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  • 从处理器的主体结构角度，了解华为麒麟芯片

    华为麒麟芯片集处理器和基带、射频、AI于一身，统称为Soc(系统级处理器)。三星、高通、苹果、联发科等手机芯片也同样类型。Soc简称处理器，是基于ARM架构构建出芯片。 从处理器的主体结构了解，就会明白其中的内涵。 处理器主要包含：内核、指令集架构、微架构。 内核：内核就是CPU最核心的部分，简单理解就是管理和计算。比如资源分配、执行命令、多核资源协调。 指令集架构：ARM的指令集就是RISC。简单理解就是手机操作系统与CPU内核进行沟通的桥梁。内核完全不懂外界做什么，只能根据指令集执行操作。 微架构：微架构简单理解就是具体功能的实现形式。譬如处理器与基带、内存、存储怎样协同工作，包含内部电路、晶体管等复杂的设计。并在某指令集内，构建出架构。也就是说同指令集可能有不同设计方案的微架构。 这个设计公司设计ARM芯片时，就有两种方案。一是买处理器授权模式;二是买指令集授权模式。 第一种设计模式也不是拿来就可以用。要把每个模块都协调好，发挥特定功能是一件了不起的事情。反过来讲，ARM公司即使设计出了芯片架构，要其设计一颗基带芯片，也是很难做到的。 简单地讲，开发出CAD软件的公司，不一定能设计出飞机。 第二种设计模式，只购买指令集。自己设计微架构，也就是设计出一款符合指令集的处理器。 两种方案，第一种相对简单，第二种增加了微架构设计，难度较大。但是指令集的版本相同，微架构实现的功能相差也不大。性能上可能有些差异。 华为麒麟芯片选着的是第一种设计方案，后续发展应该会设计自主的微架构处理器。苹果A系列芯片，有自己独立的微架构处理器，高通两种设计方案都兼顾。 至于麒麟芯片是否自研，要看核心比例。如果ARM的技术方案占比20%，那么就是自研。 另外，这些芯片的制造都是台积电或三星代工。

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  • 基于GaN和SiC的功率半导体，未来将推动电子封装集成和应用

    在新世纪伊始，氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)已经达到了足够的成熟度，并获得了足够的吸引力，将其他潜在的替代品抛在脑后，引起全球工业制造商的足够重视。 在接下来的几年里，重点是研究与材料相关的缺陷，为新材料开发一个定制的设计、工艺和测试基础设施，并建立一个某种程度上可重复的无源(二极管)器件和几个有源器件(MOSFET、HEMT、MESFET、JFET或BJT)，这些器件开始进入演示阶段并能够证明宽带隙材料带来的无可争辩的优势。宽带隙材料可以使半导体的工作频率降低10倍，从而使电路的工作频率降低10倍。 对于这两种材料，仍有一些挑战有待解决： GaN非常适合低功率和中等功率，主要是消费类应用，似乎允许高度的单片集成一个或多个功率开关并与驱动电路共同封装。有可能在在最先进的8-12“混合信号晶圆制造厂制造功率转换IC。 然而，由于镓被认为是一种稀有、无毒的金属，在硅生产设施中作为受主可能会产生副作用，因此对许多制造工艺步骤(如干法蚀刻、清洗或高温工艺)的严格分离仍然是一项关键要求。 此外，GaN是以MO-CVD外延工艺在SiC等晶格不匹配的载流子上或更大的晶圆直径(通常甚至在硅上)上沉积，这会引起薄膜应力和晶体缺陷，这主要导致器件不稳定，偶尔会导致灾难性的故障。 GaN功率器件是典型的横向HEMT器件，它利用源极和漏极之间固有的二维电子气通道进行导通供电。 另一方面，地壳中含有丰富的硅元素，其中30%是由硅组成的。工业规模的单晶碳化硅锭的生长是一种成熟的、可利用的资源。最近，先驱者已经开始评估8英寸晶圆，有希望在未来五(5)年内，碳化硅制造将扩展到8英寸晶圆制造线。 SiC肖特基二极管和SiC MOSFET在市场上的广泛应用为降低高质量衬底、SiC外延和制造工艺的制造成本提供了所需的缩放效应。通过视觉和/或电应力测试消除晶体缺陷，这对较大尺寸芯片的产量有较大的影响。此外，还有一些挑战，归因于低沟道迁移率，这使得SiC fet在100-600V范围内无法与硅FET竞争。 市场领导者已经意识到垂直供应链对于制造GaN和SiC产品的重要性。需要有专业基础的制造能力，包括晶体生长、晶圆和抛光、外延、器件制造和封装专业知识，包括优化的模块和封装，考虑到快速瞬态和热性能或宽带隙器件(WBG)的局限性，考虑最低的成本，最高的产量和可靠性。 随着广泛和有竞争力的产品组合和全球供应链的建立，新的焦点正在转向产品定制，以实现改变游戏规则的应用程序。硅二极管、igbt和超结mosfet的替代品为WBG技术的市场做好了准备。 在根据选择性拓扑结构调整电气性能以继续提高功率效率、扩大驱动范围、减少重量、尺寸和组件数量，并在工业、汽车和消费领域实现新颖、突破性的最终应用，还有很多潜力。 实现循环快速设计的一个关键因素是精确的spice模型，包括热性能和校准封装寄生体，可用于几乎所有流行的模拟器平台，以及快速采样支持、应用说明、定制的SiC和GaN驱动IC以及全球支持基础设施。 接下来的十(10)年将见证另一次历史性的变革，基于GaN和SiC的功率半导体将推动电力电子封装集成和应用的根本性发明。 在这一过程中，硅器件将几乎从功率开关节点上消失。尽管如此，他们仍将继续在高度集成的功率集成电路和低电压环境中寻求生存。

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  • 预计到2021年底，台积电将有55台光刻机

    预计到明年年底，台积电正EUV光刻机的累计采购量将达到约55台。在今年8月举办的全球技术论坛期间，台积电曾透露，在目前全球在运行的极紫外光刻机中，台积电拥有约一半，芯片产能预计占全球的60%。 而根据光刻机制造商ASML年报，从2012年开始交付EUV光刻机开始，公司已经累计向客户交付了超过76台这种光刻机。据此推算，台积电目前拥有的EUV光刻机数量在35~38台左右。 ASML是目前全球唯一能制造EUV光刻机的厂商，对于制造7nm以下制程的芯片至关重要。台积电所需要的光刻机，也就全部来自于该公司。 消息人士透露，台积电现正加大光刻工艺的研发力度，预计到2021年年底，EUV光刻机的累计采购量将达到约55台。因此ASML到20221年累计交付的EUV光刻机数量可能会达到近百台。 相较之下，有消息称三星电子截至2021年采购EUV的数量累计不到25台。三星电子是台积电在全球范围内最大竞争对手，目前正加速在5nm芯片量产上追赶台积电的脚步，3nm芯片工艺也预定于2022年实现量产。 外界人为台积电大量采购EUV光刻机，主要目的在于快速增加的满足客户订单。 外媒的报道显示，台积电3nm工艺准备了4波产能，其中首波产能中的大部分，将留给他们的大客户苹果。苹果是台积电的大客户。从2016年iPhone 7系列所搭载的A10芯片开始，苹果的A系列芯片就全部交由台积电独家代工。 今年6~8月期间还不断有消息称，受美国对华为“禁令”影响，联发科芯片需求暴增，紧急找台积电代工。预计2020Q1季度联发科订单量会达到1.2万片晶圆。不过消息未得到有关方面证实。 高通也据传向台积电追加了订单。 不过利好消息没有为台积电股价带来太大涨幅，9月29日台积电收涨1.13%报79.77美元。 而另一边，中国最大、全球营收排名第五的芯片制造商中芯国际(SMIC)料将迎来生产经营的困难时期。 9月27日，《金融时报》《华尔街日报》《纽约时报》以及路透社等多家外媒援引美国商务部9月25日的一封，称美国政府已对中芯国际实施出口限制，中芯国际的某些设备供应商现在必须申请出口许可证。 这一消息被视为美国加大“制裁”中芯国际的信号。如果“制裁”落地，势必对中芯国际的生产经营造成极大冲击。 根据美国商务部的进出口管理条例，使用美国技术和装备生产的的产品将受到管控。中芯国际作为芯片制造商将很难以获得生产所需的原材料和设备，同时，公司的芯片出口亦将需要获得美商务部的许可。 中芯国际早在两年前就已经向荷兰ASML公司购买了用于生产7nm芯片的光刻机，但由于美国的多次干预无法到货。中芯国际在这批光刻机上，前后共花费了1.2亿美元和2年时间。 “信函副本”的消息一出，随即带来了股市的震荡。周一上午中芯国际H股以17.16元低开，较上一交易日暴跌7.6%，成交额7200万元。但随后股价逐渐震荡拉升，跌幅以已收窄至4%;A股则以4%的跌幅低开，并在早盘末尾扩大至6%。 芯片行业乃至整个科技产业如今尤为敏感，市场担心中芯国际将会成为下一个华为。 但其他中国大陆芯片制造商，也在努力突破光刻机瓶颈。

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  • MEMS封装中会遇到的问题有哪些？

    为了适应MEMS技术的发展，人们开发了许多新的MEMS封装技术和工艺，如阳极键合，硅熔融键合、共晶键合等，已基本建立起自己的封装体系。 现在人们通常将MEMS封装分为四个层次：即裸片级封装(Die Level)、器件级封装(Device Level)、硅圆片级封装(Wafer Lever Packaging)、单芯片封装(Single Chip Packaging)和系统级封装(System on Packaging)。 但随着MEMS技术研究的深入和迅猛发展，以及MEMS器件本身所具有的多样性和复杂性，使得MEMS封装仍然面临着许多新的问题需要解决，如在硅圆片切割时，如何对微结构进行保护，防止硅粉尘破坏芯片;在微结构的释放过程中，如何防止运动部件与衬底发生粘连等;在器件封装中应力的释放，以及封装及接口的标准化等问题，此外还有封装性能的可靠性及可靠性评价问题等。 下面从MEMS封装的层次以及封装标准和封装的可靠性方面来阐述MEMS封装中所面临的一些问题。 1、裸片级封装(Die level) 裸片级封装通常是指钝化、隔离、键合和划片等工艺，其目的是为裸片的后续加工和使用提供保护。从硅圆片上分离裸片的常用方法是采用高速旋转的晶刚石刀片进行切割，在切割的同时，必须用高净化水对硅圆片表面进行冲洗。这种为集成电路开发的裸片切割方法对保护裸片上的关键电路不受硅粉尘的污染是非常有效的。硅片表面的水膜对集成芯片有很好的保护作用。 然而，由于MEMS比IC有更复杂的结构，如有腔体、运动部件以及更复杂的三维结构等，用这种裸片切割方法分离这些MEMS芯片，却因为水、硅粉尘的原因而很容易损坏或阻塞芯片的灵巧结构。为了防止MEMS芯片受损，必须在设计芯片阶段就开始考虑对芯片结构的保护。 裸芯片腔体封装是一种常用的方法。封装时有一个硅片基板裸片和一个硅“盖帽”裸片，先将MEMS芯片贴到基板裸片上，再将“盖帽”裸片键合到基板裸片上，从而形成一个密封腔体来保护MEMS器件。 钝化保护器件的方法也常用，这层保护层的厚度约为2-3μm。用有机保护层对芯片进行保护是很有效的，但存在的问题是有机物随着时间容易老化，典型的涂层是硅胶，硅胶 容易变干和变硬，这在许多应用中限制了它的有效寿命。 此外，将裸片与环境隔离的方法还有粘接工艺和键合工艺。粘接工艺主要使用环氧树脂、RTV、硅橡胶等粘接剂，环氧树脂用作粘接具有使用更简单，在固化时不要求升温，对冲击、振动能提供了很好的保护，具有价格优势等特点。 粘接方式的缺点是没有抗拉强度，易老化，而且不能做到密封，这在要求有可靠的机械强度和密封性能或者要求器件不受过强运动冲击的应用中是远远不能满足实际要求的。解决这一问题的方法是用键合工艺对裸片进行封装，键合工艺包括阳极键合、焊料焊接、硅熔融键合、玻璃粉键合及共晶键合等。 2、器件级封装(Device level) 器件级封装通常由MEMS器件、电源、信号调理和补偿、以及与系统的机械和电的接口等几部分组成。器件级封装旨在提高和确保器件的性能、减小尺寸和降低价格。与电子器件相比，MEMS接口更复杂、涉及的面更广。缺乏标准和标准化产品一直阻碍着MEMS的商业化。 器件封装连接的方法很多，包括环氧树脂或其它粘接方法、热熔方法(如电阻焊、回流焊)、芯片的互连包括引线键合、载带自动焊、倒装芯片技术等。尽管对特定的工作环境没有确切的定义，但要求在整个工作环境中，封装结构在机械强度、抵抗水压或空气压力的能力以及引线连接强度等方面必须是可靠的。 3、圆片级封装(Wafer Level) 在应用MEMS技术制造传感器过程中，人们一直努力想通过器件设计和制造工艺本身来减小MEMS封装所面临的挑战。

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  • MEMS封装的功能

    封装必须提供元器件与外部系统的接口。其根本目的在于以最小的尺寸和重量、最低的价格和尽可能简单的结构服务于具有特定功能的一组元器件。 MEMS封装的功能包括了微电子封装的功能部分，即原有的电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑和环境保护等外，还应增加一些特殊的功能和要求。 1)机械支撑：MEMS器件是一种易损器件，因此需要机械支撑来保护器件在运输、存储和工作时，避免热和机械冲击、振动、高的加速度、灰尘和其它物理损坏。另外对于某些特殊功能的器件需要有定位用的机械支撑点，如加速度传感器等。 2)环境隔离：环境隔离有两种功能，一种是仅仅用作机械隔离，即封装外壳仅仅起到保护MEMS器件不受到像跌落或者操作不当时受到机械损坏。另一种是气密和非气密保护，对可靠性要求十分严格的应用领域必须采用气密性保护封装，防止MEMS器件在环境中受到化学腐蚀和物理损坏。同时在制造和密封时要防止湿气可能被引进到封装腔内。对工作环境较好的应用领域可采用非气密封装。 3)提供与外界系统和媒质的接口：由于封装外壳是MEMS器件及系统与外界的主要接口，外壳必须能完成电源、电信号或射频信号与外界的电连接，同时大部分的MEMS芯片还要求提供与外界媒质的接口。 4)提供热的传输通道：对带有功率放大器、其它大信号电路和高集成度封装的MEMS器件，在封装设计时热的释放是一个应该认真对待的问题。封装外壳必须提供热量传递的通道。 由于MEMS的特殊性和复杂性，还由于MEMS种类繁多，封装的功能还要增加如下几点： 5)低应力。在MEMS器件中，用三维加工技术制造微米或纳米尺度的零件或部件，如悬臂梁、微镜、深槽、扇片等，精度高，但十分脆弱，因此MEMS封装应产生对器件最小的应力。 6)高真空度。这是MEMS器件的要求，以使可动部件具有活动性，并运动自如。因为在“真空”中，就可以大大减小甚至消除摩擦，既能减小能源消耗，又能达到长期、可靠地工作目标。 7)高气密性。一些MEMS器件，如陀螺仪，必须在稳定地气密性条件下方能可靠、长期地工作。严格地说，封装都是不气密的，所以只有用高气密性的封装来解决稳定的气密性问题。有的MEMS封装气密性要求达到1×10E-12Pa·m3/s。 8)高隔离度。MEMS的目标是把集成电路、微细加工元件和MEMS器件集成在一起形成微系统，完成信息的获取、传输、处理和执行等功能。MEMS常需要有高的隔离度，对MEMS射频开关更为重要。 9)特殊的封装环境与引出。某些MEMS器件的工作环境是液体、气体或透光的环境，MEMS封装必须构成稳定的环境，并能使液体、气体稳定流动，使光纤输入具有低损耗、高精度对位的特性等。

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  • 常用的MEMS封装形式

    MEMS封装形式与技术主要源于IC封装技术。 IC封装技术的发展历程和水平代表了整个封装技术(包括MEMS封装和光电子器件封装)的发展历程及水平。 目前在MEMS封装中比较常用的封装形式有无引线陶瓷芯片载体封装(LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier)、金属封装、金属陶瓷封装等，在IC封装中倍受青睐的球栅阵列封装(BGA-Ball Grid Array)、倒装芯片技术(FCT-Flip Chip Technology)、芯片尺寸封装(CSP-Chip Size Package)和多芯片模块封装(MCM-Multi-Chip Module)已经逐渐成为MEMS封装中的主流。 BGA封装的主要优点是它采用了面阵列端子封装、使它与QFP(四边扁平封装)相比，在相同端子情况下，增加了端子间距(1.00mm，1.27mm，1.50mm)，大大改善了组装性能，才使它得以发展和推广应用。 21世纪BGA将成为电路组件的主流基础结构。 从某种意义上讲，FCT是一种芯片级互连技术(其它互连技术还有引线键合、载带自动键合)，但是它由于具有高性能、高I/O数和低成本的特点，特别是其作为“裸芯片”的优势，已经广泛应用于各种MEMS封装中。 CSP的英文含义是封装尺寸与裸芯片相同或封装尺寸比裸芯片稍大。日本电子工业协会对CSP规定是芯片面积与封装尺寸面积之比大于80%。 CSP与BGA结构基本一样，只是锡球直径和球中心距缩小了、更薄了，这样在相同封装尺寸时可有更多的I/O数，使组装密度进一步提高，可以说CSP是缩小了的BGA。 在MCM封装中最常用的两种方法是高密度互连(High Density Interconnect简称HDI)和微芯片模块D型(Micro Chip Module D简称MCM-D)封装技术。 高密度互连(HDI)MEMS封装的特点是把芯片埋进衬底的空腔内，在芯片上部做出薄膜互连结构。 而微模块系统MCM-D封装是比较传统的封装形式，它的芯片位于衬底的顶部，芯片和衬底间的互连是通过引线键合实现。 HDI工艺对MEMS封装来说有很大的优越性。由于相对于引线键合来说使用了直接金属化，芯片互连仅产生很低的寄生电容和电感，工作频率可达1GHz以上。 HDI还可以扩展到三维封装，并且焊点可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修复的特性。

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  • 28nm 芯片产业链

    在芯片工艺中，5nm、10nm、14nm可能有点早了，但是28nm芯片值得我们关注。目前中芯国际，华虹半导体都能生产28nm芯片，现在最关键的是设备和材料端技术能不能跟上。 下面就是设备和材料中的15个细分行业的龙头公司： 第1个细分行业：硅片设备：这是芯片最基本的材料，晶盛机电是龙头，现在向切片、抛光、外延设备等拓展，还研发出了第三代碳化硅半导体设备。 第2个：热处理设备：北方华创是龙头，在半导体的硅刻蚀、薄膜沉积、清洗设备、第三代碳化硅半导体上优势明显。 第3个：光刻设备：包括光刻机和涂胶显影机，最先进的是上海微电子，明年就可以生产第一台中国的28nm国产光刻机，激动人心呀。另外就是茂莱光学，快上市了，在光学上做的很牛逼。在涂胶显影机领域，芯源微是行业龙头，已经销售 800余台机器，不要小看这800台呀。 第4个：刻蚀设备，这个当然是中微公司了，讲的很多，就不说了。 第5个：离子注入设备，就是将离子放到硅衬下面，也就是离子注入机，万业企业是龙头，它下面的凯世通，是顶级的投资公司投资的。 第6个：薄膜沉积设备：这个是北方华创，已经做到14nm的技术了。 第7个：抛光设备，就是把硅片的表面弄光滑，叫抛光机，这个龙头是华海清科，快上市了。 第8个：清洗设备：就是把芯片洗干净，盛美半导体是该领域的龙头，占80%市场份额，已经在美国纳斯达克指数上市了，很快也在国内上市。剩下的20%则由北方华创、芯源微和至纯科技三家瓜分。 第9个：检测设备：就是测试合格不?有探针卡测试、探针台测试和测试机，反正很多名堂，我真搞不清，龙头是赛腾股份，其实它是收购了日本的一个测试公司就成了老大。 第10个是硅片：这是最基本的材料，像泥土一样重要，说白了，就是沙子。龙头是沪硅产业，现在给中芯国际、台积电供应硅片，2022年12英寸大硅片产能能到60万片。其次是中环股份，体量较小。 第11个是：电子特种气体：就像血液和粮食一样，需要在芯片内循环，这就是特征气体。龙头老大是华特气体、南大光电。 第12个：光刻胶，光刻胶其实几台就够了，就是曝光技术，有人说比原子弹的技术还难，可以打破摩尔定律，反正我真不懂这个玩意。龙头是三家公司，北京科华、上海新阳、晶瑞股份，现在还不知道哪个是老大。 第13个：抛光材料，不是抛光设备。有抛光液、抛光垫，是配合抛光设备使用的，龙头是安集科技，已经干到7nm米技术了，连台积电都需要它的技术。 第14个：高纯湿电子化学品：这个名字真难记，其实就是芯片试剂，想想试验室的试剂，龙头是上海新阳，晶瑞股份。 第15个：靶材，好像是医药的名字，主要是在制造和封装中使用的，龙头企业是江丰电子，台积电已经用到它的7nm技术，5nm米技术也快要用到了。

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  • 台积电芯片研发超前，半导体工艺芯片蚀刻起重要作用

    据台媒透露，有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构，研发进度超前。根据台积电近年来整个先进制程的布局，业界估计，台积电2nm将在2023下半年推出，有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单，狠甩三星。 几十年来，半导体行业进步的背后存在着一条金科玉律，即摩尔定律。摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，集成电路上可容纳的元器件数目便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。 然而，在摩尔定律放缓甚至失效的今天，全球几大半导体公司依旧在拼命厮杀，希望率先拿下制造工艺布局的制高点。 台积电5nm已经量产，3nm预计2022年量产，2nm研发现已经取得重大突破! 由这个事情，想必大家肯定会联系到现在的华为，事实证明必须拥有自己的核心技艺才行，才不会处处被卡，才能不断发展进步创造更好价值。 俗话说的好，要想跑得快，先要把路走稳，也就是说，基础要打好，一栋高楼大厦，地基如果不扎实，恐怕5级风都会被吹塌。作为电路板、半导体最基础的蚀刻行业更是如此。 这里先简单给大家介绍一下何为蚀刻： 刻蚀(Etching)，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。 蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。 最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。 从工艺流程上，分为两种： 1、干法刻蚀：利用等离子体将不要的材料去除(亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法)。 2、湿法刻蚀：利用腐蚀性液体将不要的材料去除。 相较而言湿法刻蚀在相关产业的生产过程中应用比较普遍，在我们的日常生活中也随处可见例如：金属版画、指示标牌、电梯轿厢内的装饰板等等，湿法刻蚀在加工过程中主要采用两种方法： 一、曝光法：工程根据图形开出备料尺寸-材料准备-材料清洗-烘干→贴膜或涂布→烘干→曝光 → 显影 →烘干-蚀刻→脱膜→OK 二、网印法：开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→丝网印→蚀刻→脱膜→OK 以上两种工艺的流程在上产过程中都存在着工艺复杂，耗时费力的问题，而在其加工过程中所造成的环境污染问题更是严重制约着行业的发展，在强调节能减排的今天，如何能够做到既环保又可以提高生产效率成为了每一个蚀刻业者追求的目标。 蚀刻优版加工工艺的研发成功正是应市场所需，目的就是为了解决以上所提到的问题。 从此工艺上由繁变简，通过打印的方式，将抗蚀刻油墨直接打印在板材上，即打即热固，打印完成，立即蚀刻。这项技术为数码化生产提供了更多优化的方案。 蚀刻优版加工工艺对比上述工艺只需三步即可完成蚀刻前工作： 图文定稿、蚀刻掩膜打印、打印完成，立即蚀刻。蚀刻优版的广泛应用，必将促进国内蚀刻业的快速发展。

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  • 赛晶科技发布首款自研IGBT芯片

    IGBT应用非常广泛，渗透到工作生活的方方面面，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网、风电光伏等战略性产业，被形象地称为电力电子行业里的“CPU“。IGBT，学名称为“绝缘栅双极型晶体管” (Insulated Gate Bipolar Transistor)，是一种驱动功率小、饱和压降低的功率半导体，既然是半导体，与我们熟知的芯片一样，目前，我国在该领域仍存在“卡脖子”的现象。 正如某风电行业人士所言，过去两年来，新能源行业呈现一个井喷式、爆发式的增长，但整个产业链供应能力不足，例如叶片、滚动轴承、IGBT等，存在一定程度上的“短板”。 可喜的是，国内厂商已经在国产替代之路上迈开了步伐。 9月28日，港股上市的赛晶科技(580.HK)首发了自主研发的国产IGBT芯片及模块产品，引起了业内的广泛关注与热议。 一、国产替代已是大势所趋 上述人士表示，全球范围来看，许多行业都会应用到变流器，例如新能源产业、光伏产业、汽车产业等等，而IGBT芯片/模组则是变流器的核心器件。大概在十五年前，无论是变流器的厂商，还是IGBT芯片/模组均以进口为主。尽管后来变流器开始国产化，但核心器件IGBT仍是以进口为主，以德国、日本居多。 IGBT国产替代已是各相关产业的大势所趋，从全国各产业发展来看，对IGBT需求迫切。相关数据显示，虽然目前市场规模只有200多亿，但随着清洁能源、新能源汽车等的发展，未来市场规模将呈爆发式增长。 市场前景的广阔，也让国内众多厂商嗅到了商机。但在该领域，目前的市场份额基本被英飞凌、三菱、富士等国外巨头垄断。我们所处的现实是，中国功率半导体市场占世界市场的50%以上，却有超过90%的高档IGBT芯片依赖进口。 二、在此背景下，国产替代迫在眉睫。 由于IGBT并非一个暴利行业，属于“投资风险大、回报率相对较小的产业”，所以国产替代并非企业的单打独斗所能完成的，需要整个产业链的协同以及政策支持。 “IGBT产业的发展在接受政策扶持的同时，也需要产业链各个环节的‘包容’。IGBT产品在国产化进展中一定会存在问题，只有产业链各环节通力协作，才能帮助IGBT企业能够快速迭代产品，改进设计，用几年时间来提高成品率与良品率。”上述人士指出，在我国IGBT领域，做学术理论的人才居多，实践性的人才偏少，IGBT发展离不开产学研合作。目前国内市场上，IGBT主要是引用国际当下或过去几年的技术，如果我们要发展自身产业，就自然不能一直在引进别人的技术，我们需要科研院所在基础技术上进行突破，来支撑整个IGBT产业的健康发展。 赛晶电力电子董事会主席项颉也表达了类似观点：“首先，做IGBT需要很强的科研能力，包括科研人员的经验，这不是一时半刻就能有的，需要一群人经年累月的埋头研究。全世界的IGBT技术精英就那么数得着的几十个，集中前几的几家企业。换一句话说，IGBT不是有钱就能砸出来的!第二是我国IGBT产业起步晚，各方面的积累不够。国际上很多企业很早就开始做这个了，国内市场现在增速很快，但想要后来居上，需要一定时间。” 三、国内企业纷纷布局 随着新能源产业、电动汽车产业等多个产业链下游应用的快速发展，催生国产IGBT制造氛围，但留给国内厂商的时间已经不多。以国内光伏产业为例，中国已经走在世界的前列，可以称作中国的一张“靓丽名片”，但是在核心的电流转换器逆变器方面，仍与国际大厂存在差距，主要体现在功率半导体、集成电路等器件上仍是以进口为主，以德企、日企、美企等为代表。 特变电工西安电气科技有限公司总工程师周洪伟称，与国外企业相比，我国的IGBT产业还是具有一定差距的。政府对于IGBT国产化应用有很大力度的支持，可以看到国内许多厂商正在研发IGBT，而且有许多产业链终端用户也在支持国产IGBT产品。无论是政府、企业还是下游用户，都在推动IGBT国产替代进程。 与光伏行业类似，风电行业也存在市场规模大，核心器件“卡脖子”的现象。 天津瑞能电气技术部经理陈海彬亦称，目前困扰风电产业产业链国产化的难点还是集中在核心器件，例如芯片，功率半导体、高性能材料等等，其中IGBT是重中之重，需求迫切。 远景能源变流器电气总监温进表示，目前，光伏风电两个产业所运用的核心器件仍依赖国际厂商，例如德企与日企，存在市场垄断。因为垄断的特征，所以国内企业在核心器件的实际运用过程中，遇到的难题或产生的特殊需求并不能及时从国际企业那边得到解决与满足，由此，促进IGBT国产化，有助于这些现象迎刃而解。 比如在定制化方面，国际厂商所运用的技术是通用技术，是标准化的，并不专门针对某个行业，所以提供不了最优方案。但国内厂商随着在IGBT的深耕，形成长期积累与自己的市场判断，可以根据应用企业特定的使用场景做优化调整，或定制研发，以适应多元需求。譬如，一些风电项目有的时候会面临紧急交付的情况，若过度依赖外部企业，就容易出现“项目卡顿”的情况发生，我们自主研发或联合研发的IGBT产品就可以减少这一现象发生的可能。 “我们天津瑞能也会做一些IGBT的布局。从我们企业来讲，中车半导体、斯达半导体、赛晶半导体是平等的，因为我们会基于产品性能来择优储备。”陈海彬说，“对于赛晶科技年底发布的IGBT新品，它是建立在ABB半导体技术上的，我是很看好的。我认为，赛晶科技是一个很好的合作伙伴，而且我很希望赛晶科技可以将ABB在高压、直流输电方面的技术与经验延用、继承下来。”

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  • 你不知道的比亚迪半导体

    比亚迪自进入汽车行业以来，就定下了发展新能源汽车的战略。作为电动汽车的核心，芯片是一定要解决的问题。 比亚迪从2002年进入半导体领域，经过近20年努力，除了已经为人所熟知的IGBT、SiC功率器件之外，比亚迪半导体还在MCU(微控制单元)、AC-DC、保护IC等智能控制IC，嵌入式指纹识别芯片、CMOS图像传感器、电流电压传感器等智能传感器，以及光电半导体等领域取得显著成果。 比亚迪深耕半导体技术，打破国外企业垄断，实现了从工业消费级半导体产品技术，到车规级高效率、高智能、高集成半导体技术的跨越式发展，解决了汽车电动化、智能化进程中的关键技术问题。 IGBT4.0发布会活动现场 一、不断攻克智能化关键技术，32位车规级MCU率先国产化 MCU即微控制单元，是将CPU、存储器都集成在同一块芯片上，形成芯片级计算机，可为不同应用场景实施不同控制。随着汽车不断从电动化向智能化深度发展，MCU在汽车电子中的应用场景也不断丰富。作为汽车电子系统内部运算和处理的核心，MCU是实现汽车智能化的关键。在汽车应用中，从雨刷、车窗到座椅，从安全系统到车载娱乐系统，再到车身控制和引擎控制，几乎都离不开MCU芯片，汽车电子的每一项创新都要通过MCU的运算控制功能来实现。 据iSuppli报告显示，一辆汽车中所使用的半导体器件数量中，MCU芯片约占30%。在汽车向智能化演进过程中，对MCU的需求增长得越来越快。IC Insights预测，未来MCU出货量将持续上升，车规级MCU市场将在2020年接近460亿元，2025年将达700亿元，单位出货量将以11.1%复合增长率增长。MCU是行业战略高地，对汽车智能化发展有着决定性的作用。 比亚迪半导体从2007年就进入MCU领域，从工业级MCU开始，坚持性能与可靠性双重路线，现拥有工业级通用MCU芯片、工业级三合一MCU芯片、车规级触控MCU芯片、车规级通用MCU芯片以及电池管理MCU芯片，累计出货突破20亿颗。 结合多年工业级MCU的技术和制造实力，比亚迪半导体实现了从工业级MCU到车规级MCU的高难度跨级别业务延伸，在2018年成功推出第一代8位车规级MCU芯片，2019年推出第一代32位车规级MCU芯片，批量装载在比亚迪全系列车型上，已累计装车超500万颗，标志着中国在车规级MCU市场上实现了重大的突破。未来，比亚迪半导体还将推出应用范围更广、技术持续领先的车规级多核高性能MCU芯片。 比亚迪MCU芯片 二、功率半导体以IGBT和SiC为核心，逐步实现全产业链整合 2005年，比亚迪组建团队，开始研发IGBT(绝缘栅双极晶体管);2009年推出国内首款自主研发IGBT芯片，打破国外企业的技术垄断;2018年推出的IGBT 4.0芯片，成为国内中高端IGBT功率芯片新标杆。目前，以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆，单车行驶里程超过100万公里。 比亚迪半导体IGBT4.0晶圆 与此同时，比亚迪半导体对SiC的研发也从未停止。和IGBT相比，SiC生产的芯片尺寸更小、功率器件效率更高，耐温性也更高。作为新能源汽车下一代功率半导体器件核心，SiC MOSFET可使得电机驱动控制器体积减小60%以上，整车性能在现有基础上再提升10%。 今年7月上市的比亚迪旗舰车型"汉"，是国内首款批量搭载SiC 功率模块的车型。匹配这一电控系统的后电机，峰值扭矩350N m，峰值功率为200kW，SiC电控的综合效率高达97%以上，使整车的动力性、经济性表现非常出众。 三、光电半导体和智能传感器持续发展，多个细分市场占主导地位 除了MCU、IGBT和SiC，比亚迪还致力于光电半导体产品的研发与生产，不断拓展自主研发LED光源在汽车上的应用，现已实现可见光及不可见光产品全面覆盖。目前，比亚迪半导体的车规级LED光源累计装车超100万辆，在汽车前装市场上位居中国第一。 与此同时，比亚迪半导体在嵌入式指纹芯片、扫描传感器、CMOS图像传感器、电流电压传感器等智能传感器领域也发展迅速。 作为嵌入式指纹市场主流供应商，各类SENSOR方案月出货量超100万套，在中国智能门锁市场占有率第一。在嵌入式指纹市场，比亚迪半导体开创了多项全球第一，比如：第一家小面积算法嵌入式化;第一家推出大小面积融合算法，识别率超过99%，远超行业标准(95%);第一家推出完整嵌入式指纹解决方案，推出三合一锁控MCU，高度集成，大大缩短方案开发周期和开发成本。 比亚迪半导体高集成、三合一锁控MCU 在扫描传感器方面，比亚迪半导体打破了线性扫描传感器芯片由日本公司垄断的局面，扫描传感器芯片出货量位居中国第一，全球第二。 在图像传感器方面，比亚迪半导体由手机消费电子入手，逐步向车规级拓展，成功开发出了国内第一颗车规级BSI 1080P、960P图像传感器，正在继续探索和丰富图像传感器芯片在汽车领域的应用场景。 近年来，我国大力支持半导体产业发展，在家电、工业等领域已逐渐实现进口替代，在车规级半导体领域虽有突破，但仍处于弱势地位。 作为中国率先掌握车规级核心半导体器件的企业，比亚迪半导体正持续为客户提供领先的车规级半导体整体解决方案，致力于成为高效、智能、集成的新型半导体供应商。

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  • 被列入了美国“出口管制”的中芯，下一步如何走？

    9月26日，中芯被美国实施出口管制一事，继美国将华为加入禁令清单后，再次引起了业内的高度关注。加之月初，美国怀疑中芯国际有“涉军”嫌疑，威胁要加以制裁，之后中芯国际的声明与事态进展，中芯更是被推到风口浪尖。 一、“出口管制”和“实体清单”的区别。 虽然中芯和美国商务部都没有发表明确声明，但据芯谋研究掌握的信息，中芯被列入了美国“出口管制”关注的名单，并没有被列入“实体清单”!更确切地说，9月26日网上流传的那封信是美国商务部工业和安全局发给SIA(美国半导体行业协会)，然后再由SIA发给相关公司，目前美国相关公司也收到了此信。 因为是周末，很多细则还没有出来，相关企业也正在了解详细情况。即便中芯最终被确认实施“出口管制”，这与被列入“实体清单”仍有区别。若被列入“出口管制”，中芯的美国供应商在给中芯供货时需依照美国出口管制条例的EAR 744.21(b)申请特殊许可证。 如果涉军嫌疑被确认，中芯作为军事用户，军控清单里的物项就需要特别许可证。虽然手续麻烦了许多，但远不及被列入“实体清单”那么严重——“实体清单”提出的申请会被“推定拒绝”，而对军事用户或军事用途的审批过程虽会被拖延，但仍有被批准的可能——只不过在当前敏感的政治形势下，获得批准将会困难重重。 二、对中芯有哪些影响? 中芯一旦被实施出口管制，在当前敏感的政治形势下，后续获得批准的过程无疑崎岖坎坷。这将直接导致中芯购买来自美国和部分国际公司的设备材料以及备品备件时遇到阻碍，甚至有断货的可能;中芯与美国客户、部分国际客户的合作将会受到严重影响;同时中芯与美国和部分国际合作方的合作将会遇到阻碍。影响是全面的，严重的! 但美国的制裁会让中芯陷入绝境，甚至会停摆吗?答案显然是否定的。若美国对中芯进行制裁，会让中芯的业务大受影响，但不会让中芯停摆。首先是中芯是一家已经运营了20年，拥有成建制几十万片月产能的成套设备、成熟工艺、多种技术和多元化的供应商; 其次是华为事件后，中芯的忧患意识更加强烈，早已强化底线思维，对包括设备、备件、原材料、国际客户等上下游产业链都做了两手准备。比如原材料上储备充分;比如北美客户营收占比大幅降低，国内客户营收比例提升;现在中芯已在国内科创板上市，目前拥有超过千亿人民币的现金，为过冬和持久战作好了全面的后勤保障。 三、怎样看中芯的声明? 自媒体时代，纷纭众声。中芯声明一发，有说中芯“跪了”，有说中芯“软弱”，甚至有说中芯是技术买办。还有的公众号里面号称企业要捆绑爱国情怀，发出以上实体清单为荣的这种辞令，甚至说“生的光荣、死的伟大”这种词句。这其中不乏一些“图一时口舌之快、逞一时嘴炮之能”的键盘侠。看到网上一些不解现状、不懂行业、不知差距的“看热闹不嫌事大”的言论，不禁胸中气苦、愤从中来。 作为产业人，必须要有深刻、清醒、理智、全面的定力。我不想举韩信的故事，更想把《赵氏孤儿》中公孙杵臼与程婴这段话与大家分享：公孙杵臼曰：“立孤与死孰难?”程婴曰：“死易，立孤难耳。”公孙杵臼曰：“赵氏先君遇子厚，子强为其难者，吾为其易者，请先死。”......杵臼谬曰：“小人哉程婴!昔下宫之难不能死，与我谋匿赵氏孤儿，今又卖我。纵不能立，而忍卖之乎!”抱儿呼曰：“天乎天乎!赵氏孤儿何罪?请活之，独杀杵臼可也。”诸将不许，遂杀杵臼与孤儿。 公孙杵臼，视死如归，为忠义不惜性命，为目的敢抛头颅。这种精神千百年来激励着我们，也让我们深受感动。但几千年前的先人尚且知道“死易活难”。死了一了百了，落个“忠义慷慨”的千秋美名，而活着却要忍辱负重，还要背负自责压力、养教之苦，程婴甚至背负着卖友求荣的一世骂名!这在重视名声、追求青史留名的古代更为不易。 公孙杵臼的慷慨赴死是为了活，死是手段，活是目的，他的“先死”让我们感动的不能仅仅是忠义与牺牲，更应有大局与智慧;程婴的委曲求活、忍辱负重才让公孙杵臼的死有意义。飞蛾扑火精神可嘉，但灰烬过去，没有一点光华留下。而忍辱负重者，方能扛起责任和历史!活着，才有希望!几千年前如此，当下亦如此! 回到半导体，中国几千家芯片设计公司，多数在中芯生产，在全球产能都极其紧张的当下，如果中芯“慷慨赴死”，那中国几千家公司很难拿到产能，这样中国的设计产业会遭到致命打击;更进一步，国产设备材料的发展，更不可能指望国际公司进行初始验证。 某种意义上中芯既担负着为国内设计公司提供产能的重任，又担负着支持国产设备材料验证的使命，这不仅是中芯的实力决定，更是半导体产业中制造业的产业规律使然。 网络自媒体里面不负责任的轻巧话儿好说，键盘侠、打嘴炮容易，但这对中国半导体发展有意义吗?中芯固然可以选择玉石俱焚，但为了中国产业的大局，几百家设备材料公司、几千家设计公司更需要中芯坚强地活着! 四、怎样看中国半导体的现状? 1、半导体，我的国目前还不厉害 过去互联网上过多的“厉害了我的国” 的言论，过多的“填补空白，实现赶超”的喜讯，让不少人甚至某些领导产生了我们半导体飞速发展、大干快成的错觉。华为事件、科创板等又让中国的半导体成为媒体关注的重点。网上很多关于芯片的文章为对中国半导体产业不了解的人所写，里面有不少妄自尊大的言辞，自我吹捧的宣扬。 实际上作为后进者，中国的半导体产业是落后很多、差距很大的，在这个领域，我的国目前并不厉害。 2、半导体产业美国从政治和技术上都有很强的主控、领先、主导权 本来集成电路就是美国发明主导的，美国对半导体的主导权始于过去，始终掌控在手中，领导权依然稳固如初。因为游戏规则都是他们定的，原创技术是他们发明的，以至于很多非美国的知名企业也受制于美国。在冲突中，我们看到了不少非美公司的犹豫和为难，这不仅仅是地缘政治上受限于美国，更是因为技术上也受制于美国。 很无奈，但是这就是现实。 3、即使是已经独立自主的产业，当寻根朔源时依然摆脱不了依赖 有些专家把自己说的很强，给了人民群众认为中国半导体在不少关键方向已经独立自主的错觉，但可惜真相并非如此。中兴华为事件后，之前被誉为取得重大突破、填补空白的设计产业却并不能解决芯片问题;海思事件后，国内的制造业也依然无法为海思生产，并不能解决制造问题;同样如果中国制造被制裁后，国内的设备材料公司能解决问题吗?和平立项时的慷慨激昂和战争立功时的无可奈何，就是这么矛盾却和谐地出现在中国半导体产业每一个环节中。 比如我们现在寄予厚望的设备产业，其实中国设备产业的产值在全球设备市场的占比不到2%!同时国内不少设备企业的关键部件也是国际供应商甚至不少美国技术，而不少设备材料企业的核心团队往往是美国国籍。如果真的中芯有难，他们同样会遇到中芯今天的难题。 中芯之事，对中国半导体产业有着巨大的影响!但遗憾的是目前并未引起更高的重视，反而网络上一片指责谩骂的声音。在自媒体时代，舆论的多元化是正常的。但不谴是非，以与世俗处。我们希望专家学者、领导政要、产业各界能充分意识到上面三点，能理解中国半导体产业、理解中芯面临的艰苦处境，不为各种浮躁的声音所干扰! 我们更呼吁，要给予中芯足够的耐心和支持，给予安静的发展环境。指责谩骂于事无补，言论攻讦无济于事，我们应该要多些换位理解，多些切身体会。更要理解低头需要勇气，忍辱负重更难!只有度过黑暗，才能见到光明，只有好好地活下去，才能为中国产业做出更大的贡献。 五、中国芯，如何做? 自力更生、做全产业链可能是一种方案，但这需要建立在更有耐心、更长时间、更加专业等众多成功要素基础上，这不是解决当下问题的最优选择。 或许华为这样以一己之力对抗美国制裁的做法，让我们感受到了中国技术的实力和昂扬的士气。但华为毕竟是独一无二的，我们需要华为这种提升斗志、正面作战的企业，但同时我们也需要更多迂回斡旋、砥砺前行的非华为企业。 或许政府业界对中芯寄予了很高的期望，或许人民群众期待中芯和华为一样“正面硬抗”美国。但中芯更加依赖全球性的供应和技术，而且即使强大如华为，在全球一体化大背景下，在当下美国掌握半导体主导权的背景下，也在与美国积极沟通，希望长期合作。这不是软弱，更不无能，而是务实之举，也是“留得青山在、不愁没柴烧”的中国智慧。 弯道和曲折虽然让我们多走了几步路， 但它会让我们走得更远。没有任何大江大河能直线前往，因为只有曲折迂回才能通往大海!同样通往星辰大海的芯路也会曲折反复，甚至折回!但唯如此，才能不畏山阻道长，才能行则将至。 要解决眼前的芯片难题，我们要么跳出芯片看芯片，在国家这个更大的范畴中和更高的全局中考虑芯片的定位;要么务实分析我们的产业长短板。现阶段我们芯片产业最强的两段，一个是资本、一个是市场，要充分利用好这两个长板。金融上扩大开放、产业上结合市场扩大纵深。 如果能在金融和市场开放上做更大文章，与众多国际优秀企业探讨在新的形势下，通过资本开放、金融开放、市场开放，以开放促合作，以合作求发展，共同寻找新时期的合作模式。 在这非常之时机，半导体产业作为非常之产业，要有进入准战时状态的思维，而作为产业中流砥柱的代工业更应该居安思危，以变应变。芯谋研究很早就提出了产业三线的观点：大力扶持现有量产企业积极扩产，新增相关主体，战术上为中国半导体产业的发展提供更多产能支撑，战略上为持续增强中国半导体产业生态安全提供保障。 对中芯来说，积极沟通，争取以时间换空间;而国内适度增加新的主体，布局产业三线，则是以空间换时间。 在这敏感的时代、敏感的产业，一个分析师往往很难判断产业的全局走向，同样一个企业也很难在政治过度干预的当下，做出令各方满意的决策。中芯不易，中国芯更难! 河流，无形无态，能奔流、能缓行、能弯曲、能冲击，但初心不改，目标始终是大海。我们希望中国资本的热情，可以转化为推动产业发展壮大的动力，我们也希望整个产业同仁可以风雨同舟，携手并进，砥砺前行，共同筑起产业大厦的牢固根基。

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  • 中芯国际持续发力，日本半导体设备对华出口额飙升

    科技领先意味着国家发展的主导权，而芯片国产化就是我国把半导体行业十分重要的关键点。近日，中科院宣布：将光刻机等半导体制造环节当中的重要设备和材料，列入重点研究范围。由此可见，如今我国对于芯片科技领域的重视，可以说是进一步地提升了。 而提到中国芯片领域的巨头，中芯国际无疑是大众认知度较广的一家企业。在这个特殊的时期之内，其也肩负了中国芯崛起的重担。 据悉，如今中芯国际正在不断加大在半导体制造设备上的投资，以期能够扩大自身的产能，推动芯片国产化的进程。 在中芯国际持续发力的情况之下，作为世界范围内的半导体设备出口大国，日本因此也是得到了很多的利益。根据9月28日的最新报道显示，在今年的8月份当中，该国的半导体设备对华出口额，出现了大幅飙升的局面。 众所周知，由于卫生事件的影响和冲击，在今年伊始的一段时间内，我国有着许多产业都陷入了停工的状态当中，芯片也不例外。然而随着复工复产的推进，中国芯的发展也是迸发出了崭新的活力，且以中芯国际为代表的一众中国芯片制造商，也是加大了自身的研发力度。 在这种情况下，在今年的第二季度当中，中国时隔3个月，再次成为了日本半导体设备的最大出口市场。 此外，在8月份当中，双方在半导体设备的贸易方面，更是出现了进一步的增长。根据相关数据显示，8月日本对华销售的半导体制造设备的销售额，出现了同比17.3%的暴涨，销售额达到了1884亿日元(折合人民币约122亿元)。 毫无疑问，在此局面的背后，中芯国际等一众推动芯片国产化的中企，对此起到了主要的拉动作用。 目前来看，我国在NAND型闪存，以及半导体代工领域的设备投资，均是维持在一个较高的水平之上。值得一提的是，在此之前，日本半导体设备在中国市场内的最大买家，却并不是这些中国芯片国企，而是三星等在华的外企。 而如今这个情况发生了改变，更是进一步地显示出了我国现阶段对于芯片国产化的重视以及决心。在我国境内，目前半导体厂商的数量也是处于增长当中，这对相关投资也是存在着拉动作用。 看到这一局面，美方却是着急了。要知道在此之前，美方的半导体设备制造公司，在中国市场内可是占据了大量的份额的。然而由于其自身的相关限制，却是使得双方的合作不得不中止。而日本的半导体设备制造商，却是趁着这个大好计划，进一步扩大了在华市场的影响力。 对于美方的相关企业而言，这无疑是十分不利的。毫无疑问，若是没有着禁令相关的限制，该国的半导体制造商在现如今这个时期内，可以从中国市场内获取相当之大的利润，然而如今却是不得不拱手让人。 此前国际半导体产业协会的总裁，就曾对美方的政府喊话，表示受其做出的限制影响，该国在芯片制造设备的出口上，每年的损失预计将高达200亿美元(折合人民币约1365亿元)之多。 综上所述，对于我国而言，推动芯片国产化的进程是势在必行的事，而中芯国际等一众芯片产业，也是处于不断发力的阶段当中。

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  • SENSORCHINA：传感器盛宴重磅来袭

    自2012年开始，我国的传感器技术与产业进入到飞快发展阶段，目前中国已经形成了较为完整的传感器产业链，并且呈现出多元化的发展趋势。2019年我国的传感器市场规模已突破2000亿元，相关数据预计2021年将达近3000亿元。 2020十年开局之年，疫情侵袭、零件涨价、资金链紧缺让不少传感器企业面临严峻挑战。在此背景下，9月23日至25日，亚洲传感器盛会SENSORCHINA风雨不改，在上海跨国采购会展中心成功举办。作为见证中国传感器产业迸发新机、凝聚传感器核心力量与提供交流对接机会的专业展会平台，SENSORCHINA带着它的超强实力传感器企业重磅来袭。 今年SENSORCHINA以“我们制造联接”为主题，致力于联接产业链上下游、联接技术与资本、联接供需双方，联接智慧未来。15+论坛、350+展商、15000+观众汇聚于此，见证传感器盛会的再次腾飞，汇聚不少技术超群的传感器企业同台竞技，互相交流，给大家呈现了一场技术、商业和思想的传感器盛宴。 一、巨头强势助攻，传感器应用协同创新 在本次SENSORCHINA的展会，不仅汇聚了芯片设计、各类型传感器、工业等低调的传感器企业，携黑科技产品与技术吸粉无数，更有传感器行业的精英人士紧密交流达成合作意识，引爆了智能家居、智能工业、智能医疗、智能交通、智能安防多个领域，用丰富的展品缤纷为观众所呈现多场景多品类的传感器产品解决方案，在无形中助推了中国传感器企业打造科研创新的综合硬实力。 在展会现场，慧聪电子网有幸采访到了来自传感器以及芯片等领域的企业，其中包括了 无锡芯感智半导体有限公司、苏州纳芯微电子股份有限公司、微传智能科技(常州)有限公司、艾知传感器(上海)有限公司4家代表企业的高层精英，在展会现场与我们的记者共话产业大势，直击传感新世界，接下来，让我们聚焦这次展会传感器厂商们的发展愿景与想法。 二、无锡芯感智:稳步增长,借时借势全力突破 无锡芯感智半导体有限公司 得益于国内市场的需求增大，我国已涌现了一批优秀、潜力巨头的MEMS传感器厂商。比如成立于2010年的无锡芯感智，作为国际知名的MEMS传感器研发与生产的“标杆”企业，对标以霍尼韦尔为代表的国际厂商，产品涉及医疗、汽车、工业等多个领域。 疫情期间，红外传感器产品市场一度火爆。在产品供应链保障方面，无锡芯感智总经理刘同庆直言道：“作为无锡唯一一家专注额温枪、监护仪等医疗设备芯片设计的企业，我们秉承着打造“无锡造”的理念，在4月底以自身硬核实力组建封测厂，疫情也没有阻止我们保障对于MEMS压力传感器的持续产出，从芯片设计、封装、测试、整机模组各方面都是严格达到国家标准工艺水准。” 据调查，无锡芯感智生产的红外传感器成为国内红外传感器产品跻身国际水平的经典范例，在今年好评如潮。SENSORCHINA2020上，无锡芯感智带来了包括工业和高端医疗器械上的传感器解决方案，而谈及未来传感器市场的发展规划时，刘同庆表示无锡芯感智将会继续拓展布局，未来两年保持60%的增长力，源源不断带给合作客户优质的产品体验，助力客户更好将产品推出市场。 三、纳芯微电子:紧握机遇，打响国产替代漂亮一枪 苏州纳芯微电子股份有限公司 信息化时代下，新技术革命的到来让传感器成为了人向外界获取信息的“电五官”，其中传感器在协助推动经济发展与技术进步上发挥了重要作用。在传感器这条赛道上，中国虽然起步较晚，但在近几年仍不乏出现作出亮眼成绩的国产企业。 作为国内知名的信号链芯片及其解决方案提供商，纳芯微电子聚焦了传感器与数字隔离两大产品方向，专注于数模混合信号链芯片的设计与开发，产品覆盖了汽车、工业、消费电子以及家电等领域。本次展会纳芯微电子重磅带来了两款压轴产品，分别是一款是带气嘴DIP8封装的MEMS集成表压传感器NSPGD1，一颗最新发布的车规级LIN总线接口传感器信号调理芯片NSA(C)9262，现场吸引了不少观众围观询问。 此外，今年5G基站的激增，其背后也蕴含了无限商机，其中首当其冲的便是隔离芯片领域。对于持续投入研发的国产IC企业——纳芯微电子，凭借其独特优势和丰富经验在领跑国内市场，在缩短与国际厂商的差距。纳芯微电子市场副总裁/传感器产品线总监高洪连在采访中表示，未来数字隔离领域也还是纳芯微重点布局的方向之一。 近年来中美贸易摩擦不断，其中通信行业成为了众矢之的，是较早出现在国产替代话题里的关键词，在这场科技竞争中，纳芯微电子紧抓5G与国产替代机遇，以首批在国内市场上实现规模批量出货的供应商打响了国产替代漂亮一枪，通过提供高品质、宽覆盖的产品，不断丰富产品组合，来满足合作客户对于高可靠性、高质量、高性能的多方需求。 四、微传科技:坚持创新，助力企业摆脱进口标签 微传智能科技(常州)有限公司 在世界传感器市场上，中国传感器产业在赛道上十余年奋力奔跑，目前已经处于由传统型向新型传感器发展的关键阶段，不久传感器技术的发展将会扫清边缘科学研发的障碍，世界各国在暗地里相互较劲，国内也诞生了一批优质的MEMS传感器厂商，其中微传科技被业界称为“磁与MEMS运动传感器的弄潮儿”，以拥有自主的AMR技术、可靠的核心算法及应用方案，稳定的生产质量和供应链管控等核心优势，在MEMS市场占据一定部分的市场份额。 这几年来，随着国家新基建战略的进一步实施和部署，传感器市场规模正在逐步呈现高速增长态势，这也将促进传感器技术的突破和创新发展，为传感器在新时代的价值创造提供千载难逢的机会。微传智能科技销售经理朱一鸣在针对国产市场方面回答到，虽然国内传感器主要都是依附于国外进口，但也越来越不能忽略国内智能磁传感器领域已经在持续突破，国内企业想要掌握一定的市场决策能力，更需要以硬核磁传感器核心技术为底气，这一点微传科技在市场需求、客户应用服务端有着本土优势。 此外，朱一鸣表示，传感器作为优质重要的信息和数据来源，传感器厂商必须保证在万物互联时代真正到来之际，能提供人工智能进行源源不断的数据来供应机器学习。此外，微传科技也在这一趋势下稳扎稳打，不断加大研发投入，加速集成电路与传感器融合，加持AI算法提高产品性能，努力制造出更加优秀国产磁传感器，助理传感器市场摆脱对于进口的依赖。 五、艾知传感器:磨刀不误砍柴工，市场大有可为 艾知传感器(上海)有限公司 在人们日常的生活中，一个必不可少的核心小器件总是围绕在身边，默默发挥着重要的作用，却又常常被忽略，那就是传感器——一个重要的信息获取装置，它与信息传输技术、计算机技术是信息技术的主要组成部分。在众多品类的传感器产品中，作为特种元器件之一的气体传感器，在近年来也因为涉及物理、化学、生物、等多个学科的安全问题而备受海内外国家重视。 目前我国的气体传感器发展趋势正猛，在微型化与智能化等方面也已小有成就，以艾知传感器SGX为例子，它是一家总部位于瑞士的气体传感器企业，主要关注人类生命安全与环境保护上的产品应用，如助力客户研发保护易燃易爆、有毒有害气体的相关产品。艾知传感器SGX亚太区副总经理查仲方在采访中，更是直接调侃到艾知传感器SGX像是一家学术派的企业，因为公司也是密切关注全球范围内危险性气体法律法规的发布情况，以及相关产品的研发进度。 在进一步的采访中，我们了解到艾知传感器SGX是一家历经60年的老牌气体传感器厂商，坐拥多个MEMS技术专利产品，以强大的研发团队与先进研发技术为有力支撑。在汽车领域其产品国内年销量能达到200万+，市场占有率50%以上，对标客户的多样需求进行定制化生产服务。 “磨刀不误砍柴工”，查仲方谈及国内传感器研发状态表示，艾知传感器SGX认为无论是从国家层面还是从行业技术的研发层面，都需要顺应发展趋势，给自己一个逐步发力增长的时间，艾知传感器SGX是非常看好中国市场的，在国产替代方面也在加强布局，靶向性地针对关注的市场进行产品开发，制造出更多优秀的气体传感器产品。 总而言之，未来万物互联将会是下游场景应用定义和驱动芯片设计的时代，中国传感器厂商也将会迎来弯道超车的良好机遇，坚持产品应用与科技创新才是实质的取胜之道。

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  • 台积电可为苹果代工7400万颗A14处理器

    台积电的5nm工艺，在今年一季度就已投产，为苹果等客户代工最新的处理器：A14处理器。 在最新的报道中，媒体表示台积电可能无法完成苹果要求的数量，他们今年最多只能生产7400万颗，未完成部分将推迟到明年。如果在今年最多只能代工7400万颗A14处理器，那苹果今年可供应的iPhone 12，就将低于7400万部。 此外，在9月16日凌晨1点开始的发布会上，苹果新推出的iPad Air，搭载的也是A14处理器，这也会导致可用于iPhone 12系列的处理器减少。 从苹果方面公布的消息来看，A14处理器采用5nm制程工艺，集成118亿个晶体管，采用6核中央处理器和4核图形处理器，性能和能效较上一代均有提升，拥有苹果设计的新一代16核神经网络引擎，每秒可处理11万亿次运算。 此外，在5nm工艺大规模投产之后，台积电将投产的下一代重大芯片制程工艺，就将是3nm，目前正在按计划推进，计划在2021年开始风险试产。 据悉，台积电3nm工艺准备了4波产能，其中首波产能中的大部分，将留给他们的大客户苹果。 台积电目前正在按计划推进3nm工艺在2022年下半年大规模投产，设定的产能是每月5.5万片晶圆。 但知情人士也透露，5.5万片是投产初期的月产能，随后就将逐步提升，2023年的月产能将提升到10万片晶圆。 有消息人士透露，华为交付给台积电的订单是1500万颗，由于生产时间受限，订单并未全部完成，最终只有880万颗。

    半导体 台积电 3nm 苹果处理器

  • 台积电3nm工艺的后三波产能将被高通、英特尔等厂商预定

    台积电已经全面投入生产5纳米单芯片平台和处理器，而台积电的3nm工艺正在按计划推进。并且如消息人士所言，明年将开始使用3 nm工艺技术试制单芯片系统。 虽然3nm工艺还未投产，但外媒已在关注台积电这一先进工艺的产能。 外媒在报道中表示，台积电3nm工艺准备了4波产能，其中首波产能中的大部分，将留给他们多年的大客户苹果。 而在最新的报道中，外媒也提到的了台积电3nm工艺的后三波产能，外媒表示，这三波产能将被高通、英特尔、赛灵思、英伟达、AMD等厂商预订。 外媒此前也曾有提及台积电3nm工艺的产能，在大规模投产之后，台积电设定的产能是每月5.5万片晶圆，随后逐步提升，在2023年提高到每月10万片晶圆。 在最近两个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家都曾有谈到3nm工艺，他透露同5nm工艺相比，3nm工艺将使芯片的晶体管密度提升70%，速度提升10%-15%，能效提升25%-30%。 台积电均未透露3nm工艺是否会有第二代，他们的7nm工艺有两代，今年投产的5nm工艺，也将研发第二代。

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