DIALOG SEMICONDUCTOR PWM 控制器 降低智能手机电源BOM成本和待机功耗

iW1679数字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A适配器和充电器中的FET

21ic讯 Dialog Semiconductor plc 日前推出业内首个可轻松、高效驱动低成本、10W功率双极晶体管 (BJT) 的数字脉宽调制 (PWM) 控制器，从而降低5V/2A智能手机适配器和充电器的BOM 成本。新型iW1679可供设计师以低成本BJT取代场效应晶体管 (FET)，满足智能手机、多媒体平板电脑和消费电子产品降低待机功耗、提高轻载和平均工作效率的市场需求。iW1679由Dialog电源转换业务部 (前iWatt公司) 开发，旨在推进Dialog实现其拓展市场的目标。

iW1679在降低材料清单成本的同时，采用Dialog自适应多模式PWM/PFM控制技术，动态改变BJT开关频率，从而提高效率。这样可以优化系统、提高轻载效率、降低功耗和电磁干扰 (EMI)。iW1679平均工作效率高达83%，在10%轻载条件下保持高效率，空载待机功耗小于30mW，且待机恢复速度快。这使设计师可实现甚至超过最新全球能效标准，包括严格的European CoC version 5(1)标准(该标准要求平均工作效率达到76%，10%负载条件下保持高轻载效率)以及要求平均工作效率达到79%的U.S. DoE(2)标准和要求平均工作效率达到73%的Energy Star EPS 2.0(3)标准。

“5W和5W以下的电源普遍采用BJT，Dialog是这一领域的领导者，提供各种专门用于驱动BJT的数字PWM控制器，”Dialog电源转换业务部副总裁兼总经理Ron Edgerton说，“通过推出iW1679，我们将这种丰富的专业技术应用于高功率电源，使其同样具备低成本、高效率和高性能的优点。”

尽管BJT成本低于FET，但BJT驱动要求更加复杂。为解决这一问题，iW1679采用Dialog数字控制专利技术，主动调节BJT基极驱动电流。这样可优化性能，提高效率，避免BJT饱和。由于BJT比FET切换速度慢，它所产生的噪声较低，因此降低了EMI。iW1679采用Dialog的EZ-EMI®技术，这种采用波谷导通开关模式的内部EMI技术，进一步降低了EMI，简化生产并减少所需外部EMI滤波元件。这种技术还包括专利的开关模式，不会产生控制器可闻噪声。

与采用FET的设计相比，iW1679可降低高达10%(4)的BOM成本。Dialog的PrimAccurate™原边控制专利技术去除了所需的次级调节器和光耦器件，从而可以进一步节省BOM成本。

iW1679提供可由用户可配置的四级线压降补偿选项，消除了为满足各种输出电压要求而订购储备多种版本产品的问题。本器件采用标准低成本8引脚SOIC封装，具有各种故障条件的全面保护功能，包括输出短路、输出过压、输出过流和过温保护。

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iW1679 主要特性

· 输出功率：5W至10W

· 驱动低成本、10W BJT功率开关以降低BOM成本

· PrimAccurate™ 原边控制专利技术提高可靠性、减小解决方案尺寸、降低BOM成本

· 自适应多模式PWM/PFM专利技术优化轻载效率、EMI和功耗

· 已申报专利的准谐振控制优化各种负载条件下的效率

· 高达83%的平均工作效率

· <30mW 超低待机功耗

· 符合严格的全球能效标准，包括：U.S. DoE、European CoC version 5、Energy Star EPS 2.0

封装、定价、供货

iW1679 现已实现量产，1000支起订量单价为0.29美元。