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  • 三星、现代、乐金来势汹汹两岸太阳能业者新挑战

    虽然此次德国Intersolar太阳能展已经落幕，但是从此展场中，太阳能业者认为，最值得两岸业者关注的新竞争对手莫过于后来进驻的韩系「三剑客」三星电子(SamsungElectronics)、现代(Hyundai)及乐金电子(LGElectronics)，太阳能业者指出，这3家业者来势汹汹，传出某1业者更祭出「现在购买、5年后付款」的优惠方案，明显冲著价格具竞争力的两岸业者而来。此次德国Intersolar太阳能展中，被列为新进者的韩国三星、现化及乐金被视为韩系「三剑客」，不但拥有雄厚资金，不像其它早期投入者担心银弹不足的问题，近年来在太阳光电领域积极布局看似成果有成，Intersolar展形同宝剑出鞘，祭出相当优渥的购买策略来吸引客户。太阳能业者表示，在该展中即传出，其中某家韩系业者除了向客户宣称其太阳能电池的转换效单晶已达18.5%、多晶已达17.5%，宣示其技术从未落人后，且号称2011年太阳能模块每瓦报价可达到1.55美元，虽然业者认为价格可能还不能与大陆业者相竞争，但若加上该韩厂本身的品牌影响力，其实在价格上已经相当具有竞争力。除了结晶矽太阳能模块外，该韩系厂也展示本身在薄膜太阳能模块市场的耕耘，主要重心会先锁定在透光型薄膜太阳能模块(SeeThrough)及一体型太阳能电池模板(Building-IntegratedPhotovoltaic；BIPV)领域，由于该公司已具有盖大型太阳能电厂的实战经验，市场预估，其最终大力布局的领域可望以终端太阳能系统端为主。第2家被点名的韩国厂除了拥有相当的技术能力外，积极朝垂直整合布局，且开始著墨太阳能系统端零件的耕枟，包括2010年最受瞩目的太阳能转换器(PVInverter)等，而最令业者关注的是，这次展览中传出该业者祭出「现在购买、5年后付款」的特惠方案，祭出的特惠震撼弹，摆明与目前在价格竞争力最具优势的大陆业者杠上。第3家韩国厂目前仍在积极建厂，且2012年产品才会大量问世，但祭出薄膜太阳能模块转换效达10%、结晶矽太阳能电池最高在18%以上，展示其在该领域的技术布局实力。太阳能业者表示，韩系业者在太阳光电领域的企图心向来强盛，即使相较于两岸业者可能较晚踏入太阳光电产业，但有规划性的循序布局与发展，也展示其后续爆发力不容轻忽，尤其祭出的购买配套方案不亚于目前在价格具领域优势的大陆垂直整合厂，将使后续市场竞争更加激烈。太阳能业者也直指，韩系业者在太阳能系统领域具实战经验，所以，垂直整合布局好后，极可能大力发展获利空间相对高的全球太阳能系统领域，但台湾的政府在补助及辅助上相对落后，使得台系业者多数至今仍无大规模系统的实战经验，未来在系统端的竞争上也相对显得弱势。

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  • 飞兆半导体获得Celestica颁发总体拥有成本供应商奖项

    飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布荣获端到端产品生命周期解决方案供应商 Celestica公司颁发2009年总体拥有成本 (Total Cost of Ownership, TCOOTM) 供应商奖项。有关奖项是表彰支持Celestica的TCOO 采购战略并为其产品提供尽可能好的供应链解决方案的供应商。飞兆半导体全球电子制造服务商 (EMS) 部门副总裁Andrea Mirenda称：“我们非常高兴获得Celestica颁发的供应商奖项。帮助客户取得成功是飞兆半导体的重要前提，而这一奖项正好确认我们配合Celestica的战略交货期管理目标而作出的努力。我们期待继续与Celestica密切合作，并致力于提供高品质产品和卓越的供应链管理，以推动终端产品的差异化。”今年是Celestica第四年颁发TCOO供应商奖项。Celestica通过公司的TCOO体系考核供应商在质量、交货、技术、服务、价格和灵活性等指标，从而度量供应商在发票价格以外的制造、付运和支持产品与服务的总体成本，以评测供应商的表现，并颁发奖项表彰Celestica超过3000家全球供应商中表现卓著的企业。Celestica首席采购官Harvinder Sembhi称：“我们热烈祝贺飞兆半导体获得2009 TCOO供应商奖项，并诚挚地感谢飞兆半导体支持Celestica的供应链战略，帮助我们提升供应链的速度、灵活性和响应能力。”

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  • iSuppli：半导体供应商的芯片库存仍保持低位

    iSuppli称，半导体供应商的芯片库存仍保持在异常低的水平，库存周转天数似乎要远远低于财务报告中显示的水平。第一季度全球半导体库存价值相当于257.3亿美元，仅较此前一个季度增长1%，较上年同期仅增长0.2%。预计第二季度库存价值增长3.3%，至266亿美元，延续2010年初以来的缓慢增长趋势。iSuppli称，第一季度的 69天中，库存周转天数较2009年第四季度增加3.2%，这一数据看起来似乎令人满意，但倘若将已公布收入、库存价值及调整后的销货成本考虑在内，那么当季库存周转天数实际较传统季节平均水平低20%。

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  • 新加坡电子产业发展迅猛

    一提到新加坡，我们往往会联想到美丽的圣淘沙和鱼尾狮，但其实旅游业并非新加坡的支柱产业，真正拉动GDP增长的则是以电子产业为龙头的一系列实体经济。来自新加坡经济发展局（简称EDB）的数据显示：2009年，新加坡国内生产总值为2650亿新元（1820亿美元），其中制造业以20%份额居首位；而在制造业中，电子产业又以32%的比重遥遥领先于化工、交通、生物医药等其他产业。新加坡EDB电子产业署署长方秉芬告诉记者：“尽管在去年受到全球经济的影响，新加坡GDP出现2%的负增长，但电子产业依旧逆市上扬，创造产值达639亿新元，解决就业人口约9万人。”同时她还表示，今年一季度新加坡GDP急速回升，电子行业累计产值上涨70.2%，成为重要的经济引擎，外资企业纷纷进驻并设立分支机构，产业项目投资和技术人才引进也越发频繁，截至目前，全球电子领域排名前50的知名企业都将自己的研发中心或亚太总部迁移至此。这一连串的数据足以投射出新加坡繁荣的产业景象，但令人好奇的是，为何这样一个资源贫瘠、土地稀少，连饮用水都要进口的国家能够吸引如此多跨国企业的目光，并成为他们立足亚洲、辐射全球的战略要地？在走访了新加坡当地众多的电子企业后，记者发现，良好的亲商政策、成熟的产业环境、开放的人才引进以及便利的运输通道成为了企业们评价新加坡的一致口径。亲商环境赢得企业信任“稳定的政治环境和完善的商业服务设施一直是新加坡政府给予跨国企业的重要承诺，同样我们在税收等方面也提供了一系列优惠政策。”Contact Singapore区域主任王隆庆告诉记者，在新加坡，企业申请执照的流程非常简洁，手续齐备的话只需要几分钟时间。在今年4月，新加坡经济战略委员会更是提出了七大经济促进战略——提升本地技能、打造亚洲枢纽、加强研发成果商业化以及促进全球化文化交流成为政府报告中的关键词。这些战略也将进一步巩固外资企业投资新加坡的信心，“并为新加坡未来10年内实现年均增长3%～5%奠定基础”。相关政府官员还表示：“跨国企业未来依然是国家经济中的主要角色，与此同时，新加坡也将吸引中型企业和亚洲企业进驻，并在产业链中形成互补。”如此成熟的经商环境显然不是一蹴而就的，经历了40多年的发展演变，新加坡逐渐意识到，只有发展具备高附加值的创新科技产业才能使国家经济长远发展，因此新加坡坚持经济转型，从上世纪60年代的劳动密集型，到70年代的技术密集型，再到80年代的资本密集型，90年代的科技密集型，直至发展成为今天的知识密集型产业，而电子产业的重要地位也在这一长期的产业经济转型中不断凸显。与此同时，新加坡独特的人口构成也为众多企业实现全球化提供了舞台。Silicon Labs嵌入式混合信号产品设计总监Kafai Leung表示，IC设计的人才和技术门槛非常高，企业为谋求发展需要不断吸收外界养分，因此全球化是芯片企业的必然趋势，而新加坡正处中西文化的交汇处，摒弃了本土文化限制，来自世界各国的企业和个人可以在开放的环境下得以快速成长。链条式发展打造产业群除了亲商环境，链条式的产业群建设也是新加坡电子产业的重要特征，半导体行业就是其中的典型案例。最新数据显示，半导体已成为新加坡重要的支柱性产业，占电子制造业58%的份额；同时，新加坡半导体的产能在全球的比重已从2001年的6.3%上升至2009年的11.2%，由此，新加坡成为了全球半导体行业的产业重镇。“从IC设计、芯片制造，再到封装和测试，新加坡的半导体产业已经形成了一个成熟的产业生态环境，来自全世界的芯片大鳄几乎都已在此设厂，紧密的产业链条不但为企业找到了产业定位，同时也在加速产业的全球一体化进程。”Avago公司人力资源负责人Iris表示。来自EDB的报告显示，新加坡半导体相关企业数量已经超过300家，分别来自北美、欧洲、日本等多个地区，其中包括40家IC设计公司、14家硅晶圆厂、8家特制晶圆厂、20家封测公司以及一些负责衬底材料、制造设备、光掩膜等产业周边企业。而在今年5月，英飞凌表示将再度投资1400万新元，扩充自己在新加坡的研发基地。“产业生态系统的建立无论对当地经济还是企业发展都是有益的，联发科作为IC芯片设计厂商在无线通信、多媒体数字领域提供芯片整合解决方案时，已与当地多家半导体相关企业达成了合作关系，以完善联发科在研发和测试方面的工作。”联发科研发部门杨文轩表示。据悉，联发科早在2004年就在新加坡成立了研发中心。

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  • 市场转好WSTS及SIA提高预测

    如果您是半导体业的预言者，六个月过去将作什么调整？随着前几个月半导体业转入增长时代，WSTS及SIA将调整去年11月的预测，而作新的2010年半年预测。目前WSTS对于2010年非常乐观，与先前的预测相比，增加3倍达29％为2900亿美元。其它多家市场分析机构也更新预测，认为今年增长30%有可能，但是未来两年2011-2012将下降到个位数的增长，并预计2010-2012期间的年均增长率为12.3%，达到3200亿美元规模。 从器件类别及地域看，与6个月之前相比它们的增长率近翻倍(存储器与分立器件增长率更高)。因为2009年最终结果，也即上次11月预测的1个月之后也发生了大的变化，如整个半导体业的增长提高了2.8%及存储器提高了近5％。 同样，由于SIA是基于WSTS的数据作的预测，但也有少些不同，如SIA预测2010年半导体增长28.4%/2905亿美元，紧接着2011年增长6.5%/3080亿美元及2012年增长2.9%/3178亿美元。从2010年上半年看各类产品，包括地区的市场全线上扬，库存在合理范围内，未见异常。这是SIA总裁GeorgeScalise所言。由于发展中国家如中国，印度等大力推动IT市场需求，预计全球GDP在2010及2011年分别有4.6%与4.4%的增长。下表为SIA半导体业预测;

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  • 乐金电子计划5年内斥资8.28亿美元拓展太阳能电池事业

    韩国乐金电子(LGElectronics)计划在2015年以前斥资1兆韩元(约8.28亿美元)发展太阳能电池事业。乐金电子预估在2015年前，太阳能电池事业将贡献3兆韩元营收，产能由240百万瓦提升至10亿瓦。2008年时，乐金电子完成其第1条太阳能电池生产线，并在2010年开始投产，产品主要内销和销往欧洲市场，该公司预定在今年增开第2条产线。乐金电子计划将未来的成长重心放在太阳能事业上，2010年4月曾表示，2020年前将投入20兆韩元降低集团温室效应气体排放，以及发展省能源产品。

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  • 传西班牙拟调降太阳能补贴额预计10月前实施

    西班牙太阳光电工业同业(AsociaciondelaIndustriaFotovoltaica，简称ASIF)发言人TomasDiaz指出，西班牙政府打算将目前落地式太阳能面板厂的补助额调降30%，未来则将进一步调降45%。此外，屋顶太阳能系统补贴额也将调降25%。Diaz表示，他不认为太阳能产业能够在此种补贴条件下存活。西班牙相关主管机关发言人不愿对此消息作出回应。Diaz表示，西班牙可能会在2010年10月以前宣布调降太阳能补贴额。他指出，西班牙政府希望立即调降补贴，并要求太阳能业者在两天内决定现有厂房补贴调降的方式。美国多数太阳能类股16日闻讯走软。大陆太阳能电池生产巨擘无锡尚德(SuntechPowerHoldingsCo.Ltd.)跌1.66%，收10.08美元。美国太阳能电池厂商SunPowerCorp.跌1.19%，收14.06美元。大陆太阳能垂直整合大厂林洋新能源(SolarfunPowerHoldingsCo.Ltd.)跌2.77%，收8.07美元。西班牙经济学家报(ElEconomista)报导，国际货币基金(IMF)、欧盟以及美国财政部计画为西班牙提供最多2,500亿欧元(3,070亿美元)的信用额度。不过，欧盟与西班牙政府都否认了这项报导。西班牙央行16日指出，将会公开银行压力测试报告，而德国也正在与针对银行测试报告的公开事宜与欧盟合作。

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  • 意法半导体与清华大学建立长期合作伙伴关系

    意法半导体与清华大学建立长期合作伙伴关系清华大学意法半导体2010年6月18日，意法半导体与清华大学深圳研究生院达成建立长期研发战略合作伙伴关系。从2002年建立ASIC专用集成电路合作研究中心开始，本战略合作协议的签订代表双方的合作关系已进入第二阶段。意法半导体将在数字多媒体芯片和应用软件以及先进模拟芯片和应用软件方面为清华大学提供工程项目、技术支持和先进设计工具。根据本协议的规定，意法半导体还将向清华大学深圳研究生院提供5年的研发经费，每年100万人民币，并负责每年研发项目全面评审。清华大学深圳研究生院和清华大学电子工程系将为双方的长期研发合作提供充足的人才资源(包括毕业生和专业技术人员)、设备及对中国市场的深入而全面的认识。清华大学深圳研究生院常务副院长康飞宇教授评论这项长期研发战略合作伙伴计划时说：“该项合作为清华根据市场需要开发IC模块和芯片推进集成电路设计和创新水平提供了很好的机会。发挥双方的技术、人才与管理优势，拓展合作领域，合作项目主要为未来5年将要转化为实际应用的科研领域，对于迅速提高、加强国内设计人员的研发水平非常有益。”意法半导体公司副总裁兼大中国及南亚区首席执行官FrancoisGuibert对此次合作持积极的欢迎态度：“意法半导体已经在中国市场发展很多年，我们建立了实力雄厚的本地芯片封装、设计和应用开发团队。意法半导体与清华的合作关系将有助于提升公司针对本地市场的需求提供定制的芯片解决方案的本地化能力。与清华大学的长期研发合作，将进一步拓宽并巩固意法半导体在全球最活跃、发展最迅速的市场中与主要厂商的良好关系。”与清华大学的长期研发战略合作作为意法半导体在欧洲、亚洲和美国与一流大学及研究机构建立的合作伙伴体系的重要补充，将带来由本地设计的复杂芯片数量的大幅增长。

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  • 以芯片为纲三星LED链条式扩张

    6月9日，在天津经济技术开发区微电子工业区内，天津三星LED有限公司举行了新生产线投产庆典。天津三星LED有限公司成立于2009年6月，用地面积为43000平方米。仅仅一年多，天津三星工厂扩大产能迅速实现一变三。这只是三星LED产业链上的一个环节，来自韩国工厂的芯片，会在这里完成封装以及形成模块的研发、制造和下游的应用销售。LED产业是三星垂直一体化的产业整合能力又一典型代表，这使得其在终端市场中更具竞争力。产能一年翻番天津工厂要做全球第一据天津三星LED有限公司总经理金常务介绍，2009年6月，以天津三星LED第一家工厂为基础，将LED事业从三星电机高新法人分离出来，设立了天津三星LED有限公司。2009年9月，在天津市微电子工业区租用了现代电子的建筑，进行改造，建立了二工厂，用于生产LED彩电用的PKG。2010年2月，三工厂也正式量产LEDPKG和LED彩电用模块。“到目前为止，我们已经具备了相当规模的生产能力。”金常务表示。天津三星LED延续了生产制造部门的低调，当日并不愿意透露具体的投资额度以及产能。南都记者侧面了解到，目前市场上彩电用LED很大部分来自于这里，其中一厂主要生产手机、电脑用产品。二厂、三厂产品则主要用于汽车和彩电。二厂、三厂和一厂的产能相差不大，这意味着产能实现了200%左右的增长，而且四厂也已经在规划中。南都记者在二厂看到，密闭的生产线24小时不停运转，LED产业是技术和资金密集型产业，一个车间内仅有几位员工在一台台机器间不断查看数据。据三星方面介绍，来自三星韩国工厂的芯片，就是在这里进行封装，焊金丝线，点荧光粉，经过一系列环节后形成LED产品，除了实现自我供给，还向多家其他企业供货。1995年4月，三星迈出LED事业第一步，三星希望通过将LED用于便携产品、彩电等找到新的市场空间。2009年4月，三星电子和三星电机携手，创立三星LED公司，之后两个月就有了天津三星LED。韩国三星LED总裁金在旭表示，天津三星LED公司在成立时，就确立了目标，即成为世界第一的LED公司，起到“三星LED全球化的尖兵作用。”在三星的新战略产业投资计划中，截至2020年，将在LED(显示材料)、环保能源等领域投资23.3兆韩元(约合1407.32亿人民币)，其中三星在LED产业投资最大，将从显示用背光源向照明、发光电子部件等领域扩大，计划到2020年实现累计投资8.6兆韩元，销售额17.8兆韩元。链条式扩张实现规模效应LED是三星颇为得意的一步棋。2009年三星率先推出LED电视，全球销量一举突破260万台，这被内部称为“空前的成功”。事实上，三星LED电视的背后有一个完整的产业链条为其提供支持。在韩国的水原总部，主要承担了销售、采购、管理支援等核心技能以及研究开发部分。韩国器兴工厂负责生产芯片等业务。天津的LED工厂则负责将芯片加工成LED产品的包装工程与模块工程。除了韩国和中国，还在全球六个国家设立了销售部门。“我们是全球最大的半导体企业，这使得我们在发展LED产业上占据优势”。有三星内部人士表示，三星在半导体产业积累了大量的技术和经验，对于LED芯片生产、研发提供了支持。此前，也有三星内部人士表示，三星的芯片是公司盈利最为丰厚的部分，美国市场调研公司ICInsights预计，韩国三星电子公司2010年全年的半导体芯片销售额将会增长50%，飙升至300亿美元。在5月中旬三星抛出的2010年年度26兆韩元的一揽子投资计划中，半导体领域就占了11兆韩元。与很多欧美厂商不同的是，三星不仅仅有很强的研发能力，也坚持自己建厂、自己生产，这种垂直一体化的产业整合能力在全球信息产业巨头中比较少见。据了解，天津三星LED销售增长迅速，对比前一年已经实现了三倍增长。目前，液晶面板正逐步采用LED背光源。这意味着，LED背照灯成本的降低和芯片的稳定供应成为竞争的关键。南都记者了解到，天津三星LED的设备价格每台高达10万美元，采购规模不下千台。动辄上亿美元的投资，使得三星可以尽快实现规模效应，降低成本。

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  • 传德国太阳能补助原案7月1日砍16%

    期待德国后延下砍补助的人恐要空欢喜一场！德系太阳能业者表示，德国已通过依照原案于7月1日下砍太阳能屋顶补助费率16%，地面太阳能电厂费率下砍15%。显示德国上议院6月初的杯葛最后是无功而返，而全球市占率高达5成的德国市场大刀下砍后，预估市场将在近期快速反应7月的新环境。太阳能业者表示，德国市场已传出，其新太阳光电补助案将照原案执行，太阳能屋顶补助下调16%的电价买回费率补助，地面(groundmounted)装置补助则下调15%，均在7月1日实施，2010年若安装量超过35亿瓦，则再追加2.5%的下调补助、2012年后变成追加3%。由于时差关系，目前在国际媒体上仍未见相关报导，不过，依照业者最初判断，德国或后延下砍补助的日期，德系业者因空窗期无法适从，期间所造的损失，可以依法控诉德国政府并要求赔偿。德国下议院原定决的法案，在6月初受到上议院杯葛，上议院要求以下砍不超过10%的补助费率来挽救德国的太阳光电产业供应链及补助下砍所造成的就业危机，让市场期待下砍补助案可能后延，现在看来恐是空欢喜一场。

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  • 半导体制造：又逢更新换代时

    环保意识的提升，首当其冲的就是对各种电子产品能效指标的愈加严格，功耗管理及其对系统成本和性能的影响是当前电子系统设计人员和制造商所首要关注的问题。随着竞争日益激烈，尽力降低功耗、加强对热耗散的有效管理、并同时在由价格和性能驱动的功能方面保持领先等更加不可或缺。与众多先进电源管理方案实现降低系统功耗相比，制程工艺的进步才是提升性能和降低功耗最根本的办法，转向更高制程无疑是提升半导体产品性能功耗比和市场竞争力最直接有效的办法。　　市场研究机构Gartner Dataquest产业分析师Kay-Yang Tan表示，过去数十年来，集成器件制造商(IDM)在工艺技术及服务的创新方面扮演领航者的角色，未来也将继续在新世代产品的开发上扮演重要的角色。专业集成电路制造服务领域所产出芯片的市场销售金额占全球半导体业的比例已从1998年的9.2%增加到2009的28.1%。　　经历过经济危机的洗礼之后，半导体市场从2009年下半年开始强力反弹，在这样的市场大环境推动下，2010年又将迎来一个制程工艺全面革新换代的年份。2009年，Intel已经迈入了32nm时代，今年领先的几大代工厂商均已经宣布开始量产32nm的博弈。TSMC(台积电)、IBM联盟以及三星都已经在2009年公开了自己2010年的工艺革新计划，只是，这次三大代工阵营似乎如商量好般直接发布自己的28nm工艺，而跳过了32nm这个主节点。　　代工厂的进程　　28nm工艺是目前几大主流Foundry(代工厂)提供的新一代工艺节点，代工界龙头TSMC计划于2010年第三季与第四季依序推出28LP 低耗电及28HP高效能的工艺以满足客户的需求，并且于2011年第一季再推出28HPL 高效能低耗电的后续工艺。一般而言，大规模的生产时程会于推出半年后开始。TSMC将同时提供客户高介电层/金属栅(HKMG，High-k Metal Gate)及氮氧化硅(SiON，Silicon Oxynitride)两种材料选择，与40nm工艺相较，栅密度更高、速度更快、功耗更少。TSMC负责研发的资深副总蒋尚义博士介绍，之所以选择跳过32nm，是因为工艺都是基于服务客户的需求。 相较于32nm，28nm的栅密度显然更高许多。同时考虑到客户在高效能对于速度以及无线移动通讯对于低耗电方面的要求分别推出以HKMG栅极工艺的28HP以及延续SiON闸极介电材料的28LP，相信会给客户带来更多在效能，耗电及成本方面的效益。　　TSMC的HKMG用于28HP高效能是全新的工艺，与40nm相较在相同漏电基础上有50%的速度提升，相同速度基础上漏电亦有大约50%的降低。HKMG的工艺成本会增加，但是TSMC在每一代的工艺都会给客户尽可能高的性价比。TSMC的28nm HKMG比一般32nm有更高的栅密度、更快的速度、更低的耗电，同时HKMG更进一步降低了栅极的漏电。尽管也有竞争对手同时有采用Gate first的工艺，但是这种单一金属材料很难同时让NMOS、 PMOS 达到功能的匹配。TSMC使用不同的金属材料使得NMOS、PMOS在功能的匹配及Vt调整上都能达到要求。　　从设计角度，蒋尚义博士介绍，28nm与现在的45(40)nm这代工艺相比存在全新挑战。 TSMC在45(40)nm 采用了部分的设计准则限制(Restricted Design Rule)，但是到28nm设计准则限制的范围更加扩大;另外提取和仿真(extraction and simulation)需要处理更多的数据。为了应对这些挑战，TSMC和客户以及设计伙伴间对每个产品都必须更早及更紧密地联系及合作。　　为了提高合作的效能，TSMC为了先进工艺推出多项EDA技术档案。包括可互通的制程设计套件(iPDK)、制程设计规则检查(iDRC)、集成电路布局与电路图对比 (iLVS)，及制程电容电阻抽取模块 (iRCX)，其中iRCX就是为28nm推出的。　　与前一代工艺比较，为了依然能够达到让新工艺有大约2倍的栅密度(gate density)，TSMC的28nm 在线路布局方面有新的要求。同样地，将来更新工艺如 22/20nm在design rule(设计准则)方面会有许多新的要求与限制以达到栅密度倍增的要求。将来可以预见的是客户会更紧密地与晶圆代工伙伴合作以提前应对许多在制程工艺以及设计上更多的挑战，以达到上市以及上量的目标。     Fabless择机而动　　处理器、FPGA与基带处理，这三个能够完成独立处理功能的半导体产品还有什么共同点?那就是必须一直坚持紧跟工艺革新的步伐，否则就将面对可能掉队的危险。这三种产品其实并不一定是采用最领先的制程就能制造出最符合市场需求的产品，但面对着越来越激烈的半导体产品竞争，三大产品线已经不得不咬紧牙关，把工艺紧跟到底。在众多Foundry已经公布28nm路线图的基础上，目前只有这三大应用的Fabless公司高调公布了自己的28nm产品战略。　　处理器　　Intel早已在2009年就开始32nm生产，作为目前唯一一个宣称要坚持到底的IDM厂商，Intel一直将工艺作为其产品的核心竞争力之一。而另一家处理器厂商AMD则还在与自己的代工厂GLOBALFOUNDRIES(GF)进行相关工艺开发，预计今年下半年可以推出32(28)nm的工艺。通用处理器IP厂商MIPS同样已经开始推出基于全新制程节点的参考设计提供给客户。　　便携处理器方面，GF和ARM共同发布了其尖端片上系统平台技术的新的细节，该平台技术专门针对下一代无线产品和应用。这一新的平台包括两种GF的工艺：针对移动和消费应用的28nm超低功耗(SLP)工艺和针对要求最高性能应用的28nm高性能(HP)工艺，预计GF将在2010年下半年启动制造生产。相较于以往的40/45nm技术， 28nm工艺及其Gate-First HKMG技术能够提供卓越的性能收益。根据目前的预计，28nm HKMG在相同的温度范围(thermal envelope)内提高约40%的计算性能，改善移动设备的应用性能，强化多任务处理能力。客户在广泛采用的Gate-First方法中的获益，现在也能在 HKMG工艺中取得。与40/45nm工艺相比，28nm HKMG工艺的结合能够提升30%的功耗效率，并将待机电池寿命延长了100%。　　FPGA　　Altera公司在今年2月初旧已经确定2010年将携手TSMC推出自己的28nmFPGA产品，同时在即将推出的28nm中采用的创新技术：嵌入式HardCopy模块、部分重新配置新方法以及嵌入式28/Gbs收发器，这些技术将极大的提高下一代Altera FPGA的密度和I/O性能，并进一步巩固相对于ASIC和ASSP的竞争优势。Altera总裁、主席兼CEO John Daane评论说：“随着向下一工艺节点的迈进，Altera的这些创新技术将引领业界超越摩尔定律，解决带宽挑战，同时满足成本和功耗要求。”　　赛灵思可编程平台开发全球高级副总裁 Victor Peng 指出：“在 28 nm这个节点上，静态功耗是器件总功耗的重要组成部分，有时甚至是决定性的因素。由我们选择了TSMC和三星的高介电层/金属栅 (HKMG)高性能低功耗工艺技术，以使新一代 FPGA 能最大限度地降低静态功耗，确保发挥28 nm技术所带来的最佳性能和功能优势。”赛灵思28nm工艺技术的相关产品将于 2010 年第四季度上市。    基带处理器　　规模最大的fabless企业高通资深副总裁兼通讯科技总经理Jim Clifford表示，高通借由领先业界的整合、兼具功耗及成本效益的产品，为客户带来“利用最少资源，获得更多效益”的重要优势，其关键在于与Foundny的紧密合作，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28nm进行量产。28nm工艺密度可较前一代工艺高出一倍，让进行移动计算的半导体器件能在更低耗电下提供更多功能。高通与TSMC目前在28nm的合作包括HKMG高效能工艺技术以及SiON的低耗电高速工艺技术。此外，高通预计于2010年中投产首批 28nm产品。　　出货量最大的Fabless企业—博通公司的运作和中央工程执行副总裁Neil Y. Kim认为：“我们有计划向下一代的制程技术转移。博通公司也正在研发下一代制程技术的设计平台，向先进制程参数转移的首要原因就是它可以提升性能、降低功耗、减小芯片尺寸，并且实现更高的集成度。我们的评估显示下一代先进制程可以提供上述所有好处。”对于博通而言，由于产品线相对比较广，因此Kim介绍，博通会根据市场需求进行不同产品的评估。大部分采用28/32nm制程技术的产品更具竞争力，根据市场需要博通已经做好准备迎接新制程技术的采用，28nm工艺可以为手机和其他应用提供更高的带宽和更低的能耗。此外，新工艺还将持续着力于实现更高程度的系统集成并推动融合。随着融合不断的推进，拥有更强大IP的公司可以更受益于新的制程技术。(由于设计的复杂性)产品研发的平均成本将会继续提升，他们会要求更多的资源、计算和存储。这就像是提高了入门成本，但是相信消费者也更快地意识到新工艺的好处。　　未来：全代CPU和半代SoC?　　按照摩尔定律的指引，多年来制程更新的尺寸都是前一代的0.7倍，随着存储器行业不断在PC的推动下快速成长，存储器逐渐超越CPU成为制程工艺的领导者，而存储颗粒的尺寸直接决定了存储器单位面积上的存储容量，这就让存储器厂商在如何缩减工艺尺寸上绞尽脑汁。于是，诞生了一个比标准工艺节点(全代工艺)更高密度的工艺，与其同属一代工艺而工艺尺寸只有全代的0.9。毫无疑问，这样的变化对Fab的改进不大，投入可以接受，却可以提供密度为全代工艺1.24倍的芯片，对客户来说，在成本支出不大的情况下可以让其产品更有性能竞争优势。对于这样的革新，某厂商赋予其一个带有些许感情色彩的称呼：半代!　　随着所有Foundry齐齐转向28nm的“半代”工艺，半导体极有可能以制程分成两个阵营，对于需要紧跟制程革新脚步的应用芯片来说，芯片的种类将直接决定了采用的制程工艺，由于大部分选择了代工，SoC及更接近SoC的FPGA等将绝大部分以“半代”工艺出现，而CPU依然在Intel的坚守下停留在“全代”工艺。当然，还有些许疑问等待未来证实：拥有CPU生产订单的GF是否会同时兼顾全代和半代两个阵营，还是将AMD的CPU推进到半代工艺;Intel重兵出击的SoC产品，比如Atom处理器等低功耗芯片，是继续坚持Intel的全代工艺还是转向更主流的SoC半代工艺。　　32nm的硝烟刚刚开始，22nm工艺的路线图也日渐清晰。旧金山秋季IDF 2009上，Intel总裁兼CEO Paul Otellini就展示了世界上第一块基于22nm工艺的晶圆，并宣布将于2011年下半年发布相应的处理器产品，开发代号Ivy Bridge。展示的测试晶圆采用22nm工艺结合第三代高K金属栅极(HK+MG)晶体管技术、193nm波长光刻设备制造而成，其上既有SRAM单元也有逻辑电路，并且切割出来的芯片已经可以实际工作，将成为Intel未来22nm处理器的基础。4月14日，TSMC蒋尚义博士谈到TSMC20nm工艺将比22nm工艺拥有更优异的栅密度以及芯片性价比，为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。此外，20nm工艺预计于2012年下半开始导入生产。TSMC20nm工艺系在平面电晶体结构工艺(planar process)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(HKMG)、创新的应变硅(strained silicon)与低电阻/超低介电值铜导线(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技术。同时，在其他晶体管结构工艺方面，例如鳍式场效晶体管(FinFet)及高迁移率(high-mobility)元件，也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。从技术层面来看，由于已经具备了创新微影技术以及必要的布局设计能力，TSMC因此决定直接导入20nm工艺。    如此看来，IDM与Foundry之间已经明显出现制程节点的不同，这一趋势将持续存在下去。现在尚不能评价半代和全代工艺哪个更适合半导体产业的发展，至少半代总算是一种技术上的进步，只是做出半代还是全代选择的权利还是应该留给芯片设计者，在选择中去体验两种技术的不同也许对半导体产业来说才是更健康的发展之路。　　参考文献：　　[1]李健. 半代工艺盛行 Fabless的幸福还是无奈[OL] .http://lijian1.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/72393　　[2]TSMC. TSMC宣布发展20nm工艺[R].2010.04.14　　[3]李健. 40nm工艺带来全新竞争力[J].电子产品世界，2009,16(9)　　[4]赛灵思.赛灵思 28 nm技术及架构发布背景[R].2010.02.23　　[5]高通.高通公司与TSMC在28nm工艺技术上携手合作[R].2010.01.11

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  • Gartner：今年半导体设备市场急速膨胀

    进入2010年后，全球半导体接连扩大设备投资，将使半导体设备市场急速膨胀。据市调机构Gartner预测统计，因全球半导体企业自2009年底开始为因应逐渐转好的市场情况，纷纷进行大规模投资，2010年如光学设备等半导体制造设备将较2009年增加113%。三星电子(SamsungElectronics)投资了较原本预定的5.5兆韩元，多63.6%的9兆韩元资本额进行新产线及30奈米DRAM量产线建设。日前也发表对位于美国德州奥斯汀的半导体工厂进行36亿美元的投资计划。海力士(Hynix)也将年初设定的2.3兆韩元资本额提升32.6%至3.05兆韩元。东芝(Toshiba)投资3,500亿日圆建设产线、尔必达(Elpida)也发表将投资600亿日圆进行工程转换，南亚也将花费新台币220亿元进行设备投资。2010年初每颗价格约2.4美元的DDR3芯片最近的固定交易价约为2.7美元，与年初约为3美元的现货价格相比略微下跌，但5月底仍维持在2.6美元在线。Gartner表示，随着半导体需求持续增加，设备市场的成长趋势将持续至2011年，然至2012年将逐渐趋缓。

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  • 北美5月半导体设备B/B值1.12订单连升14个月

    国际半导体设备材料产业协会(SEMI)周四公布，北美2010年5月半导体设备产业订单出货比(B/B值)为1.12。今年4月B/B值则修正为1.13。5月数字显示，晶片设备业者出货100美元，即接获112美元订单。北美半导体设备制造商5月接获全球订单的三个月平均值为14.8亿美元，较2010年4月修正后的14.4亿美元成长2.8%，与2009年5月的2.878亿美元相比则激增415.3%。北美半导体设备商5月对全球出货的三个月平均值为13.2亿美元，较今年4月修正后的数字12.8亿美元增加3.1%，与2009年5月的3.926亿美元相比，则增加236.0%。SEMI总裁兼执行长StanleyT.Myers表示：「晶片设备订单已连续14个月走扬，与市场复甦及企业提升资本支出的现况相符合」。他强调，位在供应链中的SEMI成员，正努力履行客户订单，以因应这波上升的需求。

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  • 印度半导体市场增长15％

    按印度半导体联盟(ISA) 报道，随着印度国内电子市场的迅速增长，电子工业的发展己被国内提到议事日程上来。按ISA的一份研究报告，2009印度半导体市场达54亿美元及到2011年可能增长达到80亿美元以上，年均增长率可达22%。按ISA的数据，2009印度存储器芯片市场为13亿美元，ASSP芯片市场为11亿美元，微处理器芯片7.34亿美元，ASIC芯片5.81亿美元，模拟功率芯片3.38亿美元，模拟混合讯号芯片3.34亿美元，传感器芯片1.54亿美元，Logic/FPGA 1.34亿美元，微控制芯片8600万美元及DSP芯片市场3000万美元。据ISA报道，从应用类分，无线手机芯片占2009年印度半导体市场的27.5%，而通讯芯片占19%，讯息技术与办公室自动化占34%及消费电子占8%。按Frost & Sullivan的研究，印度半导体市场依2009与2008的比较增长15%以上，而全球半导体市场下降11％。ISA的总裁Poornima Shenoy认为，手机、3G网络、WiMAX、笔记本电脑、机顶盒和智能卡等是印度半导体市场的主要推手。随着印度的通讯设施完善，相应印度的半导体芯片消费会迅速增加，在2009-2011年期间增长达132%。按印度ISA的董事长及TI印度公司的头Biswadip Mitra的说法，在电子系统设计与制造(ESDM) 中可能有更大机会，印度电子工业市场估计可从2009的250亿美元增加到2011年的370亿美元。Mitra认为印度将通过多个方面，如通讯、工业、汽车、消费及保健电子等产品来推动ESDM的发展。ISA的任务是把终端电子产品和OEM联合起来，并加强紧密的合作来推动印度电子工业的进步。

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  • 传海力士债权机构于6月中出售5%股份

    据彭博(Bloomberg)报导，韩国经济日报(KoreaEconomicDaily)指出，海力士债权机构计划于2010年6月中之后，以成批出售(blocksale)的方式出售约5%的股份，然韩国经济日报并未提供消息来源。此外，该报导称海力士将采用毒性卖权(Poisonput)避免恶意购并竞标。海力士债权机构韩国外汇银行(KoreaExchangeBank)于先前表示，海力士的债权人将在2010年出售13%的股权，其中8%将在2010年上半卖出，其余5%将在下半年出售。

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