更多

  • 2月份全球半导体销售额同比增加56.2％，日本市场仅增23.7％

    美国SIA（半导体工业协会）公布的资料显示（英文发布资料），2010年2月份的全球半导体销售额为220亿4000万美元（3个月的移动平均值，下同）。同比大幅增加56.2％。环比减少1.3％。 SIA在发布月份的数据时，还同时公布其上个月的修正值。修正的影响时小时大。此次属于后一种情况，2010年1月的全球销售额由一个月前发布时的224亿9000万美元修正为223亿2000万美元。虽然修正幅度不到1％，但是低于2009年12月的224亿3000万美元，全球销售额为连续两个月环比减少。 与上年同月相比，日本市场的落后令人注目。如上所述，全球销售额增加了56.2％，日本市场仅增23.7％。而亚太地区同比增加了78.6％，创下了惊人的增长记录。另外，日本市场从2009年11月开始连续四个月被美国市场超越。（记者：小岛 郁太郎）  

    半导体 半导体 BSP 移动

  • 晶澳太阳能第一季出货量超265兆瓦

    晶澳太阳能公司(JASO)表示，目前预计第一季太阳能电池出货量超过265兆瓦，远远超过此前的预期。该公司表示，在精简生产设施之后，仍然能够满足用户增长的需求。该公司赢得了新的欧洲客户，在主要太阳能市场的销售强劲，在新兴太阳能市场的销售也实现增长。今年2月，晶澳曾表示，预计第一季度出货量将在215兆瓦至225兆瓦之间。该公司周三表示，新的预期是根据客户订单和现有产品交付情况做出的。晶澳计划于5月中旬发布第一季业绩。届时该公司还将发布第二季业绩预期，并更新全年预期。该公司去年12月表示，预计2010年出货量在750兆瓦至800兆瓦之间。

    半导体 太阳能 太阳能电池

  • 东芝半导体中国区总部落户无锡新区

    日本东芝半导体株式会社社长斋藤4月9日率队访锡，一个信息随之被证实：无锡将成为东芝半导体的中国区总部。东芝集团是日本最大的半导体制造商，早在1994年就在锡投资设厂。去年11月，东芝半导体无锡公司和南通富士通微电子股份有限公司达成合资协议，设立通芝微电子公司。据介绍，东芝半导体无锡公司将保留生产管理职能，变身为东芝的中国区总部；而通芝微电子则将进行大规模集成电路及其他半导体产品的开发设计生产以及半导体产品、相机模块的加工、委托加工、检测，成为东芝在中国唯一的半导体生产基地。无锡市长毛小平说，无锡面临经济结构的根本性调整，集成电路等高科技领域成为发展方向，他希望无锡和东芝在以往的合作基础上寻求新的开始、新的合作，市政府将给予最大的支持。

    半导体 富士通 相机 微电子 东芝半导体

  • 09年全球前十大NAND供货商排行榜出炉

    市场研究机构Web-FeetResearch公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子(SamsungElectronics)仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝(Toshiba)与SanDisk；SanDisk的表现意外亮眼，领先美光(Micron)、海力士(Hynix)与英特尔(Intel)。在其它市场研究机构的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因为在某些情况下该公司是与合作伙伴东芝视为一体。Web-FeetResearch报告中列出了17家闪存制造商的出货成绩，东芝与SanDisk的出货是分开计算，也没有包括其它零组件的营收。而整体闪存市场规模，估计在2009年达到208亿美元，较08年成长2%。闪存市场的主要成长动力来自NAND闪存，该领域营收09年成长16%，达到161亿美元规模；至于NOR闪存市场则于09年衰退27.9%，营收来到47.2亿美元。大多数市场研究机构例如世界半导体贸易统计组织(WSTS)/半导体产业协会(SIA)，估计2009年闪存零组件市场规模在148~150亿美元之间；Web-Feet表示，该机构所估计的NAND市场规模与其它家数据有11亿美元左右的差距，是因为加计了SanDisk的出货。Web-Feet指出，SanDisk在2009年的OEM与自有品牌NAND闪存出货都有成长。

    半导体 东芝 NAND NAND闪存 SANDISK

  • 三星电子第1季营运获利可望成长9倍

    亚洲最大芯片、手机、平板电视制造厂三星电子(SamsungElectrnoics)在2010年第1季财报发表前夕指出，因为PC、电视需求强劲，第1季综合营运获利(Operatingprofit)约有4.3兆韩元(约38亿美元)。根据市场分析师一般预测，三星电子2010年第1季营运获利约落在4.1至4.3兆韩元之间。然而，由于市场景气复苏及iPad、智能型手机等热门新品带动对其存储器、电视等核心产品的需求，并拉高其价格，三星电子遂宣布其第1季营运获利可来到4.3兆韩元，而这与去年同期的470亿韩元相比，成长约有9倍之多。这股获利成长动能可望持续至2010年第3季，并让三星电子2010年全年销售额达到2位数的成长。NHInvestment&Securities分析师SeoWonSeok表示，目前尚未看到会对三星造成负面影响的因素。即使行动设备价格下滑及电视市场竞争激烈这2个因素所造成的影响仍待观察，但对三星并不会有太大的冲击。所以Seo仍相当看好三星的后续表现。

    半导体 三星电子 ECU SE

  • 日本半导体业整合目标直指中国市场

    日本芯片巨头NEC电子(NECElectronics)与瑞萨科技(RenesasTechnology)日前宣布合并，成立大型半导体制造公司——“瑞萨电子”。合并后的公司营收达到113亿美元，将成为仅次于英特尔及三星电子的全球第三大半导体制造商。此前任瑞萨科技社长的赤尾泰将出任此合并公司社长，他表示：“新公司将努力提升海外销量，重点是内需强劲的中国市场。中国地区有许多独立的设计公司，因此瑞萨电子计划与更多中国芯片设计公司合作。”合并前的瑞萨科技系全球MCU领域排名第一的顶级半导体企业，公司从2006年开始开发面向中国市场的MCU，中国已经成为瑞萨科技最重要的海外市场。迄今为止，瑞萨科技在中国已经成立了制造、设计、应用技术和销售等各种职能的分公司和办事处，仅在中国就拥有员工3000余人。瑞萨科技正通过一系列对销售、研发、生产以及服务能力的全面加强来不断拓展自己在中国的事业。整合后的瑞萨电子将精简其现有产品线，以达到资源的最优化配置，将着重关注于包括MCU(微控制器)、SoC解决方案、模拟与电源器件在内的三大专业技术领域。据悉，目前瑞萨在国内地区的中国本土业务销售比例占据40%（转口业务占据60%），公司计划在未来5年内努力将海外营收提升至60%以上。瑞萨电子(上海)有限公司董事长兼总裁平泽大表示：“未来瑞萨将加大针对中国市场的产品开发，加强与中国企业、IDH、大学合作的联系。同时重点投入MCU和通用产品，加强家电、通信和汽车领域的投入。”

    半导体 瑞萨电子 瑞萨科技 MCU

  • GaN功率半导体市场将迅速增长，2013年市场规模达1.8亿

    美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转换效率。所以，全面开始商用化之后，市场规模将快速扩大。目前已开始GaN功率半导体商用化的企业包括美国国际整流器公司(IR)及美国EfficientPowerConversions(EPC)。IR在POL(pointofload)转换器用多芯片模块上采用了GaN功率半导体。而EPC已开始销售GaN功率半导体单品。

    半导体 功率半导体 半导体市场 功率MOSFET GAN

  • 发展碲化镉薄膜太阳能电池的几个关键问题

    碲化镉薄膜太阳能电池的发展日益受到重视。碲资源、电池成本、电池生产和使用对环境的影响等问题是碲化镉薄膜太阳能电池发展中受到很多人关注的问题。本文对此进行了分析讨论，最后分析了工业化规模生产碲化镉薄膜太阳能电池组件的关键技术。引言碲化镉薄膜太阳能电池的发展受到国内外的关注，其小面积电池的转换效率已经达到了16.5%，商业组件的转换效率约9%，组件的最高转换效率达到11%。国内四川大学制备出转换效率为13.38%的小面积单元太阳能电池，54cm2集成组件转换效率达到7％，正在进行0.1㎡组件生产线的建设和大面积电池生产技术的研发。成本估算考虑电池的结构为玻璃/SnO2：F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe：Cu/Ni，碲化镉薄膜的厚度为5微米，转换效率为7%，1MW碲化镉薄膜太阳能电池所消耗的材料的成本如下表所示。碲化镉薄膜太阳能电池的材料成本 可见，碲化镉和透明导电玻璃构成材料成本的主体，分别占到消耗材料总成本的45.4%和38.2%。消耗材料的成本还可以进一步降低，如将碲化镉薄膜的厚度减薄1微米，则碲化镉材料的消耗将降低20%，从而使材料总成本降低9.1%，即从每峰瓦6.21元降为5.64元。如使用99.999%纯度的碲化镉，效率依然能达到7%，材料成本还将进一步降低。因此，材料成本达到或低于每峰瓦5元人民币是可能的。考虑工资、管理、电力和设备折旧等其他成本，碲化镉薄膜太阳能电池的成本大约是每峰瓦13.64元人民币或更低。因此，即使销售价格为每峰瓦20~22元人民币，约为晶体硅太阳能电池现在价格的60%，也能保证制造商有相当的利润空间。由于碲化镉薄膜太阳能电池成本低，其发展对于解决我国西部地区分散居住人口的电力供应具有重要意义。碲资源碲是地球上的稀有元素，发展碲化镉薄膜太阳能电池面临的首要问题就是地球上碲的储藏量是否能满足碲化镉太阳能电池组件的工业化规模生产及应用。工业上，碲主要是从电解铜或冶炼锌的废料中回收得到。据相关报道，地球上有碲14.9万吨，其中中国有2.2万吨，美国有2.5万吨。在美国碲化镉薄膜太阳能电池制造商FirstSolar年产量25MW的工厂中，300~340公斤碲化镉即可以满足1MW太阳能电池的生产需要。考虑到碲的密度为6.25g/cm3，镉的密度为8.64g/cm3，则130~140公斤碲即可以满足1MW碲化镉薄膜太阳能电池的生产需要。由以上数据可以知道，按现已探明储量，地球上的碲资源可以供100个年生产能力为100MW的生产线用100年。环境影响由于碲化镉薄膜太阳能电池含有重金属元素镉，使很多人担心碲化镉太阳能电池的生产和使用对环境的影响。多年来，一些公司和专家不愿步入碲化镉太阳能电池的开发和生产。那么，碲化镉薄膜太阳能电池的生产和使用中镉的排放究竟有多严重呢？为此，美国布鲁克文国家实验室的科学家们专门研究了这个问题。他们系统研究了晶体硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池与煤、石油、天然气等常规能源和核能的单位发电量的重金属排放量。在太阳能电池的分析中，考虑了将原始矿石加工得到制备太阳能电池所需材料、太阳能电池制备、太阳能电池的使用等全寿命周期过程。研究结果表明（见图1），石油的镉排放量是最高的，达到44.3g/GWh，媒次之，为3.7g/GWh。而太阳能电池的排放量均小于1g/GWh，其中又以碲化镉的镉排放量最低，为0.3g/GWh。与天然气相同，硅太阳能电池的镉排放量大约是碲化镉太阳能电池的两倍。图1太阳能电池组件与其他能源的镉排放量的比较图 他们还研究了硅太阳能电池和碲化镉太阳能电池生产与使用中其他重金属的排放。研究结果表明（见图2），碲化镉太阳能电池的砷、铬、铅、汞、镍等其他重金属的排放量也比硅太阳能电池的低。该研究报告结论基于对美国FirstSolar公司碲化镉薄膜太阳能电池生产线、碲化镉太阳能电池组件使用现场的系统考察，和对其他太阳能电池、能源的实际生产企业的工艺、相关产品的使用环境研究分析得出。研究结果的科学性、公正性得到国内外的认可。研究者在2006年欧洲材料年会硫系半导体光伏材料分会作的报告引起了与会人员的强烈关注。图2硅太阳能电池和碲化镉太阳能电池的重金属排放量的比较图 美国的研究人员还针对碲化镉薄膜太阳能电池组件使用过程中，遇到火灾等意外事故造成组件损毁时镉的污染进行了研究。他们将双玻璃封装的碲化镉薄膜太阳能电池组件在模拟建筑物发生火灾的情况下进行试验，实验温度高达1100℃。结果表明，高温下玻璃变软以至于熔化，化合物半导体薄膜被包封在软化了的玻璃中，镉流失量不到电池所含镉总量的0.04%。考虑到发生火灾的几率，得出使用过程中，镉的排放量不到0.06mg/GWh。虽然实验表明碲化镉薄膜太阳能电池组件的使用是安全的，但是建立寿命末期电池组件和损毁组件的回收机制可以增强公众的信心。分离出的Cd、Te及其他有用材料，还可用于制造生产太阳能电池组件所需的相关材料，进行循环生产。美国、欧洲的研究表明，技术上是可行的，回收材料的效益高于回收成本。事实上，美国FirstSolar公司的碲化镉太阳能电池组件在销售时就与用户签订了由工厂支付回收费用的回收合同。[!--empirenews.page--]综上所述，碲化镉太阳能电池在生产、使用等方面是环境友好的。大面积碲化镉薄膜太阳能电池组件制造的关键技术与小面积单元电池相同，硫化镉、碲化镉、复合背接触层等三层薄膜的沉积和后处理是获得高效率的技术关键。不同的是，需要在电池的制备过程中对在特定的工艺环节分别对透明导电薄膜、CdS/CdTe半导体层、金属背电极进行刻划，实现单元电池的串联集成。此外，工业化大面积组件生产要求工艺条件重复性高，薄膜性质均匀性好，使一些在制备高效率小面积单元电池时使用的有效技术，并不适用于大面积组件的制造，需要发展新的技术。图3碲化镉薄膜太阳能电池组件集成结构示意图 图4碲化镉薄膜太阳能电池组件制备工艺流程图 1．集成技术集成工艺对组件的转换效率具有决定性的影响。实现集成的刻划技术有机械刻划、激光刻划两种。机械刻划的刻划速度比激光刻划的慢得多，而且对于如碲化镉等厚度到微米量级的较脆的薄膜，保证刻槽的平直无渣工艺难度较大。激光刻划能够获得较窄的刻槽，宽度最低可到100微米。通常，使用基频（1.064微米）YAG：Nd激光刻划系统刻划透明导电薄膜，使用倍频（532nm）YAG：Nd激光刻划系统刻划硫化镉/碲化镉膜层和金属背电极。激光刻划系统有两种，其一是移动样品实现激光刻划，其二是样品固定激光头移动实现激光刻划。前者受微动台的限制，刻划速度只能达到300mm/Sec~500mm/Sec，后者的刻划速度可高达3000mm/Sec以上。刻痕形貌对串联集成的电子学特性有极大影响。激光入射方向、激光模式、刻划速度和Q开关调制频率是决定刻痕形貌的主要参量。从玻璃面入射比从薄膜面入射更容易得到高质量的刻痕。图5是分别用1064nm激光和532nm的激光刻划CdS/CdTe薄膜后，用探针式表面轮廓分析仪测量的刻痕形貌。1064nm激光刻划的刻槽边缘有高达4微米的“脊状峰”，这不利于后续沉积的背电极接触层及金属背电极与透明导电薄膜之间形成连续的具有良好欧姆特性的连接。图5CdTe薄膜激光刻划刻痕形貌 2．碲化镉薄膜的表面腐蚀技术刚沉积的碲化镉薄膜载流子浓度低，需要在含氧、氯的气氛下进行380℃～450℃的热处理。该工艺同时也促进CdS/CdTe的界面扩散，减少界面的格子失配程度和钝化了薄膜的晶界势垒。但该工艺在碲化镉膜面形成了一高阻氧化层，可以用化学腐蚀或离子刻蚀去除CdTe膜面的高阻氧化层。物理刻蚀技术废料少，容易和其他工艺环节集成，但是不易获得厚度在10nm～100nm的高质量富碲层，该层对于形成良好欧姆接触特性的背电极是非常关键的。化学腐蚀方法中，常用体积浓度为0.1%的溴甲醇溶液作为腐蚀液，腐蚀时间8～15秒。虽然使用该腐蚀工艺制备的小面积电池转换效率高达16.5%，但是溴甲醇溶液在空气中容易氧化，不适合工业化生产使用，需要发展更稳定的腐蚀液和速度慢的腐蚀工艺。使用磷酸-硝酸混合溶液可以获得较好的腐蚀效果，典型溶液的体积浓度为（硝酸：磷酸：水）0.5：70：29.5，室温下腐蚀时间为1分钟。降低硝酸浓度和温度可以进一步延长腐蚀。磷硝酸溶液沿晶界的择优腐蚀较为严重，容易在沉积背电极后形成局部的短路漏电通道。使用硝酸-冰乙酸溶液可以进一步减轻晶体择优腐蚀程度，获得更好的膜面腐蚀效果。图6不同温度下使用硝酸-冰乙酸腐蚀后碲化镉的XRD谱图 前景展望碲化镉薄膜太阳能电池正日益受到国内外的关注。全球最大的碲化镉太阳能电池制造商——美国FirstSolar公司正加速扩大产能，该公司正在德国建设年产量100MW的工厂，该工厂得到欧盟4000万欧元的投资。同时，FirstSolar还计划在美国本土和亚洲分别建设一个100MW的工厂。鉴于碲化镉薄膜太阳能电池的发展前景，日本计划再启动碲化镉薄膜太阳能电池的工业化生产技术研究，意大利和德国也在进行类似的工作。国内四川大学的碲化镉薄膜太阳能电池工业化生产技术研究进展顺利，将推动我国碲化镉薄膜太阳能电池的规模生产。

    半导体 激光 太阳能电池组件 薄膜太阳能电池 CD

  • 精功科技太阳能光伏装备制造技改项目竣工

    精功科技年产200台（套）太阳能光伏装备制造技改项目竣工，该工程决算审定工程总造价为2,708.71万元。本次竣工决算将增加公司的固定资产规模，进一步推进太阳能光伏产业的发展。精功科技4月3日发布公告称，公司董事会审议通过《关于公司年产200台（套）太阳能光伏装备制造技改项目2C、2D生产车间工程竣工决算的议案》。该工程系经公司2008年11月25日召开的2008年第六次临时股东大会审议同意而委托浙江精工轻钢建筑工程有限公司、浙江精工世纪建设工程有限公司进行。目前上述工程已竣工，公司委托浙江中兴工程项目管理有限公司出具审计报告。本次关联交易的标的为公司位于浙江绍兴柯桥经济开发区柯西工业区的建设工程项目，包括装配车间（2C号车间）和焊接车间（2D号车间）及附属工程共计24,485.50平方米。经股东大会审议同意，上述工程建设总金额预计为2,820万元，其中，委托浙江精工轻钢建筑工程有限公司主要为新建车间及附属工程的钢结构工程建设，协议金额预计为1,400万元；委托浙江精工世纪建设工程有限公司主要为新建车间及附属工程的土建工程建设，协议金额预计为1,420万元。目前，上述工程已竣工，根据审计报告，上述工程决算审定工程总造价为27,087,080元（其中，浙江精工轻钢建筑工程有限公司承建的2C、2D钢结构工程造价为13,156,459元，浙江精工世纪建设工程有限公司承建2C、2D及其场外工程造价为13,930,621元）。本次关联交易主要是为加快公司年产200台（套）太阳能光伏装备制造技改项目的实施进度及满足公司发展所需而委托浙江精工轻钢建筑工程有限公司、浙江精工世纪建设工程有限公司进行的工程建设，本次竣工决算将增加公司的固定资产规模，进一步推进太阳能光伏产业的发展，促进公司持续、快速、健康发展。

    半导体 中兴 太阳能光伏 光伏产业

  • 日本2010年太阳能上网电价补贴不变

    3月29日，日本贸易部长表示，自4月1日起的一年内，该国的太阳能上网电价将保持不变。日本上网电价政策规定，日本家庭每利用太阳能发一度电就能从公共事业部门得到48日元（约合0.51美元）的补贴，而公司、企业等享受的太阳能上网补贴则少了一半，为24日元（约合0.25美元）。在国外，太阳能产业的发展通常有两种途径，一种是实施“上网电价法”，对太阳能的上网电价进行确定。根据德国的法律，太阳能的上网电价每年下降约5%。第二种就是对光伏太阳能发电进行补贴，日本走的就是第二种模式。不过有分析人士认为，从世界几大光伏发电大国的经验来看，“上网电价法”是迄今为止全球采取的启动光伏市场最有效、最科学的举措。

    半导体 太阳能 光伏发电 光伏市场 太阳能发电

  • 全球半导体收入2月下降1.3%但全年将超预期

    据国外媒体报道，据半导体行业协会(SIA)发表的报告称，虽然今年2月全球芯片销售收入为220亿美元环比下降了1.3%，但是，SIA重申今年半导体市场的整体表现要好于它在去年11月的预测。SIA总裁GeorgeScalise在声明中称，一些鼓舞人心的迹象表明全球经济复苏仍在继续。我们对于今年半导体市场的增长将超过我们去年11月的预测持谨慎乐观的态度。SIA去年11月预测2010年全球半导体销售收入将达到2421亿美元，比2009年增长10.2%。SIA在计算每个月的数字的时候采用3个月移动平均数字。Scalise说，2月份的销售数字反应了半导体销售的继续复苏。半导体的需求主要是新兴市场的电子产品销售增长推动的。推动半导体销售增长的两个主要产品PC和手机在2010年的销售量预计将增长10至15%。今年2月全球半导体销售同比增长了56.2%。但是，投资者在高兴之前应该注意到，由于去年全球经济危机，这个同比标准是非常低的。

    半导体 半导体市场 GE SE 半导体

  • 专利战升级尔必达反告英飞凌芯片侵权

    尔必达近日向美国法院对英飞凌提起两项专利侵权诉讼，此次诉讼可以看作是尔必达对英飞凌起诉的反击，双方的半导体芯片大战开始升级。诉讼之一，尔必达称英飞凌侵犯了其三项与手机有关的微控制器美国专利，这其中就涉及英飞凌为苹果iPhone生产的微控制器。第二项诉讼是英飞凌侵犯用于汽车组件的微控制器专利。尔必达在手机微控制器侵权声明中表示，英飞凌拒绝了尔必达的专利授权，在不顾尔必达专利的情况下继续出售微控制器。该手机微控制器诉讼中还提到了百思买，原因则是后者销售使用侵犯尔必达专利微控制器的手机。尔必达要求经济赔偿，并要求法院禁止英飞凌使用尔必达相关专利。今年二月份，英飞凌对尔必达提起诉讼称，尔必达侵犯了四项英飞凌DRAM芯片专利，并要求法院禁止尔必达的内存芯片销往美国。　

    半导体 英飞凌 芯片 微控制器 尔必达

  • Spansion重组计划获新进展法庭就遗留问题提供指导意见

    Spansion公司近日宣布美国德拉维尔区地方破产法庭就Spansion公司重组计划事宜作出了以下决议：法庭否决了一系列的反对意见，并就重组计划遗留下的少数问题提供指导意见。这项法庭的决议也拒绝了由Spansion可转让公司债券的持有人所组成的特别委员会发起的动议。此动议寻求撤销法庭早前颁布的批准Spansion的公开声明的命令和任命一名审查人员或第11章的受托人。Spansion公司CEOJohnKispert表示，“我们很高兴又朝着重组计划最终批准的目标迈进了一大步。我们感谢法庭提出细致周全的意见，同时我们期待能解决法庭所担心的遗留问题。”为了能尽快获得重组计划的最终批准以及成功脱离第11章，Spansion会努力解决法庭所担心的遗留问题。

    半导体 ISP CE SPANSION

  • 创新是保持半导体营业收入稳定关键

    据iSuppli公司，尽管2010年半导体营业收入预计增长15.4%，摆脱2009年的锐减局面，但保持增长的关键其实就是两个字：创新。预计2010年支出仍将承压，在这种情况下，产品创新性越强，最终会卖得越好。设备制造商和硅片供应商都在依靠创新来推动制造业务的增长，尤其他们都专注于下一代技术。创新性新产品的销售增长，使得相关各方获得更多的利润。但是，对于半导体制造产业来说，创新也是向300毫米晶圆转变的关键。iSuppli公司预测，2010年硅片总体需求将增长17.4%。但是，300毫米硅片需求将增长27.2%。这与2009年形成鲜明对比，当时对于硅片的需求下降了11.1%。iSuppli公司预测，2013年300毫米晶圆产量将从2008年的36亿平方英寸增长到61亿平方英寸，复合年度增长率(CAGR)为12.4%。相比之下，200毫米晶圆将从2008年的30亿平方英寸下降到27亿平方英寸，复合年度增长率为负2%。图1所示为iSuppli公司对2008-2013年硅片面积总产量的预测，按晶圆尺寸细分。 由于经济形势改善和正常的增长周期正在形成，厂商将更加倾向于增加硅片订单。但是，关键问题依然存在： ● 出货量模式如何？ ● 哪些技术将驱动硅片出货量？ ● 向300毫米晶圆转变会对其它尺寸晶圆有什么影响？iSuppli公司2010年将持续关注这些方面。衰退过后的转变 在衰退之后，半导体制造业通常会发生一些变化，而2009年衰退过后也不例外。例如，在2001年的衰退之后，半导体产业开始出现三个主要技术转变：光刻向0.13微米的更小尺寸转变，采用新型金属化方案，转向300毫米晶圆。当时，由于制造商转向成本最合算的200和300毫米晶圆，6英寸晶圆显然已经无人问津。这是一个离我们更近的例子。2009年衰退之后，半导体产业采用300毫米晶圆的趋势非常明显，50%的制造业务都转向了这种尺寸较大的晶圆。就像150毫米晶圆在2001年的衰退之后失宠一样，iSuppli公司预测200毫米晶圆将在2009年衰退过后淡出。产业积极向300毫米晶圆过渡，将继续给硅片生产商带来压力，因为有些厂商尚未收回在200毫米产品制造设备上面的投资。

    半导体 硅片 晶圆 ISUPPLI 半导体

  • AESSolar为意大利的光伏项目募集$23,470万资金

    AESSolarEnergyLimited募集17300万欧元($23,470万)的资金，用于一座在意大利43兆瓦光伏项目的施工。CellinoSanMarco位于普利亚地区，据说，这是太阳能光伏项目获得的最大融资。法国兴业银行的一位总经理MassimilianoBattisti表示，意大利的太阳能光伏项目对于投资具有高度的吸引力，因为这个国家实施有利的政策，并且可实施创新融资解决方案。法国兴业银行、意大利联合信贷银行、法国巴黎银行、法国农业信贷银行以及DexiaCrediop参与了本轮的融资。他表示：“在这种背景下，我们认为，能够与AESSolar等这一领域最具经验的公司进行合作，对于我们来说非常重要，因为他们具有行业和金融方面的专业经验，并且能够了解当地市场的复杂之处”。这次募集的资金占项目预计投资的大约85％，融资最终到期日为施工结束后18年。预计这座太阳能电站将在年底完工，根据意大利二位装机容量超过1兆瓦的光伏电站提供激励措施的“contoenergia”计划，该电站可享受20年调节上网电价。CellinoSanMarco项目将让AESSolar在全球的装机容量增加两倍多，目前该公司在法国、希腊以及西班牙的装机容量为38MW。AESSolar是总部位于弗吉尼亚州AESCorporation(NYSE:AES)与私人股权公司RiverstoneHoldingsL.L.C.建立的合资企业。AES通过其多样化的热能和可再生燃料资源为29个国家提供廉价、可持续利用的能源。据报道，该公司在2009年的收入为$140亿。同时，总部位于纽约的RiverstoneHoldings管理总额大约为$170亿六个投资基金，其中就包括世界最大的可再生能源基金。

    半导体 光伏 装机容量 ST SOLAR

首页 上一页 1783 1784 1785 1786 1787 1788 1789 1790 1791 1792 下一页 尾页
发布文章

活动预告

更多

论坛

更多

相关标签

课程视频

更多