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  • 台湾首例 戏智网上募款 开发手机

    　网络募款做手机，APP软件业者戏智科技领先开出台湾第一枪。戏智在网络募款网站上推出Project S，强打超高分辨率大屏幕、防水、8核心处理器、LTE等高规格，但售价仅299美元，开「募」4天已获得超过1.3万美元的支持。不过网络募款成功例子少、失败例子多，戏智能否在两个月内募得500万美元的目标并一战成名，还有待观察。最近一两年来，国外许多新创公司因为苦无资金，透过网络向公众募款来筹措硬件制造所需资金，还能顺便赚到免费宣传。先前网络公开募款最成功的案例之一，就是主打Instagram应用程序拍照效果的实体相机Socialmatic，不仅募到资金还募到立可拍相机大厂宝利莱的投资，首款产品明年第1季就正是问世。但网络募资失败者比成功者更多，近期最有名的失败案例，就属Ubuntu操作系统开发商Canonical的高阶智能型手机Ubuntu Edge募款计画。虽然Canonical短短1个月内就募得高达1,280多万美元、已是该募款网站成立以来最高募资金额产品，但在时间截止前距离目标3,000万美元仍有很大一段距离，只能黯然退还所有资金。而日前软件业者戏智科技则是国内首家采用这类模式的公司，上周四戏智透过网络募资网站Indiegogo宣布名为Project S的智能型手机，采用联发科8核心平台以及目前业界尚无人采用的超高阶5.8寸WQHD屏幕，并支持防水、LTE、无线充电、内建32GB储存空间与3GB ROM、1,600万画素主相机，机身双面均为强化玻璃，单机建议售价为299美元。戏智预计用高阶规格、平实售价，在60天内募集500万美元，截至昨日晚间为止，4天内吸引约43人下单订购，共募得1.3万余美元。戏智科技成立于2008年，最初是以APP的游戏研发为主，但因为发现APP与硬件产品的配合无法融和到完美，因此兴起跨足硬件的想法。戏智在2012年时，投入平板脑的制造和开发。迄今，至今研发三款平板计算机、其中两款已上市。戏智首款产品Photon，售价不到两万，却拥有市价4、5万元产品的价值，该款产品还获得微软评监大赏，产品销售定位则是走B2B市场，锁定电信及大型通路商为客户，第二款产品为搭载Android的MiSS平板计算机，成功销售到大陆、美国、日本及西班牙。

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  • 突破旧思维 穿戴装置要靠奇招制胜

    　科技大厂忙找新动能，加上重量级业者Google、苹果竞相投入，吸引大家一窝蜂研发，让穿戴式装置踢下平板，成为明年CES最大亮点。不过，厂商端出的产品是否真能让人发出「Wow」的惊叹声，还是像三星推出一个急就章的Galaxy Gear手表？值得业者三思。IEK专案经理侯钧元指出，这波追逐潮流的过程中，业者很容易犯了一个熟悉的错误，就是把旧思维放进新产品，如大陆业者开发出一款穿戴式PC，要价高达人民币9,800元，有一个头戴式屏幕，随身携带蓝牙联机的鼠标与键盘，配合使用，试问谁愿意买？另外，三星抢先在苹果推出智能手表，是一种以手机为主机、手表为配件的概念，但消费者为什么需要用超小屏幕的手表，打电话、收Email？这不是现有手机就能做到的事吗？因此市场果然没有太大回响。重点来了，就是「不该把行动装置给穿戴化，而是应该把穿戴的东西变智能化」。目前只有华硕强调，自家研发的穿戴产品会是独立运行，看似比较符合「把穿戴的东西变智能化」的研发概念。另外，宏碁也在研究穿戴装置，但强调如果不能端出具特色产品，就不会贸然抢快，否则市场只是多了一个阵亡的产品，这席话点出业者的难题，大家都想抢商机，但个个没把握。侯钧元建议，台湾厂商研发穿戴装置时，可从增进人体机能的角度思考，包括五官、四肢跟感受，而关键在于软件跟人机接口，但却也是台湾业者最弱的。因此台湾业者如何加强软件、UI设计，以及突破现有产品的框架？恐怕才有机会真正吃到穿戴商机大饼。

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  • 明年CES 4热点：3D打印 智能健身 感测 无人驾驶车

    2014美国消费电子展（CES）将在2个月后登场，美国消费电子协会（CEA）处长John T. Kelly指出，明年CES重头戏落在四大话题，分别是3D打印、智能健身、感测技术以及无人驾驶车等；目前最红的穿戴式装置，就是结合智能健康、感测技术。CES是全球消费电子产业风向球，华硕已率先宣布，明年在CES有盛大活动，将发表新平板及纯手机；往年代工厂大老如广达董事长林百里、仁宝总经理陈瑞聪等，也会飞到美国看趋势，并拜会客户、争取订单。由于电子产业焦点从NB转向行动装置或是穿戴式装置，John T. Kelly接受本报专访时表示，明年CES展重头戏会在3D打印、智能健身、感测技术、无人驾驶车。根据CES于7月所做的调查，过去12个月，有33％的人会用手机或平板追踪健康，有27％是使用智能手机追踪，因此行动装置与健身、健康的集成是趋势之一，从穿戴式装置到太阳能充电，都是商机。另外，谷歌（Google）已在加州测试无人驾驶车，John T. Kelly指出，目前虽仍有多面向要克服，包括各地法规、保险等，但对科技无疑是一大革新，CES的参展商将着重在车内的技术，包括镜头、感测等技术。他也预估，2013年「美国」消费电子产品市场规模约2,026亿美元，约与2012年持平，不过2014年将年增4.5％至2,117亿美元。明年CES主题演讲大咖云集，包括英特尔今年5月新上任执行长Brian Krzanich、索尼执行长平井一夫、思科执行长John Chambers。微软先前宣布不再参加CES，但明年将重返，以承租会议室方式向伙伴互动。John T. Kelly指出，2014年CES约有3,200家参展厂商，其中台湾有175家，台湾及亚洲市场在科技产业的重要性高，是CES主要族群，包括大陆、台湾、日本、韩国都是前几大参展国。

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  • 中端手机 热战5寸四核

    5寸屏幕、四核心处理器第4季以来，已成为中阶智能手机主流规格，近来包括索尼、LG、华为都已推出「5寸四核」的中阶手机，外传宏达电（2498）也将推出5寸4核的Desire 700。近来电信业者对高阶手机补贴下降，中低阶手机占比逐渐攀高，手机业者表示，1.5万元以上的中高阶机种，原占市场的五成左右，近来已降到35%到40%；反观1万到1.5万元的中阶机种，已从12%提高到25%，几乎是倍数成长，因此吸引业者纷纷投入。

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  • 不忘软件本业 微软台湾总座扮店员推销Win

    微软冲刺硬件之余，也不忘为既有软件本业造势，台湾微软总经理蔡恩全昨（17）日现身灿坤3C内湖旗舰店，担任一日店员，向消费者面对面介绍全新Windows的各种功能，以刺激买气。台湾微软上周五（15日）起至今天止，大动作为Windows软件造势， 总共动员逾200人，前进灿坤3C与法雅客分店，由微软员工化身Windows一日店员，亲自向消费者推广Windows。身为台湾微软最高主管的蔡恩全，全昨天更是亲自上阵，现身灿坤3C内湖旗舰店担任一日店员，与消费者第一线面对面接触。台湾微软这次活动收到实质买气效果，通路商粗估，前两天的活动，灿坤3C和法雅客门市卖出超过500台Windows计算机。蔡恩全表示，这次台湾微软除了介绍全新 Windows 的各种功能，也将微软和OEM伙伴打造的Windows装置推荐给消费者。

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  • 微软下一代游戏机 开始设计

    微软新一代游戏机Xbox One本周才刚要上市，下一代游戏机已开始规划设计，供应链透露，感受到微软在硬件的企图心，且是「火力全开」，有些微软的专案甚至保密到家。供应链认为，微软将是明年电子业成长重要的推手。一家公司董事长说：「微软最近有好多新产品都在跟我们联系。」但这些供应厂看不到产品的应用，只能用猜的，因为「微软是刻意地保密」。

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  • 大陆面板厂狂倒货 官方撑腰

    台湾面板厂除面临韩国三星、LGD两大厂技术优势威胁之外，近期更面临大陆厂商强势崛起压力，尤其大陆业者有官方撑腰，扩产「毫不手软」，更是导致市场供过于求的最关键原因。大陆官方全力砸钱扶植面板业，由政府主导，加上进口至大陆的面板关税，之前由3%调高到5%，未来可能进一步调至8%，甚至是10%，这对长期处于低毛利的面板厂来说，恐是雪上加霜。相较于台湾业者盖新厂房，要自己想办法筹资，大陆厂商盖厂，几乎可称为「全民运动」，包括银行团、地方政府等，都会想办法帮忙，资金压力比台湾小得多。举例而言，京东方重庆8.5代厂总投资金额为人民币328 亿元（约新台币1,607亿元），其中人民币131亿元（约新台币642亿元）、相当于总投资额的三分之一以上为银行贷款，剩下的人民币197亿元（约新台币965亿元）为登记资本。大陆积极建造8.5代面板厂，使大陆正向全球的LCD产能大国迈进，预估2015年第4 季，大陆与韩国将拿下全球85%的8.5代线的产能，不利台湾面板业。

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  • 面板双虎 明年要还千亿债

    群创、友达未来一年内合计需偿还逾千亿元债务，资金需求大。由于面板供过于求压力未解、业者无力在资本市场找新资金，市场传出，友达董事长李焜耀日前拜访行政院经建会主委管中闵，希望国发基金协助；群创则尚无动作。图／经济日报提供法人指出，过去DRAM厂也曾因市况低迷、业者基本面欠佳，寻求国发基金金援，遭到外界强力反弹，认为「业者狂亏、却要全民埋单」，最后不了了之，并使得茂德、力晶等大厂退出市场。面板厂已转亏为盈，但仍是「赚小钱、赔大钱」，要国发基金出钱，势必再度掀起外界一番唇枪舌战，阻力不小。管中闵证实曾与李焜耀见面，但无法透露内容。友达高层说，公司资金状况健康，李焜耀拜会管中闵是例行性的拜访，勿过度联想。市场人士分析，面板双虎偿债压力不小，资金需求大，可能是李焜耀寻求管中闵的原因之一。根据最新资料，友达一年内到期的长短期负债约568亿元，群创明年则有450亿元债务到期，两家公司合计需偿还1,018亿元债务。友达指出，目前现金约有700亿元，银行长短期可动拨的联贷额度约400亿元，基本上财务无虞。群创则说，明年的折旧摊提可回冲570亿元，足以支应偿债需求，正积极与债权银行团协商，朝解除债务协商目标努力。市场认为，尽管双虎都说手中现金流量足以支应偿债，但面板市况仍供过于求，要靠公司在资本市场自行发债或发行现金增资等方式，引进新资金筹备新投资或技术升级难度不小，因此才会找上政府机构，希望引进新资金活水。另一方面，近期大陆面板业大量开出产能，友达积极前往大陆昆山设8.5代厂，希望藉此提高竞争力，但一座8.5代厂投资规模达1,200亿元，友达若要启动昆山厂计画，势必要对外找钱，在多数资金需还债、又无法在资本市场引进资金活水下，李焜耀可能因此找管中闵帮忙。友达今年资本支出已经降到230亿元，主要支应研发及新技术为主，大规模的扩厂计画则暂时喊卡，而友达目前的财务状况仍足以应付未来需求。外界推测，若李焜耀希望国发基金注资，可能与计划启动昆山8.5代厂有关。

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  • 敦泰胡正大:弃台积稳定工作开启创业路

    敦泰董事长胡正大(右二)触控IC大厂F-敦泰(5280-TW)风光回台挂牌，挂牌首日一度成为IC设计股后，最新缴出的第 3 季财报，获利表现也亮眼，前 3 季EPS达25.16元，成为IC设计最新获利王；而谈到敦泰董事长胡正大的创业动机，他指出，过去曾在IBM与台积电这些令人称羡的公司工作过，但最后决定出来创业，是因自己的个性是喜欢做具挑战性的工作，甚至可以放手一搏，在这股动机牵引下，开启了他的创业路。胡正大过去任职过IBM、工研院，之后又转任台积电担任研发与行销副总等职务，这些工作到现在来看都令人称羡，也能有稳定的职业生涯及收入待遇，不过胡正大认为，这些工作确实很不错，可是稳定的状态下，也可预见自己30年后的样子。他指出，并非稳定的工作不好，只是自己的个性喜欢做具挑战的事情，他当时思考过，若一直在这些公司待到现在，到现在确实会有很好的待遇与工作上的职位，不过他看了IBM Research Center里老教授的样子，认为那并不是他30年后想要过的生活，因此毅然决定离开稳定的职场，出来自己打拼创业。胡正大指出，他的个性喜欢挑战，喜欢做可以放手一搏的事情，这股动机推动他出来创业，同时当时的大环境也允许他冒险，就是小孩已大学毕业，家里并没有太大的负担，让他有空间挑战创业风险，因此在2005年就辞去台积电的工作，成立了敦泰。而敦泰近年搭上中国大陆智慧型手机商机热潮，营运表现亮眼，随着回台挂牌募资，未来产业的挑战更为艰钜，是否想过接班的事情，他则是强调，并不看好家传事业的发展，企业还是维持专业经理人制度比较好，目前他的 2 个小孩，一个念理工、另一个则是念法律相关，未来并不会将公司交给小孩管理，相反他则鼓励孩子能追求自己的一片天。而谈到兴趣，胡正大表示大概就是“工作”，除此之外，大学时曾是田径与橄榄球校队的他也很喜欢跑步，也曾参加过路跑竞赛。敦泰产品专攻触控IC与驱动IC，成立在2005年，2006年在新竹与深圳成立子公司，近年在北京与上海增设技术服务中心，资本额约5.34亿元，敦泰目前在中国大陆智慧型手机触控IC市占率达 5 成以上，客户涵盖中国大陆与国际品牌厂，今年积极进军平板与笔电领域，胡正大认为，虽然笔电市场萎缩，不过加入平板计算后整个大饼持续增加，将是敦泰未来的成长动能。除既有触控IC外，敦泰今年也将积极拓展整合驱动与触控功能的IC产品，瞄准Incell面板商机，他认为，虽然目前Incell面板良率仍未拉升，但敦泰产品已经就绪，就等量产时间。

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  • SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻渐成趋势

    通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成分所占比例就越大。目前，SiC基片的厚度以350μm为主流，超薄产品也要达到230μm左右。为了进一步减薄厚度，许多大型SiC功率元件厂商都在致力于相关研发。比如，罗姆通过研磨等工序将SiC基片减薄至50μm，并用其试制出了耐压700V的SiC肖特基势垒二极管（SBD）。在SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日举行）上，该公司比较了该试制SBD与原来利用230μm厚的基片制造的相同耐压的SBD的导通电阻值。50μm产品的导通电阻为0.22mΩcm2，减小到了230μm产品的0.48mΩcm2的一半以下。三菱电机也利用90μm厚的SiC基片试制了耐压1.2kV的SiC SBD。该公司在ICSCRM 2013发表了相关成果，虽未公布具体的导通电阻值，但与使用约300μm厚的基片制造的相同耐压的SBD相比，导通电阻减小了0.4mΩcm2。另外，英飞凌也在致力于利用薄型SiC基片的SiC二极管的研发。该公司在2013年5月举行的功率半导体国际学会“ISPSD 2013”（日本电气学会主办）上发表了将基片减薄至110μm的耐压650V的SiC二极管。（记者：根津 祯，《日经电子》）

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  • SiC基片结晶质量提高，6英寸微管密度降至0.01个/平方厘米

    制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐（Cree）在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在SiC国际学会“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日于日本宫崎县举行）上发表的内容来看，截至2013年，功率元件用6英寸产品的微管密度在1个/cm2以下，平均水平为0.5个/cm2左右，较好时可达到0.01个/cm2。据估算，采用这种高品质6英寸基片制作10mm见方的功率元件时，合格率高达98.7％。 科锐以直径为4英寸的基片为例，展示了其基底面位错（BPD）的密度。据科锐介绍，4英寸基片的基底面位错密度为56个/cm2。在基片内17％的范围里，基底面位错为0个，在78％的范围里不到5个。 据悉，在基底面位错密度为56个/cm2的4英寸基片上层叠厚度为60μm的外延层时，基底面位错的密度会降至2个/cm2。 另外，与原来相比，还可以减少功率元件用SiC基片的贯通螺旋位错（TSD）密度。以前裸基片和外延基片（层叠外延层的基片）的贯通螺旋位错密度分别为955个/cm2和837个/cm2，现在分降至447个/cm2和429个/cm2，减少了约一半。 不仅是功率元件用SiC基片，科锐还在从事LED用和高频元件用SiC基片业务。LED用基片方面，6英寸产品的结晶缺陷密度在2010年为8个/cm2，到2013年已经低于2个/cm2。 高频元件用基片方面，6英寸产品的微管密度目前为0.14个/cm2。这个水平在制作7mm见方的高频元件时可实现96.3％的成品率。（记者：根津 祯，《日经电子》）

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  • 尔必达前社长：曾与优秀的技术人员一道梦想成为世界第一

    坂本幸雄统率日本唯一一家DRAM厂商——尔必达存储器走过了近11年的历程，其自上而下的经营方式一直备受关注。尔必达最终于2012年2月破产，作为“让尔必达倒闭的人”，坂本饱尝了落魄苦涩，现在距离那时已经过去一年零九个月。如今，美光科技（Micron Technology）收购尔必达的手续已经完成，卸下破产管理人的重任而退职的坂本在想些什么呢？坂本回顾了在尔必达走过的11年历程。（采访人：大下 淳一，木村 雅秀，日经BP半导体调查） ——2002年11月就任社长时，尔必达是一个市场份额不到2％的弱小企业。当时打算首先从哪方面着手开展工作？ 主要有两个方面。一是作为公司要有明确的战略。在我加入之前，尔必达没有坚定不移的经营战略，一直都是事到临头才临时做决定。当时想首先改变这种状况。 于是我提出了致力于移动DRAM的战略。我们与韩国企业在经营资源上存在巨大差距，就算采取同样的措施也不会获胜，因此打算凭借移动DRAM来竞争，这种产品可以发挥我们一直擅长的低功耗技术优势。企业的战略要通过5～6年的时间才能出成效。因为怀着这种想法，所以在个人电脑用DRAM行情还很好的时候，我们就十分注重开发移动DRAM新产品。 尽管比预想的多花了一年左右的时间，尔必达乘着移动DRAM市场的东风现在脱胎换骨成了非常健康的公司。2013财年一季度（4～6月）获得了近400亿日元的盈利，利润率为DRAM行业最高。破产之后，员工们比以往任何时候都更加努力。 另一个重要方面是一把手要身先士卒。一般来说，社长给人的印象是，早上到办公室后先边喝茶边看报纸，然后再哗啦哗啦地翻杂志。我到公司后会马上查看电子邮件，如果需要回复，就会尽快写回信。我没有很多大企业都有的豪华社长办公室。我不需要这样的环境。 ——是否实际感受到过这种“坂本式”经营风格已被员工接受？ 员工也希望经营者能够明确表明自己的看法。担任社长一年之后，我就切实地感受到，员工开始发挥自己的实力了。我也在德州仪器及联华电子等外资企业工作过，日本技术人员的优秀程度在全世界都是有目共睹的。DRAM的新一代技术需要提高多少性能？如果采用Wide I/O技术，应该使耗电量降低多少？日本技术人员站在中长远的角度将这些市场需求反映到产品性能中的能力，总是让人赞叹不已。 不过，如果员工没有干劲，这种能力也无法发挥出来。因此，我总是将最大限度地挖掘员工潜力牢记在心头。比如，我发给员工的邮件肯定会加上“Be the World's No.1”这样的话。很多尔必达员工都有过日本在DRAM领域位居世界第一的辉煌时代的体验。我发出“以世界第一为目标”的呼吁，确实刺激了他们的自尊心。我自己也坚信，既然要做，就要以世界第一为目标，否则就没有意义。 ——后来，尔必达的市场份额顺利提高，到2008年已经逼近20％。但在2008年的雷曼危机后形势急转直下，2009年6月尔必达决定接受日本政策投资银行（以下称政投行）的300亿日元的出资。 现在回想起来，300亿日元资金应该是太少了。如果当时出资规模提高至1000亿日元，现金流就会相当轻松，之后的情况也会大不一样。只要政府投资，就无法避免向一家企业投入税金的指责，所以也就没有必要在出资额上斤斤计较。如果当时能够获得大额资金并扩大公司的规模，金融机构也就不会让尔必达破产了。 我认为失败之处不只有融资这一点。在个人电脑用DRAM的行情不断恶化的形势下，我们还可以选择将业务集中到移动DRAM的道路。从现金流的角度考虑，后者的选择更为明智。但要执行这一方案，必须进行较大规模的裁员。在不断失去资金、业务规模日益缩小的情况下，我们对进一步缩小规模表现得犹豫不决。当然，就是现在也不清楚哪种选择就是正确的。至少当时未能摆脱“不能再让份额下滑”这种思维的束缚。 ——2011年的日元升值是雪上加霜，2012年2月27日尔必达申请破产。当时公司内部发生了什么事情？ 当时，尔必达的债务只有1100亿日元。资产负债表很健康，估计日本也没有财务状況如此好的公司申请破产的先例。 关于1100亿日元的债务，最初有希望从日本政策投资银行或企业的主管银行进行再融资（借新债还旧债）。但2011年12月形势突然恶化，日本政策投资银行突然提出了两大融资条件，一个是增资2000亿日元，另一个是以闪存厂商为主，与大型企业合并，期限设在2012年2月底。日本政策投资银行要求增资2000亿日元，而我们本来就是因为增资困难，才必须进行再借债的。 即便如此，为了想方设法与其他公司合并，我每周都飞往海外。这种谈判没法一开始就声明“要和你结婚”，只能尽最大努力扩大选择范围。但这种谈判方式在日本政策投资银行眼中却成了“坂本说的话总在变”，也许是我解释得不够充分。 2012年2月3日，我们与美光之间确立了经营合并框架。但就在同一天，该公司CEO史蒂夫·阿普尔顿（Steve Appleton）却遭遇空难去世了。这导致谈判又回到了初始状态。除了中国的投资公司之外，我们还将台湾及阿布扎比的代工企业等作为候选，在2月27日之前探索了多种可能性，但结果都不顺利。 ——听说您与已故的阿普尔顿是老朋友。 我1990年代末期在神户制钢所工作时，在向美光出售存储器业务的谈判中认识了阿普尔顿。因为他提出了无理的条件，所以我们发生了争执。当时觉得他是一个非常强硬的谈判对手。 我到尔必达工作之后，两人之间就“单打独斗无法战胜韩国企业”达成了共识。2008～2009年尔必达提出了与多家台湾DRAM厂商建立大联盟的构想，期间与美光就经营合并进行了磋商。但双方在台湾生产基地的产量分配问题上存在分歧，最终未能达成协议。 尔必达破产后，我们选择美光作为赞助企业，与接替阿普尔顿职务的马克·德肯（Mark Durcan）一同推进了经营合并。德肯尽最大努力接受了我们的要求，包括不解雇尔必达的员工以及让工厂继续生产等。尽管我们的财务状況已经相当恶化，但对方仍表示“希望早日合并”。 后来我们也打听了对方默默接受我方要求的原因，好像阿普尔顿曾严厉地对美光的高管说过，“坂本非常强硬，不要把他变成我们的谈判对手”。8月底收购手续顺利完成之后，我去了一趟阿普尔顿在美国的墓地。在炎炎烈日下，在心里和他说了很多话。 [!--empirenews.page--]——现在想对尔必达的员工说些什么？ 虽然与异国公司一同经营会存在困难，但希望能够建立起员工之间相互尊重的关系。一定要实现我未能完成的“成为世界第一大存储器解决方案公司”的梦想。 可能员工感激我的只有一点，那就是没有解雇他们。我在这一行业任职40多年，从来没有解雇过员工。半导体是每家企业都使用相同的制造装置和设计工具来竞争的行业。为什么竞争力会出现差别呢？原因就在于人的差别。如果进行重组裁员，首先辞职的肯定会是优秀人才，留下的员工也会失去工作积极性。从公司的前景考虑，解雇员工是非常重大的事情。 值得庆幸的是，从尔必达卸任之后，我接到了包括海外企业在内的多家公司的邀请。今后打算在几家公司担任顾问。因为不再从事有经营责任的工作，所以终于从巨大压力之中解放出来了。我希望能够在日本和海外之间发挥桥梁作用，对曾经关照过我的人给予哪怕一点点回报。如果呆在家里无所事事，老婆也会生气的。 采访后记 熟悉尔必达内部情况的人士说：“从好的角度来说，该公司的高管充分利用了坂本的性格。”周围的人会将新产品开发进度等信息详细地告诉坂本，坂本则会根据这些信息迅速果断地作出经营决策。可以说这就是“尔必达方式”。坂本在财报发布会等公开场合总是显得信心十足。问其原因，他回答说，“若是连身为经营者的我都缺乏信心，那就一切都完了”，这句话给人留下了印象的深刻。（记者：大下淳一，日经BP半导体调查）

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  • 中国大陆50个金矿城市大公开

    台湾相对中国大陆的软优势，只剩下5年；这不是一刀划下去、就此断生死的大预言，却是《商业周刊》采访团队探访大陆10余个城市，近40家台商，大家异口同声给出的答案。 采访团队在天津，看到一家开业两个月余的高档饭店，一下暴雨却四处漏水；在合肥，国际五星级酒店的浴室玻璃爆裂，服务员淡淡的回以“发生机率大概1％吧”；在西安兵马俑景区，门票新台币750元，女厕却连门锁都没有……。 这些看似“小地方”的大关键，此时此刻，还是台商的优势。 过去，台湾就代表高档 会说台语、有台胞证，就是票房保证 然而在上海，中国最大的国有连锁书店──新华书店，2012年推倒了一排排呆板陈列的书架，改成雅致的阅读空间，犹如身在台北诚品，背后操刀的台湾团队与商场里众多的台商，正在教导他们服务的理念。而我们在内陆省会接触的餐饮、娱乐业店长们，也有出人意表的客气与热忱，他们学会了豪华气派之外，再增加了细腻、人情味，不再是大老粗。吸纳全球各产业的精华多年，中国大陆已不可同日而语。 一亮“台湾”招牌，就代表高档、精致的形象，渐渐不再那么鲜明。沈阳施华洛婚纱总经理李绿丰说，2000年之前，“中国婚纱业几乎都是台湾人的天下，只要你有台胞证、会说台语，你就是时尚大师。”但这个优势因为中国的快速学习，加上不少台商质量不到位、跑路而打坏名声，2004年后优势慢慢消失了。 “中国服务业，我估计（台湾人）5年后没办法进来，进不来了！那时台湾到底还有什么优势？”沈阳欢唱娱乐副董事长蔡百彦说，一个门坎是成本压力，一个是水土不服，每个城市的文化有很大差异。然而，这当中还是有“稳赚”的行业；我们在沈阳、东莞、西安、合肥、郑州......各地，都看到教育是门好生意，尤其是少儿英语补习班、以及幼儿园到中学一体的国际学校这两类。台商因为国际观、教育理念的优势，仍可在内陆省会打造最高端的教育品牌，让权贵子弟们抢破头入学，也是各地台商最想积极投入的产业之一。 现在，只剩5年机会 中国梦快醒了，台商优势正急速归零 如果这是台湾实现“中国梦”的最后黄金5年，仍要做好心理准备：未来三年，店租金可能比现在提高一倍，5年后的员工工资，可能也会增加五成。 准备多少银弹，当然跟创业规模有关，但如果是90间包房的KTV，大概需要新台币1.25亿元；如果是在郑州开百货公司，装修费用是新台币2.5万元/m2，这是16年前的10倍。 若以餐厅为例，内陆省会城市的薪资只有上海的八折，也可能有前两年免租金、超低价土地的优惠，在贵州、吉林这些与沿海差距仍大的省分，“台商”仍是招商政绩的重要指针，享有贵宾级待遇。 各方资金淹没内陆 KTV一开破百家，连周杰伦都来了 残酷的是，现在不仅是台湾服务业抢进中国的最后黄金5年，也是老台商“升级”的关键战役，他们赚过先机财，但现在各方资金也涌向内陆省会，竞争正升温。西安好乐迪KTV2000年成立时，周遭只有三个竞争者，现在以两公里为半径画圆，就有一百家KTV，装修一家比一家新潮，连周杰伦2012年初都来开店、加入战局。 20年前，松茂集团董事长孙芳山在西安，开了全陕西省第一家肯德基（KFC）快餐店，当时可是不得了的大事情，大批好奇人们排队购买；直到现在，陕西安康店业绩还是全中国前三名。 这让孙芳山把重心从沿海的制鞋业转成西安的服务业，餐饮品牌一路增加到九个，横跨冰淇淋、甜甜圈、日本料理等等，分店也从陕西一路向西到上海；还在西安古城闹区拥有一家平价旅馆，以及独特的冷链物流事业，2012年营收新台币25亿元，被券商认定是回台上市柜的黑马。 在这里，战局越来越激烈 内需人脉像美梦，但处处是陷阱 中国内需、多角化业务、深厚人脉......，一切看似美好，然而，2012年第四季松茂竟然出现亏损，2013年仍无法获利。代理的美国三一冰淇淋与甜甜圈（Dunkin Donuts）是亏损主因，三年就亏掉了人民币两亿元。沿海房租暴涨，暴露过去太多品牌所导致的管理松散，“江苏、浙江、上海开了上百家店，5年内房租涨了3倍以上，营收还是60万元，怎么做？”孙芳山大叹。 甜甜圈不符合中国的饮食文化，保鲜时间只有8小时、投资也大；三一冰淇淋则是品牌知名度远不如总部大打广告的哈根达斯（Hagen Dazs），门店装潢的时尚感也比不上，只靠孙芳山在陕西打品牌，“你知道广告费多贵？在陕西，每天晚上三一冰淇淋播15秒，一个月人民币60万元就没了。” 松茂集团执行长廖时和说，2013年将大举裁撤浙江、江苏等上百个门市，关店成本多达新台币上亿，接下来将全线退守陕西省，重新汇整资源再战。不过模式将不再以开店为主，而是增加稽核与管理力道，改以开放当地加盟，并藉由集团可达零下60度的“冷链”物流优势，当起盘商、经营大宗物资贸易，力拚2014年获利、2015年营收翻倍。 态度，还是制胜关键 经营精神像庙公，才赚得到商机 抢进中国服务业黄金五年，最关键的，仍是“态度”。沈阳施华洛的现址，原本是另一位台商开的婚纱店，但经营态度被戏称是“总干事”，久久才来巡视一次，只想靠玩乐交际的政商关系走快捷方式，最后不堪亏损才转让给施华洛。李绿丰则自嘲是“庙公”，从早到晚守着店，不到一年，月营收就比前东家翻了5倍。 河南丹尼斯百货董事长王任生每天工作12个小时，紧紧抓住“采购”与“工程发包”两条钱脉，而他的常胜，来自于时时居安思危，“不忘记环境艰困时的创业态度，不管在哪个新城市，都有好机会”。 如果，此刻你怀有中国梦，新城市将是比上海、北京更可能实现梦想的地方，把握这黄金5年，在大开放的新赛局中，台湾现在仍有梦想的立足点，机会稍纵即逝，战局只会越来越激烈。（撰文：王毓雯，商業周刊） 【小资料】这些二、三线城市，都还有隐藏版金矿——中国潜力消费城市50强 1 区域：华东 城市： 所属省分：安徽 人口(万)：226 08-12年经济平均成长率：14.8% 2012年人均GDP（人民币）：48,766 2 区域：华东 城市：台州 所属省分：浙江 人口(万)：597 08-12年经济平均成长率：8.6% 2012年人均GDP（人民币）：49,536 3 区域：华北 城市：威海 所属省分：山东 人口(万)：280 08-12年经济平均成长率：10.8% 2012年人均GDP（人民币）：83,352 [!--empirenews.page--]4 区域：华南 城市：佛山 所属省分：广东 人口(万)：719 08-12年经济平均成长率：11.6% 2012年人均GDP（人民币）：92,781 5 区域：华东 城市：温州 所属省分：浙江 人口(万)：915 08-12年经济平均成长率：7.6% 2012年人均GDP（人民币）：39,865 6 区域：华北 城市：包头 所属省分：内蒙古自治区 人口(万)：273 08-12年经济平均成长率：16.1% 2012年人均GDP（人民币）：126,606 7 区域：华中 城市：岳阳 所属省分：湖南 人口(万)：548 08-12年经济平均成长率：13.1% 2012年人均GDP（人民币）：40,106 8 区域：华东 城市：苏州 所属省分：江苏 人口(万)：1046 08-12年经济平均成长率：11.5% 2012年人均GDP（人民币）：114,193 9 区域：西北 城市：兰州 所属省分：甘肃 人口(万)：361 08-12年经济平均成长率：12.5% 2012年人均GDP（人民币）：43,261 10 区域：华东 城市：湖州 所属省分：浙江 人口(万)：289 08-12年经济平均成长率：10.2% 2012年人均GDP（人民币）：56,626 11 区域：华北 城市：淄博 所属省分：山东 人口(万)：453 08-12年经济平均成长率：11.8% 2012年人均GDP（人民币）：74,526 12 区域：西南 城市：成都 所属省分：四川 人口(万)：1404 08-12年经济平均成长率：12.6% 2012年人均GDP（人民币）：57,842 13 区域：华北 城市：东营 所属省分：山东 人口(万)：204 08-12年经济平均成长率：12.9% 2012年人均GDP（人民币）：147,431 14 区域：东北 城市：长春 所属省分：吉林 人口(万)：487 08-12年经济平均成长率：14.3% 2012年人均GDP（人民币）：58,703 15 区域：华中 城市：洛阳 所属省分：河南 人口(万)：659 08-12年经济平均成长率：12.2% 2012年人均GDP（人民币）：45,699 16 区域：华南 城市：惠州 所属省分：广东 人口(万)：463 08-12年经济平均成长率：12.1% 2012年人均GDP（人民币）：51,106 17 区域：东北 城市：大庆 所属省分：黑龙江 人口(万)：290 08-12年经济平均成长率：11.2% 2012年人均GDP（人民币）：142,961 18 区域：华中 城市：株洲 所属省分：湖南 人口(万)：385 08-12年经济平均成长率：12.6% 2012年人均GDP（人民币）：44,746 19 区域：华东 城市：无锡 所属省分：江苏 人口(万)：643 08-12年经济平均成长率：11.2% 2012年人均GDP（人民币）：117,660 20 区域：华南 城市：珠海 所属省分：广东 人口(万)：158 08-12年经济平均成长率：8.0% 2012年人均GDP（人民币）：95,931 21 区域：华北 城市：太原 所属省分：山西 人口(万)：426 08-12年经济平均成长率：9.3% 2012年人均GDP（人民币）：54,574 22 区域：华东 城市：泉州 所属省分：福建 人口(万)：812 08-12年经济平均成长率：13.1% 2012年人均GDP（人民币）：57,570 23 区域：华中 城市：湘潭 所属省分：湖南 人口(万)：274 08-12年经济平均成长率：13.1% 2012年人均GDP（人民币）：46,386 24 区域：华北 城市：鄂尔多斯 内蒙古自治区 人口(万)：200 08-12年经济平均成长率：18.2% 2012年人均GDP（人民币）：183,089 25 区域：西北 城市：西安 所属省分：陕西 人口(万)：846 08-12年经济平均成长率：13.7% 2012年人均GDP（人民币）：51,323 26 区域：华南 城市：中山 所属省分：广东 人口(万)：312 08-12年经济平均成长率：10.8% 2012年人均GDP（人民币）：77,886 27 区域：华东 城市：杭州 所属省分：浙江 人口(万)：870 08-12年经济平均成长率：10.0% 2012年人均GDP（人民币）：88,661 28 区域：华北 城市：济南 属省分：山东 人口(万)：681 08-12年经济平均成长率：11.3% 2012年人均GDP（人民币）：69,900 29 区域：西南 城市：贵阳 所属省分：贵州 人口(万)：445 08-12年经济平均成长率：14.5% 2012年人均GDP（人民币）：39,317 30 区域：华东 城市：金华 所属省分：浙江 人口(万)：540 08-12年经济平均成长率：10.4% 2012年人均GDP（人民币）：49,790 31 区域：华东 城市：宁波 所属省分：浙江 人口(万)：764 08-12年经济平均成长率：9.0% 2012年人均GDP（人民币）：85,223 32 区域：华北 城市：呼和浩特 所属省分：内蒙古自治区 人口(万)：294 08-12年经济平均成长率：14.8% 2012年人均GDP（人民币）：86,734 33 区域：华东 城市：常州 所属省分：江苏 人口(万)：468 08-12年经济平均成长率：12.0% 2012年人均GDP（人民币）：80,035 34 区域：华南 城市：柳州 所属省分：广西壮族自治区 人口(万)：375 08-12年经济平均成长率：12.9% 2012年人均GDP（人民币）：47,311 35 区域：华东 城市：绍兴 所属省分：浙江 人口(万)：491 08-12年经济平均成长率：9.4% 2012年人均GDP（人民币）：71,220 36 区域：华东 城市：南昌 所属省分：江西 人口(万)：513 08-12年经济平均成长率：13.8% 2012年人均GDP（人民币）：58,961 37 区域：华南 城市：东莞 所属省分：广东 人口(万)：822 08-12年经济平均成长率：10.1% 2012年人均GDP（人民币）：60,694 38 区域：华东 城市：南京 所属省分：江苏 人口(万)：816 08-12年经济平均成长率：12.1% 2012年人均GDP（人民币）：88,809 39 区域：华中 城市：武汉 所属省分：湖北 人口(万)：1012 08-12年经济平均成长率：13.6% 2012年人均GDP（人民币）：79,878 40 区域：华中 城市：郑州 所属省分：河南 人口(万)：862 08-12年经济平均成长率：12.1% 2012年人均GDP（人民币）：62,628 41 区域：华北 城市：泰安 所属省分：山东 人口(万)：550 08-12年经济平均成长率：12.1% 2012年人均GDP（人民币）：46,358 42 区域：华北 城市：济宁 所属省分：山东 人口(万)：808 08-12年经济平均成长率：12.1% 2012年人均GDP（人民币）：39,463 43 区域：华东 城市：镇江 所属省分：江苏 人口(万)：313 08-12年经济平均成长率：12.8% 2012年人均GDP（人民币）：83,912 44 区域：华北 城市：潍坊 所属省分：山东 人口(万)：909 08-12年经济平均成长率：11.9% 2012年人均GDP（人民币）：43,826 [!--empirenews.page--]45 区域：华北 城市：石家庄 所属省分：河北 人口(万)：1038 08-12年经济平均成长率：10.7% 2012年人均GDP（人民币）：43,777 46 区域：华东 城市：厦门 所属省分：福建 人口(万)：353 08-12年经济平均成长率：11.6% 2012年人均GDP（人民币）：78,035 47 区域：华南 城市：三亚 所属省分：海南 人口(万)：56 08-12年经济平均成长率：13.1% 2012年人均GDP（人民币）：56,889 48 区域：华南 城市：江门 所属省分：广东 人口(万)：444 08-12年经济平均成长率：9.5% 2012年人均GDP（人民币）：42,870 49 区域：西北 城市：乌鲁木齐 所属省分：新疆维吾尔自治区 人口(万)：335 08-12年经济平均成长率：16.2% 2012年人均GDP（人民币）：61,493 50 区域：东北 城市：营口 所属省分：辽宁 人口(万)：246 08-12年经济平均成长率：15.6% 2012年人均GDP（人民币）：56,886 注：人口统计以常住人口为主，数据以第6次中国人口普查或政府最新公告为准。 数据源：福布斯《中国城市竞争力报告》 整理：萧胜鸿

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  • R&S/耕興攜手升級LTE測試驗證能量

    羅德史瓦茲(R&S)與耕興攜手於耕興位於韓國及台灣林口華亞實驗室，成功的建置LTE FDD R8及R9的一致性認證測試系統(R&S TS8980)，提供各種行動裝置的製造商根據GCF及PTCRB法規完成行動裝置及模組的射頻(RF)及無線資源管理(RRM)的驗證，並預計明年初開始提供手機、平板電腦及各種無線網通產品的測試及認證服務。近年來LTE蓬勃發展，許多國家的LTE網路營運已完成商轉並正式營運，因此帶動各大手機業者積極發表LTE手機搶市，電腦業者亦不示弱地推出多款內含LTE行動通訊模組的平板電腦及無線網通新產品搶攻商機；有鑑於此，耕興於2013年第四季完成所有LTE測試驗證服務能量的升級，與市場潮流快速銜接並提供行動通訊測試認證服務。耕興累積近30年長期深耕於專業的產品測試與驗證服務，為國內最具規模且深受信賴的電磁相容/安全(EMC/Safety)專業認證實驗室；除獲得台灣主管機關BSMI、NCC及各國普遍承認測試實驗室認證資格；耕興更透過精確的掌握行動通訊技術的發展趨勢，率先完成包括台灣、韓國、中國大陸昆山及深圳於長程演進計畫(LTE)驗證服務所需的布局。羅德史瓦茲網址：www.rohde-schwarz.com.tw

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  • 导入H型桥式拓扑架构　1,700V IGBT提升转换效能

    绝缘闸双极性电晶体(IGBT)模组可望大幅提升比价比。因应市场愈来愈激烈的价格竞争，IGBT模组开发商研发出采用H型桥式拓扑电路架构的新一代1,700V解决方 案，不仅体积较市面上既有产品更加小巧，且转换效率和耐用性也相对出色，已快速在市场上崭露头角。功率单元串联拓扑普遍应用于中电压驱动器。其中2MVA容量以下的低功率产品，正面临残酷的成本竞争，所幸，创新的绝缘闸双极性电晶体(IGBT)模组，进一步将设计推向更高的性价比。本文以EconoDUAL封装为基础，从应用层面说明新型的1,700伏特(V)H型桥式模组。本模组提供许多优点，不仅能够实现功率单元设计最佳化及缩小产品体积，也能使IGBT4 E4及P4晶片的各项优势获得充分运用；这两款晶片是具备软切换及更高Tvj.op的最新一代产品。本产品开发的额定电流达250安培(A)，以因应低功率范围的单元需求，并有效的实现34毫米(mm)及62毫米封装替代的解决方案。此外，本文将延伸探讨输出电流能力对于功率消耗及温度分布的关系。目前有许多转换器拓扑开始被应用于中电压驱动器，就如中国的2.3仟伏(kV)、3.3kV、6kV及10kV驱动系统。对于20百万瓦(MW)以下的低功率及中功率容量，驱动器制造商大都提供不同电路拓扑的电压源变频器(VSI)，如二阶和多阶VSI，普遍使用的有三阶中性点箝位(3L NPC)、四阶飞驰电容(4L-FC)及串联H型桥式功率单元(CHB)。三阶或五阶ANPC等新兴技术是为了损耗平衡而研发，可免除在低速切换频率条件下电流与功率的降额应用。至于在高功率容量方面，负载换相式电流变频器(LCI)现在已经开始应用矽控整流器(SCR)，甚至是闸关闸流体(GTO)和对称型闸换向闸流体(SGCT)。此外，百万瓦特功率范围的高压变频调速装置(MVD)不仅是标准产品，也是工业驱动系统或能源转换的关键所在。工业部门需要驱动系统及功率转换器提供不同功效，因此建立不同的电路拓扑，以满足各种不同的应用需求。 目前主流的功率单元串联拓扑，能够提供完美的正弦输入波形及低电流失真，利用多重绕组相移变压器容易实现系统，并可轻松维护。图1所示为一般的基本拓扑。各个相位的功率单元数量可由功率单元输出电压决定，即使在较低的切换频率下，每个功率单元通常多数应用至1kHz，不过较高的等效串联谐振频率(fs)取决于系统输出的需求，因此可能采用不同拓扑，例如三阶H型电桥及脉冲宽度调变(PWM)整流。1,700V IGBT在功率转换过程扮演重要角色。由于需要更高的功率密度和更低的成本，因此市面上已开发H型桥式模组来因应近30%市占率的低功率需求。 图1 主要电路及功率单元的拓扑1,700V H型桥式模组简介 EconoDUAL外壳提供17毫米(mm)标准高度的平板式设计。1,700V H型桥式模组是以同类型最佳的封装为基础进行开发。其拓扑概观如图2所示。该模组提供100?250A的额定电流，搭配1,700V的阻断电压。虽然可能需要50A或75A等较低额定电流的产品，但是产品成本必须与价格取得平衡，尤其封装成本是其中的关键因素；因此可藉由搭配100A额定电流的IGBT涵盖这类需求。1,700V IGBT4搭配沟槽场截止(Trench Field-Stop)技术，可进一步满足特殊应用需求，其中功率消耗主要来自导通损失，因为应用在低频率的fs几乎可以忽略切换耗损。 图2 1700V H型桥式模组H型桥式拓扑架构配置四个IGBT及四个FWD，可采用62毫米(mm)×122毫米的封装。图3显示其内部晶片配置及外观尺寸。上臂及下臂IGBT采用系统化配置方式，实现最佳化换流回路，因此内部杂散电感可降低至约23nH。DC+、DC–及T1、T2为AC输出级的功率端子，位置都经过精心设计以满足功率单元之间的连接需求。端子与散热片之间的空间距离为12.5毫米，端子与端子之间的空间距离则为10毫米，足以满足功率单元690V输入电压的安规需求。如果在严重污染的条件下需要更大的空间距离，应考虑增加使用绝缘材料等特殊措施。IGBT和FWD的热源均妥善均匀分布在整个基板区域，如此一来可有效提升输出电流能力。这项34毫米及62毫米产品的替代解决方案，对于实现更高功率密度的功率单元非常重要。此外，封装的顶部也采用具备EiceDriver IC的转接板，有助于降低成本及实现精巧的功率单元设计。 图3 晶片配置与外观尺寸IGBT4特性 以下将以英飞凌(Infineon)F4-250R17MP4做为测试模组，以了解不同Tvj.op情况下的IGBT晶片切换特性。 切换行为 图4显示关断过程的波形。a线为收集极电流Ic，b线为闸极电压Vge，c线为集-射极电压Vce。条件为Vdc=900V、Ic=250A、Vge=±15V、Rgon/off=1ohm、Tvj.op=25℃、125℃、150℃。其他测试也应用相同条件。就下方波形而言，在不同的Tvj.op下测量电压过冲最高148V。若增加Tvj.op，过冲电压将微幅上升但仍然是低的。关断电流波形的外观更为柔和，没有任何寄生振荡。图5显示导通波形，图6显示逆向恢复波形。 图4 关断过程波形[!--empirenews.page--]图5 导通过程的波形图6 逆向恢复过程的波形RBSOA能力 为了验证2×Ic电流(500A)的关闭能力，我们采用下列方式进行波形测量 (图7)，此可进一步测试250A装置的 RBSOA。从测试结果来看，最高1,152V的电压仍维持在限制范围内。这显示在不同Tvj.op关闭2×Ic时的耐用性非常高。 图7 测试波形[@B]热效能[@C] 热效能 在内部配置方面，将两个IGBT晶片及一个FWD晶片配置为一组开关。为了进一步分析基板的温度分布，我们使用ANSYS软体建立H型电桥模组的模拟模型。液冷条件定义为Ta=40℃及传热系数4,000W/m2K。IGBT及FWD分别产生大约214瓦(W)及284W的功率消耗。晶片有效区域模拟结果如图8所示。可藉由平均基板温度Tc来计算热阻Rthjc=(Tjmax-Tc)/P，其中P为功率消耗，而Tjmax则是半导体晶片接面区域的温度。不过预估点是位于晶片中央下方的垂直位置。由于IGBT及FWD在换流操作期间会产生热耦合，因此实际的热能分布可能不同。为了确保装置能在高动态应力情况下安全运作，Rthjc考量20%的设计余量以提供短暂的动态温度瞬变及模组操作温度不均匀等特性；因此每个开关的IGBT Rthjc=0.0885K/W及FWD Rthjc=0.185K/W都清楚注明在规格表中。这样就能以热能观点评估IGBT的Tvj.op是否安全。暂态热阻Zthjc也可透过类似方式达成；而接面温度涟波可由Zthjc的RC网路取得，并藉由结合IGBT4 PC与TC曲线来取得使用寿命的预估值。 图8 IGBT(左)及FWD(右)温度分布应用实例分析 ·功率单元 功率单元是子系统，包含IGBT模组、电解电容、驱动板及散热片和控制器等装置。冷却设计非常关键，可协助提升H型电桥模组的输出电流能力。特别是在需要如图9所示的替代解决方案时，由于EconoDUAL(62毫米×122毫米)的等效基板区域与2pcs 62毫米(61.4毫米×106.4毫米)相比，H型桥式模组的有效散热区域可能较少，但转换相同功率时所需的单元体积和大小反而较小。不过仍须考虑使用铜散热片或嵌入式热导管等特殊冷却方式，以提升电流能力。 图9 62毫米替代解决方案依据功率单元的一般工作条件，由模拟结果针对不同功率单元的应用提出相对应产品(表1)。此功率单元的额定功率约46.8kW，以P=Vo×Io×cosΦ公式进行预估。因此F4-250R17MP4模组的转换功率密度计算公式为P/A=46.8kW/7564mm2=6.2W/mm2，而2pcs的62毫米P/A=1.1mW/mm2功率密度更小；其中P是转换功率，A则是模组基板区域。不过H型电桥模组的输出电流能力，可能由真实操作的Tvj.op决定，而这完全取决于功率单元的设计，特别是散热条件。 ·温度 为了进一步检查2pcs 62毫米模组解决方案的温度差异，我们采用最新版本的IPOSIM工具进行模拟。为简化模拟内容，假设F4模组每臂的Rthha约比2pcs 62毫米的部分高出两倍。其中原因在于2pcs 62毫米模组的基板区域几乎是F4模组的两倍，非常有利于快速散热。不过这项假设仅是根据H型电桥模组的最差散热能力，并不是实际的工作条件。表2显示在正常及过载状况下两个模组的比较结果。每个开关的Rthha=0.54k/W是由IGBT4允许的最大操作接面温度Tvj.op=150℃决定。即使散热片温度120.9℃已达到过载条件，F4模组仍可在安全的操作接面温度内妥善运作，并具备高可靠性。两种模组的功率消耗大致相同。若能提升外部散热系统，就能降低F4模组的Tvj.op及Th。 两种模组的基准请参阅图10(a)。依据模拟结果，F4模组的输出电流能力略高于62毫米。这可能是归功于较低的功率消耗及较小的Rthjc所达成。不过由于F4模组的外壳尺寸的精简化，因此很难实现Rthha=0.27K/W。透过使用R-Tools将 F4模组的温度分布显示如图10(b)。这项模拟是基于使用190毫米×250毫米尺寸的散热器及2.0m/s流速。 图10 基准及温度分析本文说明1,700V H型桥式模组在产品、应用及热行为和切换耐用性等方面的特色。此系列的IGBT专门用于功率单元串联拓扑，有利于功率单元朝向更高功率密度及精巧外型的方向发展。本模组将成为较佳的替代解决方案取代传统设计。 (本文作者任职于英飞凌)[!--empirenews.page--]

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