的CMOS 互补放大器、两组电阻负载放大器和两组CMOS 反相器。 由于CMOS 互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗， 从而使电压的变化幅度减小， 所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度。 电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗。 利用112Lm CMOS 工艺HSP ICE 模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟， 结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的
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推挽式甲类功放输出功率及损耗分析
甲类功放不存在交越失真，音频信号可以完整地传输。甲类功放是发烧友追求的目标。一部甲类功放，一其输出功率是多少?功率损耗是多少?这些都是甲类功放制作的前期理论计算。
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没有压降的简单反极性保护电路
通常反向电压保护方法是使用二极管，防止损坏电路。一个方案是用串联二极管，只允许电流向正确的极性流动(图1)。另外还可以用二极管桥对输入做整流，这样电路就永远有正确的
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用反馈设定输出阻抗可节省3dB的输出功率
人们经常对运放采用串联终结方式，以匹配负载的阻抗。但这种实用方法会在终结电阻上产生3dB的输出功率损耗(图1)。较新型运放采用3V和5V工作，限制了输出摆幅，这意味着应避
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基于高速多通道CCD预放电路的设计方案
高速成像应用中，CCD的输出通道数较多，且每个通道的速度也很高。多通道输出需要多个放大器对信号进行放大。当放大器数量较多时，电路板布局时很难使放大器靠近CCD放置。
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Maxim Integrated推出面向嵌入式应用的高精度隔离电能测量芯片组 加速产品上市进程
Maxim Integrated高度灵活的隔离电能测量方案可有效降低设计成本、尺寸和复杂度。21ic讯 Maxim Integrated Products, Inc. 推出结构紧凑的MAX78700/MAX78615+LMU隔离电能测
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基于虚拟仪器的开关磁阻电机监控系统设计方案
为了提高开关磁阻电机控制系统的实用性和可靠性，利用NI虚拟仪器构建了监控系统，可以实时监测和调整电机运行时的重要参数。该方案以装有数据采集卡的PC机和DSP作为硬件基础，利用LabVIEW软件将各类传感器传送的信号进行实时处理，同时记录和显示各项数据，然后再利用相应的算法完成对数据的分析。
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Linear 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V 的输入电压工作，在高达 100V 瞬态时
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贴片钽电容的频率特性分析
我们知道每种电容都有它的频率特性，那么AVX 钽电容的频率特性是怎么样的呢?AVX 钽电容随着频率的增加有效电容的值会减小，直到共振达到(通常视0.5 - 5MHz 的之间该评级)。
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基于D类功放PWM的探讨
探讨D类音频功率放大器的两种常见PWM调制方式：开环定频和闭环自激式调制方式。由于调制方式不同，PWM的波形也各有不同，而对系统的失真方面也有着不一样的影像。本文针对不同的调制方式，分别分析其工作原理，总结出各自的优缺点，同时通过数学建模，通过软件仿真对结果进行分析。仿真可为工程技术人员提供了高速快捷的调试途径，并可预先对系统状况进行评估，找到最薄弱环节，对于改进系统性能提供帮助。
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电路设计中二极管选用准则
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件
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Fluke 5730A 高精度多功能校准器 在直流/低频测量领域提供当今世界上最准确的性能
——新式校准器具有新式的全彩触摸屏，帮助用户快速地校准各种各样的数字多用表2013年9月，福禄克公司计量校准部，精密校准仪器和软件业界的领导者，正式推出573
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麦瑞半导体推出85V半桥MOSFET驱动器 集成阴极负载二极管且有最宽可编程栅极驱动电压范围
和用于电池供电应用的现有器件相比，该解决方案可把工作时间延长40%21ic讯 麦瑞半导体公司今天推出了85V半桥MOSFET驱动器MIC4604。MIC4604具有集成的85V阴极负载二极管和业
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基于ZVS平均电流型500W大功率电路设计方案
1结构原理通常情况下，输入电压范围宽的PFC升压型转换器由于其开关损耗的增加，往往要损失很大的输出功率。而使用零电压开关(ZVS)技术则可大大减少功率MOSFET的开关损耗，从
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