电源_ups电源_移动电源_开关电源_变频电源

声矢量传感器研究进展

声矢量传感器由传统的无指向性声压传感器和偶极子指向性质点振速传感器复合而成,可以同步共点测量声场中一点处的声压和质点振速若干正交分量,由此得到的幅度和相位信息为解

功率器件
2016-10-13

电源技术解析
基于ARM的嵌入式的USB接口设计

随着嵌入式系统的广泛应用，各种小型终端需要开发出与外界联系的USB接口。目前，常用的技术有两种。基于单片机的USB接口，特点是需要外置芯片，电路复杂，留下的CPU资源不多

数字电源
2016-10-13

通信控制电源技术解析
基于单片机的智能窗控制系统设计方案

一、引言随着电子技术的不断发展，家庭中的许多电器设备如彩电、冰箱、空调等都已贴上了智能化的标签，为提高人们的生活质量做出了贡献。但遗憾的是，居室的眼睛---窗户

数字电源
2016-10-13

控制电源技术解析
基于DSP的大功率多轴控制系统

随着机器人技术的不断发展，机器人的应用领域正逐渐多样化，其中，特种机器人是机器人技术的一个重要分支。与在结构化条件下作业的普通机器人相比，特种机器人将面临更为复

功率器件
2016-10-13

功率电源技术解析
认识反激中的RCD吸收电路

反激式开关电源结构简单，应用广泛，但其变压器漏感大，开关管存在电压尖峰，在大部分低功率应用场合都会采用简单易实现的RCD钳位电路来减缓电压尖峰，这里将简单介绍RCD电

数字电源
2016-10-13

开关电源 rcd吸收电路电源技术解析
借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积

近日在中国深圳，我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上，您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，RDS(ON)不到60mΩ，占位面积仅为1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1)

功率器件
2016-10-13

MOSFET 电源技术解析
美高森美发布以太网供电复用器为2.5 Gbps设备安装提供高成本效益的紧凑型解决方案

美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供PDS-EM-8100 以太网供电 (PoE) 2.5 Gbps复用器。这款开创先河的独特产品毋须以2.5G NBASE-T接口替代原有的以太网交换机，便可实现速率高达2.5 Gbps的全新802.11ac接入点安装。

电源
2016-10-13

以太网供电电源资讯
Littelfuse的新型半桥IGBT模块将额定电流提升至600A

Littelfuse, Inc.(NASDAQ:LFUS)今天宣布推出IGBT模块功率半导体产品组合的最新产品系列——MG12600WB-BR2MM。相比该产品组合之前产品的最高额定电流(450A)，新

功率器件
2016-10-13

littelfuse igbt模块电源新品
TI推出业内首个完全集成的DDR存储器电源解决方案

TI的4-A同步直流/直流降压转换器可简化汽车和工业应用设计并缩小系统尺寸德州仪器(TI)近日宣布推出业内首个完全集成的电源管理解决方案，该方案也是首个在汽车和工业应用中

电源
2016-10-13

存储器电源 ddr 电源新品
高输进阻抗三运放差动放大电路图

本文介绍了电路制作简单，所用元器件只有简单的电阻与运算放大器。基于运放的差动放大器电路如下：

电源电路
2016-10-12

电源其他电源电路
基于51单片机的电力载波通信开关电路的制作

一、原理图：二、C程序源代码/*此程序已经经本人亲自调试运行过，如有疑问，请联系QQ：286288986*/#include //预定义头文件#define uchar unsigned char //宏定义sbit k

电源电路
2016-10-12

电源通信电源
一个经典输出短路保护电路

上电：C2 两端电压不能突变，Q2基极电压由VCC开始下降，下降到Q2可以导通(BE结压降取0.7V)，这个时间大概是0.12mS。但是同时Q1也在起到阻止 Q2导通的作用，Q1导通的时间大概

电源电路
2016-10-12

电源电源保护
继电器驱动电路中二极管保护电路及故障处理

继电器内部具有线圈的结构，所以它在断电时会产生电压很大的反向电动势，会击穿继电器的驱动三极管，为此要在继电器驱动电路中设置二极管保护电路，以保护继电器驱动管。如

电源电路
2016-10-12

二极管电源电源保护
如何选择电压测试模式

在工程师的日常测试中，有时会发现用万用表测试的结果与许多高精度的仪器测试的结果并不一致，工程师往往会陷入迷茫，到底哪个值才是正确的?原来，选择不同的测量模式，会导

功率器件
2016-10-12

电源技术解析
功率MOS管的五种损坏模式详解

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载

功率器件
2016-10-12

电源技术解析

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电源

声矢量传感器研究进展

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