介绍一款基于固定频率脉宽调制控制芯片T L494 的30 W 电源, 分析了该电路的结构, 给出了具体的电路设计和实验波形。通过实验样机测试表明, 该电路实用可靠, 工作稳定。
有很多电路展示了使用50Hz和60Hz电线的零交叉检测器的工作原理。虽然电路有很多种,但是大多数都有不足之处。本例中展示的电路可使用少量的通用元件来提供更高的性能,且耗
许多通信、仪器仪表和信号采集系统需要通过多个模数转换器(ADC)对多个模拟输入信号进行同时采样。随后,经过采样得到的数据需被处理以实现各个通道的同步,然而他们各自有不
该开关电源属于小功率开关电源,输入220V交流市电,输出12V直流电,最大输出电流1.3A,主要应用于小型设备的供电,比如楼宇监控设备等。其电原理图如图1所示。其控制核心器件
基于高频谐振电路研制的高压脉冲电容器充电电源, 采用IGBT 构成电源的软开关电路和闭环变频控制充电电流的方式。对输出端负载大范围变化引起的谐振频率漂移, 采用微调开关时间, 保证了变换器开关零切换, 显着降低了导通、关断时IGBT 的损耗。通过对100uF 高压电容器充电实验, 证明恒流充电电源的恒流效果好、充电重复精度和效率更高, 在短路状态下能安全可靠地工作。
采用SMA、SMB和SMC封装的3A~5A整流器提高了功率密度 21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器,其中包
21ic讯 英飞凌科技股份公司今日推出一系列可为移动电子系统提供一流静电释放(ESD)保护的瞬态电压抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二极管和阵列器件具备非常低的动态电阻(Rdyn =
单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益21ic讯 安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为
集成解决方案将 MOSFET 和二极管置于一个封装内,简化了电路板装配并节省了空间21ic讯 飞兆半导体公司通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程,将
引言由于市场对于提升信息技术和通信设备性能的需求,因此如今的系统设计人员面临着必需设计 EMI 兼容产品的巨大挑战。在销售之前,所有通常被规定为具有一个高于 9kHz 之
七款全新IC还为PC、移动设备、扩展基座和显示器设计人员提供了先进电池充电及与多种串行协议桥接的I/O21ic讯 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,通过对SM
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度21ic讯 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC,能够有效提供高驱动能力。IRS44273L易于使用,为IGBT
美国国家半导体公司的LM317T是一种常用的可调电压稳压器,能以最大1.5A电流提供1.25V~37V的输出电压。用一只电位计就可以调节输出电压。图1中的电路用一个模拟电压代替了电
随着功率密度不断提高,半桥(例如HID半桥或LLC)和全桥(例如ZVS全桥)等软开关拓扑成为理想的解决方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的动态性能,采用这些拓扑可降低系统