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  • 半导体产业福音！EUV极紫外光时代真的快来了

     尽管所花的时间与成本几乎比所有人预期得要多，半导体产业终于还是快要盼到极紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影技术的大量生产──在近日于美国旧金山举行的2017年度Semicon West半导体设备展，微影设备大厂ASML宣布该公司已经达成了最重要且长期难以突破的里程碑：250瓦(watt)的EUV光源。 光源功率(source power)──也就是传送到扫描机以实现晶圆曝光的EUV光子(photon)数量之量测值──直接等同于生产力，芯片制造商一直以来都坚持250瓦的光源功率是达成每小时125片晶圆(WPH)生产量的必要条件，而且将ASML与光源技术供应商Cymer (已在2013年被ASML收购)未能实现该光源功率目标，视为EUV微影在近年来发展不顺的主要原因。 在Semicon West期间，ASML行销策略总监Michael Lercel则表示，该公司已经实现了250瓦光源，而且不但是：“透过真正了解光源的转换效率达到了一致性，也实现了正确的控制;”不过他补充指出，经证实的250瓦光源还没正式出货。 包括英特尔(Intel)、三星(Samsung)、台积电(TSMC)与Globalfoundries等顶尖芯片制造商，都打算在接下来两年将EUV微影导入量产制程，ASML在今年2月展示了104WPH的生产量，该公司高层并声称，甚至在250瓦光源实现之前，该公司的微影设备可达到125WPH的产量。 与2012年约25瓦的光源相较，250瓦光源意味着十倍的进步;Lercel在简报EUV生产经济学时笑言，当他在几年前仍任职于Cymert时，达到250瓦光源功率：“永远都是明年的目标。”他表示，ASML目前在EUV领域有14种开发工具，已曝光超过100万片晶圆，光是过去一年就曝光了50万片;ASML的NXE:3400B量产型EUV微影设备已在今年稍早首度出货。 截至4月份，ASML积压了21台EUV系统等待出货，据说其中有大部分是英特尔的订单;而ASML应该会在第二季财报发布时提供未出货订单的更新数字。 EUV技术可追溯至1970年代X光微影开发过程不顺的那时候，而半导体产业原本期望能在2010年就开始利用EUV微影量产，但该技术一再推迟;有人估计，产业界对EUV技术的开发已经耗费了超过200亿美元。 而尽管ASML有所进展，批评者仍会继续对EUV抱持质疑态度;如长期观察半导体产业的市场研究机构VLSI Research总裁暨分析师G. Dan Hutcheson就表示：“总有人一直说该技术不可能成功;确实花了很长的时间，但我们终究还是走到了某个地方。” 除了宣布达成光源功率里程碑，Lercel也详述了EUV工具叠对(overlay)性能的大幅改善，以及产业界在布建EUV基础建设方面的进展，包括光罩(reticle)、光罩护膜(pellicle)以及光阻剂(photoresist);此外他的简报主要聚焦于EUV能为客户带来的“经济价值”，考量到该类工具的成本──EUV微影设备一套要价超过1亿美元──听起来是个吊诡的议题。 高成本是EUV微影技术最被诟病的特性之一，但ASML表示，EUV──在达到125WPH的产量目标时──与采用传统浸润式微影工具进行三重或四重图形(patterning)的高昂成本相较，能带来更高的经济优势。 Lercel表示：“如果你看采用多重浸润式微影步骤的成本，加上搭配的制程步骤──包括清洁以及度量──我们相信EUV的每层光罩成本还是低于三重图形浸润式微影，而且绝对低于四重以上图形的成本;”他并指出，EUV也能提供更快速周期时间(cycle times)、变异性更少以及晶圆片出现随机缺陷机率更低等经济优势。 “我们相信EUV是在未来实现成本可负担之微影制程微缩、非常具成本效益的技术;”Lercel表示：“我们已经在EUV系统性能方面有大幅进展，能满足业界期待。特别是有鉴于其成像表现如预期、叠对性能至少能与浸润式技术媲美，以及其生产量已经能超过每小时100片晶圆;这些让我们达成了目前已经能陆续将支援大量生产的设备送交客户。”

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  • 格芯与芯原联袂实现适合次世代物联网的单芯片解决方案

     格芯(GLOBALFOUNDRIES，原名格罗方德)与芯原微电子(VeriSilicon)共同宣布，将携手为下一代低功耗广域网(LPWA)推出业界首款单芯片物联网解决方案。双方计划采用格芯的22FDX®FD-SOI 技术开发可支持完整蜂巢式调制解调器模块的单芯片专利，包括集成基带、电源管理、射频以及结合窄带物联网(NB-IoT)与LTE-M 功能的前端模块。相较于现有产品，该全新方案可望大幅改善功耗、面积及成本。 随着智慧城市、家居与工业应用中互联设备的数量日益增加，网络供应商也着手开发全新的通讯协议，以期更加符合新兴物联网标准的需求。LPWA 技术利用现有的LTE频谱及移动通信基础设施，但更着重于为例如联网水表和煤气表等传输少量低频数据的设备提供超低功耗、扩大传输范围以及降低数据传输率。 两大领先的LPWA连接标准包括在美国前景看好的LTE-M，以及逐渐在欧洲、亚洲取得一席之地的NB-IoT。举例而言，中国政府已将NB-IoT定为明年全国部署的对象。根据美国市场研究公司 ABI Research 的研究，该两大技术的结合将推动蜂窝M2M模块的出货量到2021年可能逼近5亿。 格芯与芯原微电子目前已着手开发IP套件，以双模运营商等级的基调制解调器带搭配集成的射频前端模组，旨在让客户开发出成本及功耗优化的单芯片解决方案，以供全球部署。该款设计将采用格芯的22FDX工艺，运用22nm FD-SOI技术平台为物联网应用提供成本优化的微缩能力并降低功耗。22FDX是唯一能够以单芯片高效整合射频、收发器、基带、处理器和电源管理元件的技术。相较于现有的40nm技术，这款集成方案预计在功耗和裸片尺寸方面，将达到80%以上的提升。 格芯产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示：“低功耗、电池供电的物联网设备正处于爆发性增长态势，22FDX技术完美契合了其需求。对中国市场带来的机会，我们尤为兴奋。中国正以领先姿态在全国范围大力发展物联网与智慧城市。芯原微电子是我们重要的合作伙伴，他们协助我们在成都建设以全新300mm晶圆厂为中心的FD-SOI生态系统。此次新的合作计划也将进一步深化我们的长期合作关系。” 芯原股份有限公司创始人、董事长兼总裁戴伟民表示：“自五年前开始，作为芯片平台即服务 (SiPaaS) 的设计代工公司，芯原即开始开发 FD-SOIIP，并基于FD-SOI 技术一次流片成功了多款芯片产品。就物联网应用而言，除了成本优势之外，集成式射频、体偏压以及嵌入式内存如MRAM，都是28mm CMOS 工艺节点往后，FD-SOI 技术所具备的重要优势。在格芯22FDX上集成射频与功率放大器后，基带和协议栈可在高能效且可编程的ZSPnano 上得以实现，ZSPnano 专为控制和具有低延迟的数据流、单周期指令的信号处理而优化。格芯位于成都的全新FDX 300 mm 晶圆厂，以及此次合作推出的集成式 NB-IoT、LTE-M单芯片解决方案等IP 平台，都将对中国的物联网和 AIoT(物联人工智能) 产业带来重大的影响。” 格芯与芯原微电子预计将于2017年第四季度对基于此集成方案的测试芯片进行流片，并完成验证。双方计划于2018年年中获得运营商许可。

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  • 三星称10nm工艺技术已稳定 将专注7nm芯片

     在看到处理器和存储器芯片的需求不断增长之后，三星公司最近将半导体芯片制造业务分解成一个单独的实体。该公司目前专注于其SoC业务，并在德克萨斯州的芯片厂投资近10亿美元。现在据报道，三星今天早些时候主办了一个代工论坛，与其合作伙伴公司分享其分部的愿景。 根据“韩国先驱报”的报道，三星在该论坛跟本土企业分享了其半导体市场的愿景。随着对半导体芯片需求的增长，该公司扩大了与更多企业和合作伙伴的联系。除了智能手机和可穿戴设备，这些芯片也被用于物联网(IoT)产品，智能汽车和人工智能解决方案。 这个韩国半导体巨头还宣布，其10nm FinFET技术已经非常稳定，现在正在关注7nm制造技术。该公司计划很快开始制造7nm芯片。三星也将增加其在中国工厂的内存芯片生产能力，该公司目前为高通公司生产10nm芯片，为AMD生产14nm芯片，但前者将转向台积电生产7nm处理器。

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  • 揭秘：16nm/10nm/7nm处理器差距有多大？

     随着智能手机的发展，半导体工艺也急速提升，从28nm、16nm、10nm到7nm这些半导体代工厂们每天争相发布最新的工艺制程，让很多吃瓜群众一脸懵逼不知道有啥用。 半导体行业离我们似乎很遥远，FinFET是什么东西，EUV又是什么新技术，每次看到这种相关的新闻都让我们如同云里雾里，不知所谓。其实它离我们很近，无论是FinFET还是EUV都是为了完善制程工艺所做的努力。而一款处理器的性能表现、散热效率、功耗等等都和制程息息相关。 今天，我们来聊聊手机处理器的这些事。 ●16nm、10nm，这些数字到底是啥? 说起这个话题，我们要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其实这些数值所代表的都是一个东西，那就是处理器的蚀刻尺寸，简单的讲，就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。 手机处理器不同于一般的电脑处理器，一部手机中能够给它留下的尺寸是相当有限的。蚀刻尺寸越小，相同大小的处理器中拥有的计算单元也就越多，性能也就越强。这也是为何厂商会频繁强调处理器制程的原因。 同时，因为随着频率的提升，处理器所产生的热量也随之提高，而更先进的蚀刻技术另一个重要优点就是可以减小晶体管间电阻，让CPU所需的电压降低，从而使驱动它们所需要的功率也大幅度减小。所以每一代的新产品不仅是性能大幅度提高，同时还有功耗和发热量的降低。 综合以上，可以发现处理器的制程对于手机十分重要，更高的性能带来更流畅的游戏体验，而一个保持正常温度的机身更是能保证大家拥有一个良好的使用体验。一次制程的升级，带来了散热效果与计算性能的双重提升。 无论什么电子产品，CPU都称得上是核心部件 ●手机制程的发展和性能永远在一起 所以手机性能不断提升的今天，半导体行业功不可没。从32nm的Exynos 4412到如今10nm的Exynos 8895才过去了不到5年，可是手机的性能提升却是数以倍计的。屏幕分辨率的提升，镜头像素的提升，这些其实都与手机性能息息相关。只有更高的运算速度支持，我们才能支持更大分辨率的图像输出，更强的相机算法。 目前的手机处理器大部分交由两家厂商代工。除了上文中提到的台积电之外，还有就是三星。它们两者也一直在你追我赶，毫不放松。三星刚推出32nm工艺，台积电就紧追不舍放出28nm新制程。这边刚拿出16nm方案，那边就宣布14nm即将投入商用。 没有竞争就没有发展，正是因为两家之间互有胜负的不断角逐，才能让手机行业不至于类似电脑处理器那般陷入“挤牙膏”一般的提升节奏。这不，我们的10nm芯片还没用上多久，三星的8nm，台积电的7nm已经争着发布了。 采用了最新10nm技术的骁龙835 ●在制程之下，其实还有更多的博弈 说了这么多，处理器的制程真的这么重要吗?以苹果为例，当初一直选择三星作为自家处理器代工厂的苹果为何在iPhone 7/Plus选择了台积电的16nm工艺而放弃了三星的14nm技术，自然是因为在16/14nm这一制程上台积电的工艺更加成熟完善。 当初两个版本的A9处理器，苹果分别选择了三星和台积电各自代工生产了一版，而台积电略强于三星的表现，想来也是苹果在iPhone 7上彻底倒戈台积电的原因之一吧。 不过除了制程之外，其实厂商需要考虑的还有更多。Helio X30是联发科在年初的MWC上发布的新一代旗舰级处理器，而且抢在了三星高通之前率先使用了10nm工艺。 可惜，前期新的生产工艺下良品率并不理想，而如今台积电又要为了完成苹果的A11订单火力全开。同样由它代工的X30就难免产能不足，这个被联发科寄予厚望的芯片我们至今仍未得一见。 传闻华为的麒麟系列处理器也即将发布新品 ●5nm，3nm，或者干脆量子计算? 其实半导体蚀刻尺寸发展到现在已经很吃力，每个原子的大小约为0.1nm，在10nm的情况下，一条线只有不到100颗原子，在制作上相当困难，而且只要有一个原子的缺陷，像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质，就会因为量子效应产生不知名的现象，影响产品的良率。 FinFET技术概念图 其实制程的瓶颈我们早已遇到，当初凭借将电晶体的平面结构转化为立体结构，也就是FinFET(鳍式场效电晶体)的使用，我们突破桎梏，迎来了10nm制程的时代。而从10nm往后，处理器的发展就寄托于新的蚀刻工艺—极紫外光刻(EUV)，用更小更锋利的“手术刀”来切割出更小的电晶体结构。 目前看来，苹果的下一代产品A11使用的将依然是10nm的工艺，那么究竟谁会抢先带来更新更好的制程工艺，是台积电的7nm还是三星的8nm，首发处理器又将花落谁家?我们拭目以待。

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  • 三星分离半导体代工业务后,7nm加速超越台积电

    目前，半导体制程最尖端为10nm工艺，而面向预计年内上市的苹果“iPhone 8”，则由台积电的10nm CPU(中央处理器)独家获得订单。 新一代的7纳米芯片除了智能手机之外，在支撑人工智能(AI)的数据中心领域，需求也有望扩大。 在公开资料的制程工艺进展中，GF和台积电的7nm进展最速，由此，传出高通把骁龙845的代工转交给了台积电，而和好伙伴三星分道扬镳。 据外媒报道，三星半导体高管，营销副总裁Sanghyun Lee透露，我们的7nm EUV极紫外光刻技术会是完整的EUV技术。当我们在明年推出该技术的时候，我们将在生产良率和价格上超过他们(台积电)。 同时，该人士还表示，纯代工的营收也有信心反超天字一号TSMC。 目前，三星正提供最先进的10nm芯片代工，包括两款已经上市的骁龙835和Exynos 8895。 另外，明年上半年，三星计划先进入8nm工艺，随后才是7nm。 看着两个后进生如此你争我夺，不知道依然致力于优化14nm的Intel做何感想。  

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  • Littelfuse 宣布收购温度传感器制造商 U.S. Sensor

     中国, 北京, 2017年7月 11讯 — Littelfuse 公司于今天宣布收购 U.S. Sensor 公司的资产。总部设在加利福尼亚州的奥兰治，U.S. Sensor 是一家最严苛的温度传感应用中所用热敏电阻和探头组件的制造商。交易条款并未披露。 “U.S. Sensor 公司在几个关键的电子和工业终端市场，包括家庭自动化、HVAC 和家用电器，拓展了我们现有的传感器产品组合，”电子部高级副总裁和总经理Deepak Nayar说道, “这个交易加强了能促使增长计划完成的设计能力。“? U.S. Sensor 总裁 Roger Dankert 表示：“这是 U.S. Sensor 公司下一个令人兴奋的阶段， 我们在客户关注和创新方面拥有同样的观点，并将受益于 Littelfuse的全球业务和规模。” Littelfuse 并不希望此次交易会对其 2017 年收入或调整后的盈利预测产生重大影响。

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  • 套路非出路 国产半导体设备产业持续发展之道

     在极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项(简称“集成电路专项”)以及其他国家相关产业政策的推动下，近年来我国半导体设备产业取得较快进步，部分关键设备从无到有，实现了与国际先进技术水平的同步发展。同时，部分国产设备进入大生产线，在产业化进程上取得突破。在此情况下，如何让产品在推向市场的过程中获得合理的利润，以利持续发展，成为国产设备厂商关注的重点。 半导体设备国产化率提升存挑战 中国半导体行业要想实现从跟随到引领的跨越，设备产业的成长是重要环节之一。但是半导体设备行业却存在技术难度大，进入门槛高的特点。目前为止，我国半导体设备领域仍然存在着国产化率较低的问题。 对此，半导体专家莫大康指出，上世纪80年代末期开始，半导体设备企业开始把工艺能力整合在设备中，让用户买到设备就能保证使用，并且达到工艺要求。因此有“一代器件，一代设备”之说。这是半导体设备如此昂贵的原因，也是国内企业面对的极大挑战。 此外，一台设备从研发、样机开始，必须经过大量硅片通过等工艺试验，才能发现问题，并进行改型。这样的过程要重复多次，改型多次后才能最后定型。另外，出厂前还要经过马拉松试验，测算平均无故障时间等。 这对实力尚弱的国产设备厂商来说，也是一个巨大的挑战。 SEMI中国区总裁居龙也表示：“目前中国设备正在取得从0到1的突破，但是要认识到这一进程的长期性。” 《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出了明确要求：在2020年之前，90～32纳米工艺设备国产化率达到50%，实现90纳米光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20～14纳米工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。 “集成电路专项”加速产业整体布局 尽管存在挑战，经过多年来的不断培育，特别是在国家“02专项”等政策的扶持下，国产半导体设备产业还是取得了一定进步。日前，科技部会同北京市和上海市人民政府组织召开了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”成果发布会。在过去的九年里，集成电路专项对中国半导体设备产业整体布局，既有全面填空，又有重点突破。 根据成果发布，北方华创通过近九年的科技攻关，完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证，实现了产业化。公司的刻蚀机等三大类集成电路设备进入14纳米工艺验证阶段，首次实现与国外设备同步验证。在集成电路专项的支持下，12英寸集成电路设备实现从无到有，并实现批量销售，成为公司的主要收入来源之一。中微半导体先后承担并圆满完成65～45纳米、32～22纳米、22～14纳米等三项等离子介质刻蚀设备产品研制和产业化的集成电路专项任务，使我国在该项设备领域中的技术基本保持了与国际先进水平同步。中微半导体已经有460多个介质刻蚀反应台在海内外27条生产线上高质稳定地生产了4000多万片晶圆。 根据中科院微电子所所长叶甜春的介绍，在关键装备和材料方面，我国实现了从无到有的跨越，大部分产品水平达到28纳米，部分产品进入14纳米，被国外生产线采用;国产设备验证和应用整体累积流片突破150万片，销售数量超过265台。从工艺分布上看，国产设备横跨了12英寸集成电路生产线90～14纳米各个技术节点的关键性工艺大类，并基本与国内14nm先进工艺研发同步进行验证。 用产品差异化取代低价竞争 在产业化进程取得一定突破的情况下，如何让发展来之不易的国产半导体设备业得到持续发展，逐渐成为国产设备业关注的重点。 其中，最核心的一个问题就是产品的价格问题。目前，国内半导体设备厂商存在低价竞争的状况，一些用户企业在面对国产设备厂商时，也会尽量压低价格，国产设备仿佛给人留下的印象就是低价。 对此，盛美半导体董事长兼CEO王晖指出，半导体设备制造是一个门槛很高的行业，不仅技术高度密集，厂商需要掌握严密的IP，而且产品售出之后还有大量后续服务需要做好。 如果售价被压得过低，势必会大幅压低设备企业的利润空间。短期内用户企业虽然可能获利，但是势必会影响到后续服务的进行。而且，设备行业的竞争十分激烈，企业必须保证对每一代技术的持续跟进，才能保持技术的领先性。这就需要企业持续进行投入。然而，如果获利过低，将导致企业无力跟进技术的进步。 王晖认为，对于国产设备业者来说，最佳的解决之道就是做产品的差异化技术开发，而不是仅凭低价格来争取订单。 “面对同一个应用，同一个技术挑战，你要比大公司做得好，就要寻求差异化的解决方法，否则很难超过大公司。”他说。 在王晖看来，从技术创新的角度，小公司未必会输给大公司。反而因为小公司具备灵活性及高效率，更容易做出突破性的技术。以点带面，从点上取得突破，方是国产设备企业长期持续的成长之道。

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  • ROHM发售支持USB Type-C的USBPD评估板“BM92AxxMWV-EVK-001” 从移动设备到100W级的家电，从此可轻松导入USBPD

    <概要>   全球知名半导体制造商ROHM已经开始在网上销售6款供受电用评估板“BM92AxxMWV-EVK-001”系列，这是通过连接信息设备和周边设备的USB Type-C连接器*1)实现“USB Power Delivery(简称USBPD)”的系列产品。 USBPD在以往仅可支持15W以内供电的USB　Type-C设备间，可实现高达100W(20V / 5A)的供受电。因此，即使是笔记本电脑和TV等需要较大功率的设备，也可通过USB端子供电来驱动。另外，在家庭和宾馆等USB插座日益普及，USBPD已发展到给基础设施带来变革的时代。 新发售的“BM92AxxMWV-EVK-001”中搭载ROHM开发的USBPD控制器IC，可适用于各种应用的6款评估板与供电端和受电端的电路板组合，可轻松实现使用USBPD的供受电及其评估。支持USB Type-C 标准Rev1.1和USBPD标准Rev2.0，因此还可与安装有Type-C连接器的设备进行连接。 本评估板将于2017年7月起在AMEYA360、RightIC两家在线平台开始网络销售，电路板驱动所需的文件可从官网下载。 今后，ROHM将为普及打造安全舒适环境的USBPD，继续推进领先业界的产品开发。 <背景> 近年来，以欧洲为首的很多地区均在倡议减少工业废弃物，可在全世界所有电子设备中通用的充电器和通信连接器等成为必然趋势。 在这种背景下，USB标准协会“USB Implementers Forum, Inc.*2)”推动的连接器标准“USB Type-C”和功率扩展标准“USBPD”备受瞩目。利用小型且可支持正反插入的USB Type-C和可支持更大兼容设备的USBPD，同时进行数据传输和大功率供受电的接口已经开始在众多电子设备中普及。 ROHM利用先进的BiCDMOS工艺和电路技术优势，一直致力于有助于减少工业废弃物和打造更加便利的环境的USBPD控制器IC的开发。 <支持USBPD的应用例> <网售信息与产品阵容> 网售开始时间：2017年7月起 网售平台：AMEYA360、RightIC 产品型号 供受电 功能 备注 BM92A15MWV-EVK-001 受电端 标准评估板 5~20V　根据连接的目标设备可自动选择 BM92A56MWV-EVK-001 供电端 标准评估板 5V, 9V, 12V, 15V, 20V输出 BM92A14MWV-EVK-001 受电端 小型评估板 (9V) 5V, 9V根据连接的目标设备可自动选择 BM92A13MWV-EVK-001 受电端 小型评估板 (15V) 5V, 15V根据连接的目标设备可自动选择 BM92A12MWV-EVK-001 受电端 小型评估板 (20V) 5V, 20V根据连接的目标设备可自动选择 BM92A21MWV-EVK-001 供电端 100W供电 AC/DC适配器 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/5A BM92A30MWV-EVK-001 受电端 支持AlternateMode*3) 支持AlternateMode 5, 12~20V　根据连接的目标设备可自动选择 BM92A70MWV-EVK-001 供电端 支持AlternateMode 支持AlternateMode 5, 12～20V输出 BM92A25MWV-EVK-001 供电端 45W供电AC/DC适配器 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A 标准评估板 小型评估板 100W充电AC/DC适配器 在所连接的两个设备间进行USBPD专用通信，在供受电协议后，确定相互最佳的供受电电压和电流。USBPD所需的通信，在新增设的专用线CC线上进行，因此，可与以往的USB数据通信独立工作。<何谓USB Power Delivery?> 利用USB连接线，可进行高达100W供受电的USB功率扩展标准。可给笔记本电脑等以往无法通过USB供电进行驱动的设备供电，可实现移动设备的快速充电(缩短充电时间)。 <术语解说> *1) USB Type-C标准(Type-C 连接器) 在USB3.1标准中定义的插座(凹端连接器)、插头(凸端连接器)、连接线的USB连接器标准。与传统产品不同的是，使用时不分Host端/Device端，连接器形状也统一为小型且不分正反的形状。 *2) USB Implementers Forum, Inc.(USB-IF) 1995年成立的推进USB(Universal Serial Bus)标准化的标准团体，进行USB的规格制定与管理等。如今已有超过800家的企业成为会员。 *3) AlternateMode 也可处理视频信号的控制模式。无需再搭载以往在笔记本电脑等电子设备中必须的视频专用端子。仅通过USB端子即可进行数据传输、供电受电、视频信号传输等，可轻松打造更便利的环境。

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  • 相约蓉城 助力中国制造2025 贸泽电子亮相成都电子展

     2017年7月11日-半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 将亮相7月13日正式揭幕的成都电子展(展位号：4A216)，展会期间将携手行业专家与开发者探讨行业趋势，并将邀请专家与创客结合自身体验全方位深度剖析贸泽电子的本地化服务。 随着西部大开发和科技兴国战略的实施，四川经济发展突飞猛进。其中电子信息产业发展尤为迅速，已然成为四川省八大支柱产业之一，生产规模跃居全省各产业之首，是整个西部科技创新的中坚力量。有着“中国西部硅谷”之称的成都有望将在2030年成为世界50大经济中心城市之一，作为西部最大的电子信息产业盛会，成都电子展旨在打造一个展示西部电子信息市场发展成果、助力电子信息产业知名企业走进西部的优质平台。 贸泽电子亚太区市场及业务拓展副总裁田吉平表示：“目前世界500强企业已有302家在成都落户，其中不乏众多世界顶尖电子制造企业，位居中西部城市首位。电子信息产业成为高新技术产业‘万亿俱乐部’的第一支柱产业，成都在电子信息行业正在逐步融入全球电子信息高端产业的核心版图。贸泽电子参加成都电子展旨在与用户更好的交流，深入了解内在需求，优化服务。与此同时，也让更多的开发者、创客了解贸泽电子是研发过程中值得信赖的好伙伴。” 贸泽电子所打造的不单单是元器件采购网站, 更是一个技术信息平台。在官网上除了可以找到用于研发使用的全套产品，还能搜索到广泛的产品知识、更多的新产品手册和前沿技术，用于满足工程师群体以及采购人员对信息的需求。 “随着电子信息产业的发展与进步，诸如基础电子、高性能集成电路、测试测量、智能制造、军民融合、智慧城市和大数据应用等产业热门领域进入了前所未有的高速发展时期。”田副总裁补充道：“分销商作为电子信息产业链中的关键一环，在行业内起到了承上启下的作用。‘承上’就是在原厂优质元器件的基础上扩大服务范围，用全方位的服务覆盖用户;所谓‘启下’就是通过服务让开发者创客等时代的先行者无缝衔接全球最新产品和技术，为中国电子信息行业崛起打下坚实基础。” 贸泽电子拥有丰富的产品线与卓越的客服，通过提供采用先进技术的最新产品来满足设计工程师与采购人员的创新需求。我们库存有全球最广泛的最新半导体及电子元件，为客户的最新设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况，而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外，Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。

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  • 世强联手EPC，合力布局国内GaN功率器件市场

    近日，国内著名半导体分销商——世强宣布与基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商EPC(宜普电源转换公司)签约合作，作为EPC中国区代理，销售其全线产品。 据悉，EPC(宜普电源转换公司)为首家推出替代功率Si MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司，其目标应用包括直流-直流转换器、无线充电，自动驾驶 、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达(LiDAR)及D类音频放大器等，GaN器件在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。 通过增强型氮化镓技术，不仅可以提高电源效率，还可以实现提升生活的全新应用，如无线充电、汽车自动驾驶、高速移动通信、低成本卫星以及医疗护理应用等。 关于此次合作，世强市场总监表示，“EPC利用氮化镓技术不断改革、持续前进的企业精神与世强及世强元件电商一直以来，致力于将全球最新的技术带入中国，并与推动中国企业科技创新的理念一致。中国第一支光学鼠标，第一支光纤通信设备，都是我们第一个带给中国企业的。而GaN技术，正在改变我们的生活方式，可以使我们各种电源的效率提升，体积缩小、做到高功率密度，同时也能在航空航天，医疗健康，汽车无人驾驶等领域带来新的技术和应用。所以，我们也希望通过与EPC的合作，双方可以合力布局国内GaN功率器件市场，为中国企业科技创新，做出更多的贡献。” 世强作为全球先进的元件分销商，目前已经代理了如SILICON LABS、RENESAS、ROGERS、MELEXIS、EPSON等四十余家欧、美、日著名半导体企业的产品，特别是2016年1月，上线了线上服务平台——世强元件电商，更是利用互联网进一步为中国数万企业提供技术支持、元件供应等创新服务，获得了业界一致好评。 未来两家企业强强联合，必将为广大中国企业，提供更多优质的产品与创新服务，以满足企业多元化的需求。

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  • FinFET并非半导体演进最佳选项

     在历史上，半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的电晶体成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降，这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。 具体来说，新一代的20奈米块状高介电金属闸极(bulkhigh-Kmetalgate，HKMG)CMOS制程，与16/14奈米FinFET将催生更小的电晶体，不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28奈米块状HKMGCMOS制程。此成本问题部分源自于在新制程节点，难以维持高参数良率(parametricyields)以及低缺陷密度(defectdensity)。 20奈米节点在达到低漏电方面有困难，是因为在掺杂均匀度(dopinguniformity)、线边缘粗糙度(lineedgeroughness)以及其他物理性参数的控制上遭遇挑战，那些参数对制程中的细微变化都十分敏感。此外20奈米节点对双重图形(doublepatterning)的需求，也带来了比28奈米更高的每片晶圆成本。 16/14奈米FinFET制程节点与20奈米节点采用相同的导线结构，因此晶片面积只比20奈米节点小了8~10%;该制程节点也面临与应力控制、叠对(overlay)，以及其他与3D结构的阶梯覆盖率(stepcoverage)、制程均匀度相关的因素。 半导体各个制程节点的每闸成本估计 成本问题将会永久存在，因为随着28奈米块状CMOS制程日益成熟，晶圆折旧成本(depreciationcost)将比产量爬升与初始高量产阶段下滑60~70%，因此28奈米块状HKMGCMOS制程的每闸成本将会比FinFET低得多，甚至到2017年第四季也是一样。而20奈米HKMG制程也将在2018或2019年折旧成本下滑时，面临类似的发展趋势。 块状CMOS制程与FinFET制程的每闸成本估计 资料显示，FinFET制程能应用在高性能或是超高密度设计，但用在主流半导体元件上却不符合成本效益;因此半导体产业界面临的问题是，晶圆代工业者所推动的技术与客户的需求之间并不协调。这种情况没有结束的迹象，当半导体制程微缩到10奈米与7奈米节点，将会承受产业界还未充分准备好因应的额外晶圆制程挑战。 寻求解决之道 要降低半导体未来制程节点的电晶体与逻辑闸成本，产业界有四条主要的解决之道： 1.采用新元件结构 选项之一是全空乏绝缘上覆矽(fullydepletedsilicon-on-insulator，FDSOI)，能带来比块状CMOS与FinFET制程低的每闸成本以及漏电。 2.采用18寸晶圆 18寸(450mm)晶圆面临的主要挑战，是该选择在哪个制程节点进行转换;一个可能的情况是10奈米与7奈米节点。不过，18寸晶圆与超紫外光微影不太适合在同一个制程节点启用，这让问题变得复杂化。 一座18寸晶圆厂要在7奈米节点达到每月4万片晶圆的产量，成本将高达120亿到140亿美元，而且必须要在短时间之内迅速达到高产量，否则折旧成本将带来大幅的亏损。这样的一座晶圆厂会需要生产能迅速达到高产量的晶片产品。要克服这些挑战需要付出很多努力，但全球只有很小一部分半导体业者有能力做到;估计18寸晶圆将在2020年开始量产。 3.强化实体设计与可制造性设计技术 复杂的16/14奈米FinFET设计成本可能高达4亿美元以上，而要改善参数良率可能还要付出1亿或2亿美元;这意味着只有非常少数的应用能负担得起，因为产品营收必须要是设计成本的十倍。此外，那些设计需要在12个月之内完成，才能支援如智慧型手机等市场周期变化快速的终端应用。 4.利用嵌入式多核心处理器上的软体编程能力 可编程架构预期将会被扩大采用，但嵌入式FPGA核心的耗电量与成本都很高，软体客制化则需要相对较程的时间，才能针对复杂的任务进行开发与除错。软体开发工具需要强化，但进展速度缓慢。

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  • 新晶体管能模拟单个神经元执行运算

     近日，中国和新加坡科学家合作，利用二硫化钼创建出一种新型“神经元晶体管”。每个晶体管能模拟大脑中的单个神经元执行计算任务，可成为构建各种类神经硬件的基本组件。相关论文发表在最新一期《纳米技术》杂志上。 只有具备能像神经元一样执行加权和阈值运算等功能的晶体管，才能被称为“神经元晶体管”。加权和阈值运算是指，单个神经元能接收到其他许多神经元发来的信号并将这些信号进行加权计算，再将获得的加权总值与阈值进行比较，决定是否激活某种神经反应。人脑拥有数百亿个神经元细胞，这些神经元每秒要进行很多次加权运算和阈值比较，对人类的意识和行为进行调控。 新研究中，成都电子科技大学和新加坡南洋理工大学的科学家们，从一类被称为“过渡金属硫化物”的新型二维半导体材料中，挑选出二硫化钼取代传统晶体管中的硅基，研制出了能模拟单个神经元功能的晶体管。 研究小组对神经元晶体管的类神经功能进行了验证，结果表明，神经元晶体管能在两个逻辑门的同步调控下，执行加权运算功能，并完成了一个类似于用算盘进行的计算任务，且在运算速度上具有明显优势。 研究还发现，其他研究人员之前创建的神经元晶体管，通常只能以不到0.05赫兹的频率执行运算，这个频率远低于人脑神经元激活神经反应所需的5赫兹这一平均值，而这次获得的二硫化钼神经元晶体管，能在0.01赫兹到15赫兹的大频率范围内工作，因此在开发类神经硬件方面具有无可比拟的优势。 研究团队希望，接下来向神经元晶体管加入更多逻辑门，创建出更实用的具有生物学功能的神经元模型，进而将这些神经元晶体管集成到模拟神经突触的忆阻器中，构建出模拟大脑功能的人工神经系统。

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  • 意法半导体(ST)发布新款汽车芯片

     近日，横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商、先进汽车芯片顶级供应商意法半导体，发布了新的汽车信息娱乐处理技术，让有助于提升普通汽车高档感的纯数字式仪表盘(俗称液晶仪表盘)走进中低端车型。 意法半导体新推出的Accordo5汽车处理器产品家族可以让一个低功耗、小尺寸的处理器平台满足经济型汽车显示屏的主要性能要求。新产品单片集成完整的图形控制和音视频处理功能，有助于汽车系统厂商节省研发成本，简化组装工序，降低全数字仪表盘和影像导航主机的成本。Accordo5汽车处理器可实现驾驶者十分看重的实用功能，例如智能手机投屏可以让驾驶者在车载显示屏幕上安全查看或使用手机上的内容，例如音乐和导航服务。先进的主处理器和高性能图形及音视频引擎可以实现复杂的信息显示功能，例如，同时显示用户界面、倒车影像、导航地图、视频预览。播放功能支持H.264和DivX®等主要视频编码格式，以及涉及图形混合覆盖等图效处理的2D和3D图形。新产品提供USB接口和SD存储卡接口。 安全是用户看不到的，但对于今天网络化越来越高的汽车至关重要，Accordo5汽车芯片集成一个高性能安全微控制器，保护多媒体主机与汽车网络之间的连接通信安全。这款安全微控制器内置启动代码鉴权、安全互连和高性能数据加密等功能。 意法半导体汽车产品与分立器件事业部副总裁兼汽车数字产品部总经理FabioMarchio表示：“用图形界面的数字仪表盘代替传统的机械开关旋钮、按键和指示灯，可以让驾驶者更方便地了解汽车状况和车辆周围情况，数字影像主机可提升驾驶安全性和便利性。Accordo5汽车处理器通过高成本效益的单片解决方案提供最先进的功能，让汽车企业能够将这些好处提供给更多的客户。” 技术细节：Accordo5产品家族是意法半导体取得市场成功的Accrodo产品线的最新一代产品，集成ARM®Cortex®-A7处理器，各项参数领先于市场上其它品牌的数字信息娱乐芯片。Cortex-A7架构不仅尺寸小，而且性价比高，运算处理性能优异，访存速度快。Accordo5系列为设计人员提供多种配置选择，单核CortexA7支持外部16位高性能DDR3存储器，以及双核Cortex-A7支持外部16或者32位高性能DDR3储存器。 Accordo5虽然主打中档汽车市场，但是500MHz3D图形处理器内核使其图形处理性能远超同级产品。系统架构支持1080p分辨率的2D和3D图形，常用格式包括OpenVG、OpenGLES-2.0，具有图形效果功能，例如，灵活的多达四图层混合和视频覆盖功能。多格式视频子系统提供图效后处理功能，例如画中画。高性能音频DSP、六个立体声模拟声道和支持多个工业标准的音频接口使提Accordo5具有非凡的音频性能。内置显示控制器支持全高清分辨率的TFT-LCD触屏。 新产品家族进一步强化了安全性，内部集成一个ARMCortex-M微控制器，专门管理数字仪表盘与汽车主网络之间的CAN接口的安全。Accordo5芯片集成三个CAN端口，其中一个支持最新的CANFD高速传输标准，片上硬件密码加速器支持SHA-2、PK和AES加密算法，一次性可编程(OTP)存储器用于保存主密钥，防止数据被恶意篡改。这款微控制器的待机电流极小，整个芯片的功耗都经过精心优化，从而最大限度降低对汽车的电池消耗。 关于其它的先进技术，更高的热耗散-执行性能比有助于简化热管理设计，提高运行可靠性;灵活的信号布线可简化音频设计。 意法半导体为设计人员提供功能全面的软件和中间件IP，使用这个平台开发功能丰富的显示屏和仪表板变得更加简单。

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  • 中美学者联手打破限制谐振器设计的“时间带宽极限”

     中美学者日前联合在著名期刊《科学》上发表了一篇论文，打破了限制谐振器设计的"时间带宽极限"，被国外媒体称为"解决了一个百年物理难题"。论文共同作者之一、浙江大学光电学院现代光学仪器国家重点实验室郑晓东研究员告诉记者，本研究将对新型器件和系统的发展起到深远作用。论文共同第一作者、南昌大学沈林放教授此前亦曾在浙大现代光学仪器国家重点实验室工作。 谐振器件与系统在现代社会的各行各业得到广泛应用，如激光谐振腔、各种波导等。离开谐振，计算机不再计算、手机不能刷屏、电视无法显示图像、收音机无法收音、手表无法定时…… 长期以来，谐振系统的设计被认为受制于一个基本极限。科学家在1914年就发现，谐振腔要么储能时间较长，而带宽窄;要么带宽较大，但储能时间短。带宽表明数据的存储量。"时间带宽极限"意味着，在谐振腔内长时间存储大数据是不可能的，“长时间”和“大数据”鱼和熊掌不可兼得。 这种时间带宽极限规律提出之后的100多年来，从来没有被挑战过。物理学家和工程师一直据此来设计和构建光学、声学、电子谐振系统。从前沿的微纳/慢光波导、到原子/分子结构中的振动关系、所有类型的谐振腔、晶体振荡器等等被时间带宽极限所限制。 受时间-带宽限制的诸多光、电系统 而中美科学家本次研究打破了这一魔咒。郑晓东用一个粗略的比喻解释了科学家们的做法。谐振腔就像一间屋子，在门口的人通过荡秋千进入和离开屋子。谐振腔的时间带宽极限意味着这样一种奇怪的规定：如果大家荡秋千的速度一样，那么就以这同一速度荡进去，可以在屋子里待上比较长的一段时间，再统一荡出来;如果彼此速度不同，有快有慢，那就只能在屋子里待很短的时间，一进去就得荡出来。而科学家们提出的新方法，让人们并排以正常速度荡入屋内;而离开时就不再并排，而是以可控的速度依次按顺序向外回荡。也就是说，利用控制能量以不同速率进入和离开谐振腔的方法，或者说设计进、出时间非对称的谐振系统，成功打破了一百多年来限制谐振器设计的"时间带宽极限"。系统非对称的程度越高，超越"极限"的程度也越高。 接下来的问题是，如何能使进入和离开谐振系统的能量具有可以自由调节的速率，这是实现非对称系统设计的关键。论文中所使用的独家秘笈就是南昌大学和浙江大学合作研究的磁光材料混合谐振腔/波导系统利用这种系统，就可以游刃有余地自由控制反向传播电磁波的能量传播速率，在太赫兹波段，传统的时间—带宽限制已经可以提高上千倍。从理论上说，这种不对称系统中根本没有上限，带宽不再受制于能量的存储时间。 郑晓东认为，谐振系统时间带宽极限的突破，将会在物理和工程的众多领域产生深远影响，潜在应用前景十分广泛，包括通信、光探测、能量采集和信息存储等。例如，人们有可能实现真正的超连续谱直流激光，人类可以将很多现在的光源变成方向性的光源，甚至改变现在太阳能的储能模式等等。可以预料，在不远的将来，据此原理的大量新型器件和系统将应运而生。

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  • 我国石墨烯太赫兹外差混频探测器研究获进展

     近日，从中国科学院获悉，中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室与中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院纳米器件与应用重点实验室再次合作，在高灵敏度石墨烯场效应晶体管太赫兹自混频探测器的基础上，实现了外差混频和分谐波混频探测，最高探测频率达到650GHz，利用自混频探测的响应度对外差混频和分谐波混频的效率进行了校准，该结果近期发表在碳材料杂志Carbon上。 频率介于红外和毫米波之间的太赫兹波在成像、雷达和通信等技术领域具有广阔的应用前景，太赫兹波与物质的相互作用研究具有重要的科学意义。高灵敏度太赫兹波探测器是发展太赫兹应用技术的核心器件，是开展太赫兹科学研究的重要手段与主要内容之一。太赫兹波探测可分为直接探测和外差探测两种方式：直接探测仅获得太赫兹波的强度或功率信息;而外差探测可同时获得太赫兹波的幅度、相位和频率信息，是太赫兹雷达、通信和波谱成像应用必需的核心器件。外差探测器通过被测太赫兹信号与低噪声本地相干太赫兹信号的混频，将被测信号下转换为微波射频波段的中频信号后进行检测。与直接探测相比，外差探测通常具备更高的响应速度和灵敏度，但是探测器结构与电路更加复杂，对混频的机制、效率和材料提出了更高的要求。 天线耦合的场效应晶体管支持在频率远高于其截止频率的太赫兹波段进行自混频探测和外差混频探测。前者是直接探测的一种有效方法，可形成规模化的阵列探测器，也是实现基于场效应晶体管的外差混频探测的基础。目前，国际上基于CMOS晶体管实现了本振频率为213GHz的2次(426GHz)和3次(639GHz)分谐波混频探测，但其高阻特性限制了工作频率和中频带宽的提升。 石墨烯场效应晶体管因其高电子迁移率、高可调谐的费米能、双极型载流子及其非线性输运等特性为实现高灵敏度的太赫兹波自混频和外差混频探测提供了新途径。前期，双方重点实验室秦华团队和冯志红团队合作成功获得了室温工作的低阻抗高灵敏度石墨烯太赫兹探测器，其工作频率(340GHz)和灵敏度(～50pW/Hz1/2)达到了同类探测器中的最高水平。此次合作进一步使工作频率提高至650GHz，并实现了外差混频探测。 如图1所示，工作在650GHz的G-FET太赫兹探测器通过集成超半球硅透镜，首先通过216、432和650GHz的自混频探测，验证了探测器响应特性与设计预期一致，并对自混频探测的响应度和太赫兹波功率进行了测试定标。在此基础上，实现了本振为216GHz和648GHz的外差混频探测，实现了本振为216GHz的2次分谐波(432GHz)和3次分谐波(648GHz)混频探测。混频损耗分别在38.4dB和57.9dB，对应的噪声等效功率分别为13fW/Hz和2pW/Hz。2次分谐波混频损耗比216GHz外差混频损耗高约8dB。 此次获得混频频率已远高于国际上已报道的石墨烯外差探测的最高工作频率(～200GHz)，但中频信号带宽小于2GHz，低于国际上报道最高中频带宽(15GHz)。总体上，目前G-FET外差混频探测器性能尚不及肖特基二极管混频器。但是，无论在材料质量还是在器件设计与工艺技术上，都有很大的优化提升空间。根据Andersson等人预测，G-FET的混频转换效率可降低至23.5dB，如何达到并超越肖特基二极管混频探测器的性能指标是未来需要重点攻关的关键问题。

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