电源
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飞兆半导体的阳极短路IGBT荣膺EPC十佳功率产品奖
高压IGBT可减少高功率感应加热应用中的总功率损耗和电路板面积21ic 飞兆半导体——全球领先的高性能功率和移动半导体解决方案供应商已荣膺《今日电子(EPC)》主办
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DIALOG SEMICONDUCTOR PWM 控制器 降低智能手机电源BOM成本和待机功耗
iW1679数字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A适配器和充电器中的FET21ic讯 Dialog Semiconductor plc 日前推出业内首个可轻松、高效驱动低成本、10W功率双极晶体管
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发挥DIY全桥修正弦波逆变器诞生记
家里本来有台24V的纯正弦UPS，但它空载电流1.16A，太大了，发挥DIY精神自做了一台修正弦一频逆变。本来用高频方式，技术已经很成熟了，但有一个最大的不足，就是启动CRT彩电
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小功率低成本直线电动机专用变频器设计
根据直线电动机基本原理，以M30620单片机为核心，SKIIP09NAC25T10模块为驱动，结合相关外围电路，设计出直线电动机专用变频器，该变频器结构紧凑性能稳定，价格低廉，可广泛
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电子电路设计的基础知识
一、 电子电路的设计基本步骤：1、 明确设计任务要求：充分了解设计任务的具体要求如性能指标、内容及要求，明确设计任务。2、 方案选择：根据掌握的知识和资料，针对设计提
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可提供13W到70W功率的PoE+电路设计指南
以太网供电(PoE+)应用目前遵循IEEE标准802.3af，它即将在今年的第二季度被802.3at(PoE+)所替代，新的PoE+标准将可为用电设备(PD)提供大约2倍的功率。本文提出一个简单的工作
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晶体管开关电路的加速电容器
饱和开关的问题点：OFF延时时间如图1所示，使场效应晶体管开关动作时，加给晶体管的基极电流IB：是IB=IC/hFE，决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压V
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射极跟随器时的功率MOSFET的驱动
功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用控制IC的数据表，就会发现作为功率MOS的常见驱动的设备。代表性的
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MC33035的驱动输出电路
MC33035的3个上侧驱动输出(1、2、24脚)是集电极开路的NPN型晶体管，其吸入电流能力为50mA，耐压为40V，可用来驱动外接逆变桥上桥臂的NPN型功率晶体管和P沟道MOSFET功率管。
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控制电路与功率驱动电路的隔离
为了减小干扰，增加控制电路的可靠性，在系统设计时，将控制电路与功率驱动电路完全分开，功率部分与控制部分不共地而控制信号采用光电隔离，其中主要的控制信号为PWM信号。
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一款-48V转5VSTBY电源电路的设计
引言现代电子技术的应用迅速地发展，对电子仪器和设备要求性能上更加安全可靠，功能上，不断地增加。在使用上自动化程度越来越高。在体积上，要日趋小型化。这使采用具有众
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标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现
随着射频无线通讯事业的发展，高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成，属于一种多数载流子器件，高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上，提出的集成肖特基二极管设计方法，并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。
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美高森美新型新型较大功率和较高电压MOSFET器件 瞄准RF和宽带通信应用
VRF2944在50V供电电压下提供业界最高输出功率21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率
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从印制板到反激电源/开关电源设计
谈多年开关电源的设计心得，从开关电源印制板的设计、印制板布线、印制板铜皮走线、铝基板和多层印制板在开关电源中的应用，到反激电源的占空比，绝对的实践精华!开关电源印
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介绍倍压整流电路结构的优缺点
倍压整流电路的实质是电荷泵。在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较低的整流二极管和电容器，“整&rdqu
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