欧洲人一直致力于开发纳米科技,希望该技术能使各国在下世纪摆脱化石燃料。他们特别对于建立全球性太阳能电网有相当大的兴趣,因为阳光始终照耀着地球。 在最近召开的欧洲科学基金会大会上,对于可持续能源中的纳米科技的基调相当清晰,即欧洲准备加速发展纳米科技。会议的重点是太阳能,而不是风能等其他可持续能源,这不仅因为太阳能是纳米技术最适用的领域,而且作为化石燃料的长期替代品,太阳能转换拥有最光明的前景。 而提到的纳米科技中,涵盖染料敏化太阳能电池(DSCs)和仿生技术很受欢迎,因为它们表现出捕获、存储太阳能的良好前景。 合理分配太阳能 人们可以直接捕获太阳能来发电和生产燃料,诸如用于发动机的氢。这种燃料也可以反过来在常规电厂里间接用于发电。主持这次会议的瑞典查尔姆斯理工大学教授本特?卡塞莫表示:“太阳能发电的潜力比风能大得多。” 太阳能的一个缺点是,同风能一样,它跨地区和时间的差异很大。因为太阳能仅局限在白天,在斯堪的纳维亚半岛、西伯利亚等高纬度地区并不充沛。卡塞莫教授说,由于这个原因,人们越来越关注构建全球性太阳能电网的设想。 卡塞莫教授说:“如果在太阳能最为丰富的地区进行捕获,然后在全球网络进行分配,它将足以取代目前很大一部分以化石燃料为基础的电力。这也将解决昼夜问题,从而减少存储需求,因为太阳永远照耀着地球。” 开发纳米科技 会议的相关资料和独立组织表示,在不久的将来,基于硅的固态技术有可能主导太阳能电池的生产,但长远来看,染料敏化太阳能电池和其他前沿科技有可能降低成本。用廉价的半导体材料生产的强韧的柔性电池片,其强度足以抵御冰雹振动的冲击。 与现有科技条件下最好的硅电池或薄膜电池相比,染料敏化电池虽然效率较低,但其性价比更好。欧盟预计,到2020年,染料敏化太阳能电池将对可再生能源生产做出重大贡献。染料敏化电池由瑞士科学家迈克尔?格拉特佐尔发明,他是瑞士联邦理工学院洛桑分校的教授,也是本次欧洲科学基金会大会的发言者和副主席。欧洲科学基金会大会认为,在新兴的以纳米科技为基础的太阳能转化技术里,将会有越来越多的选择和竞争。卡塞莫说:“我认为,一个重要的事实是,存在强有力的竞争。尽管其起步规模较小,但太阳能电力发展非常迅速,这将推动价格下降,使太阳能越来越具竞争力。”
市场研究公司IDC称,今年第三季度全球x86处理器市场显示了强劲的增长,出货量同比增长了15.8%。英特尔的Atom处理器是这个季度的最大赢家。 IDC称,尽管经济气候非常困难,英特尔的低价格的处理器似乎把PC市场推向了一个创纪录的新高度。这种低价格的处理器出货量的大幅度增长促使IDC把今年全球处理器市场出货量增长率的预期提高到了18.0%。 今年第三季度处理器出货量同比增长15.8%看起来是非常强劲的。但是,如果没有Atom处理器,PC处理器市场的增长率只有8.7%。Atom处理器改变了整个市场的产品组合,也反应了销售收入的增长。PC处理器市场的销售收入没有跟上出货量的增长。IDC称,第三季度PC处理器市场的销售收入是83亿美元,增长率只有4.1%。 Atom处理器还帮助英特尔提高了市场份额,特别是在移动市场。IDC称,英特尔第三季度移动处理器的市场份额是87.4%,提高了0.8%。AMD的市场份额是11.5%,下降了1.1%。威盛科技的市场份额是1.2%,提高了0.3%。 在服务器处理器市场,AMD第三季度的市场份额是14.4%,提高了0.6%。英特尔的市场份额是85.6%,下降了0.6%。在台式电脑市场,英特尔的市场份额是73.5%。AMD的市场份额是26.4%。 在整个处理器市场,英特尔第三季度的市场份额是80.8%,提高了1.1%。AMD的市场份额是18.5%,下降了1.2%。威盛科技的市场份额预计是大约0.6%。 IDC称,展望未来,全球需求环境看起来有些疲软,IDC将降低2009年PC处理器出货量的预期。
iSuppli公司预测,经过数年以两位数速度增长之后,2008年中国半导体销售额预计仅比2007年增长6.7%,从766亿美元上升到817亿美元。 与此同时,中国集成电路(IC)无厂设计产业2008年将比2007年增长12.3%,从31亿美元增至35亿美元。其增长动力来自无线与消费电子产品的国内市场销售强劲,而非来自出口。另外,今年在北京和其它中国城市举办的夏季奥运会,推动厂商推出支持3G、数字地面多媒体广播(DTMB)和中国移动多媒体广播(CMMB)标准的新款手机,也刺激了相关IC的销售。 尽管受到监管限制和供应链不完整,但2008年国内市场形势仍然有所改善。随着产业生态系统的成熟,且面临明年10月的国庆60周年,支持新的国内标准的大众应用将在2009年出现。虽然经济形势存在一定的不确定性,但产业进一步增长仍然可期。 图4所示为iSuppli公司对于2008-2012年中国IC产业营业额的预测。 图4:2008-2012年中国IC产业营业额预测 (以百万美元计) 来源:iSuppli公司,2008年11月 目前,中国有550多家无厂设计公司,多数都成立不久,而且规模很小。88%以上的厂商2008年营业收入将低于1000万美元,都在为继续成长而奋斗。 中国IC无厂设计产业有四大成功要素:市场,人才,资金与时机(MMMT)。美国企业在技术与创新方面拥有优势,这经常帮助其在新兴市场成为赢家。相比之下,台湾厂商拥有有效的成本控制手段,而且高度整合,这帮助其在成熟市场取得成功。 大陆企业将在跨栏市场进行竞争,这种市场汇集了争夺制高点和技术创新方面的竞争。技术创新是在成熟市场中参与竞争的必要因素。在跨栏市场中,竞争者必须把高度和速度纳入一个单一的平衡策略。 图5分析了参与跨栏市场的中国IC无厂设计公司的市场机会。 图5:中国的“跨栏市场”:IC无厂设计公司的机会 来源:iSuppli公司,2008年11月 但是,由于目前发生的全球金融危机,深圳创业板市场未能在今年推出。而且,风险资本家普遍对中国IC产业缺乏兴趣。多数半导体企业缺乏资金,面临现金流问题。 iSuppli公司预期,未来两年将有100多家公司消失。许多企业目前在寻找买主,过去12个月共有四家厂商已被国外半导体公司收购。 中国IC无厂设计产业两极分化,约有50家企业取得成功,其余的则在挣扎求生。有些厂商处于赔本状态,没有成熟的产品用于创造维持运营所需的收入。多数厂商已宣布裁员、削减生产线或者彻底关门。 同时,有几家中国无厂设计公司将寻求2009年在美国纳斯达克和国内上市。iSuppli公司预计,明年至少五家公司将寻求上市,至少10家公司将卷入幷购活动。
高通(Qualcomm)在新加坡设立亚太卓越测试中心(Asia Pacific Test Center of Excellence),这也是公司首个在美国以外的测试发展中心。 高通亚太测试中心将为公司设在印度、中国、台湾、韩国及美国圣地亚哥(San Diego)的设计中心所设计出的新产品与科技进行设计验证及失效分析。由于这家设在新加坡的测试中心较临近公司在亚洲的设计中心,因此将缩短新产品与科技的评估周期。 此外,这个坐落实新加坡龙岗北的中心也将独立进行新产品及科技的发展,其中包括可支撑整合式移动设备(converged mobile device)的科技;中心也将为新产品进行生产前抽样。公司有意日后近一步扩张测试中心的设施并聘请更多员工。 高通的另一个测试中心在圣地亚哥,随着在本地的测试中心的落实,公司将在两个不同时区地带拥有测试中心,因此将有全天化的工程支援系统,加快其新数码与无线广播频率系统的评估周期,以便提早将科技推出市场。 高通选择在新加坡设立测试中心是因为新加坡有杰出的劳动资源、世界级的商业基础设施及优越的地理位置,缩短高通与在本区域多个供应商及客户之间的距离。 高通是世界无厂模式半导体(fabless semiconductor)巨头,也是家先进无线科技及数据方案发展商,总部位于圣地亚哥。公司首创整合式无厂生产(Integrated Fa- bless Manufacturing,IFM)模式,该模式结合无厂模式策略与整合元件生产(Integrated Device Manufacturing,IDM)模式的许多优点。
主控厂商才是万恶之源? 发信人王祖宏(化名)此前是国内一家中等规模主控芯片生产商的CTO(首席技术官),负责IC的研发及测试。他的客户都是一些深圳小厂,即人们常说的山寨厂。“我们的IC过不了ESD抗静电标准,所以入不了大厂法眼”,王祖宏笑称. 虽然接不到名厂大单,却也从来不为生计发愁。依靠庞大的山寨市场,每个月走300万~400万片的IC不成问题。“为什么能走这么多?因为客户看中的是IC的扩容能力。为了走量,主控厂商也做了不少‘功课’”。 王先生口中所谓的“功课”,是指一些主控厂商在IC设计时便预留了扩容后门,允许利用漏洞进 行扩容。更有甚者,一些IC厂商自行研发扩容软件,与自家主控芯片配套出售。“大家的货都差不多,就靠软件赚钱。一个普通主控能卖3.2元,而这种可扩容 的主控(附带软件)要卖到4.5元”。做这一行的有个不成文规定:所有可扩容的主控都是不单卖的,一定要捆绑软件。采取这种捆绑销售模式,除了可以牟取暴 利以外,也是希望借助这些特殊软件打开IC市场,拓宽渠道。虽然劣质闪存成本支出比正常的要多,但通过扩容后的闪存因为达到的容量“倍增”后牟取的暴利, 远比这个支出大。 闪存组成:闪存主要是由闪存芯片、主控芯片、晶振、PCB板等部件组成的。其中主控芯片相当于闪存的“灵魂”,它控制着闪存的工作。主控厂商就是为闪存提供主控芯片的一方。 主控厂商与代理商或闪存厂商签订了保密协议后,贷款交接时会附赠这个可扩容的量产工具。该工 具检测到闪存后,会自动生成一个6位的Key并禁止进入量产界面。主控厂商正是通过限制Key的使用次数来实现软件与IC的搭配。一个客户如果从主控厂商 这里购买了2000片IC的话,一般会获得一个允许使用2200次的Key。达到规定次数之后,软件就会被锁定。“如果还想继续使用,需要向主控厂商购 买,就像手机充值那样”。 “除了扩容以外,这种软件还有一个非常重要的作用”。王祖宏认为,另一个“亮点”也许才是山 寨厂商们趋之若鹜的主要原因。如果说扩容是从小到大的量变过程,那么这个软件还可以神奇地实现“从无到有”。“任何一个闪存在量产时都需要格式化,在默认 ECC为0(较严格)的情况下,坏块过多就会报错,量产也就无法进行,闪存等于废掉了”。而这款软件可以忽略闪存芯片的质量进行格式化操作。这种特殊的量 产工具允许用户自行调节ECC。“在ECC3模式下,每个扇区3个位置的错误也将被忽略”。 在这个量产工具的帮助下,坏块再多的黑片也可以轻松地通过格式化,从而进入量产。对于劣质闪存厂商来说,可将一些黑片变废为宝。但对购买了这种闪存的消费者来说,不仅可能会造成读写障碍,更会造成丢失重要数据、文件。 闪存这样被“撑大”:扩容过程中最核心的就是scsi23/25命令,简单地说就是让固件在进行超容量读写的时候忽略写操作。闪存明明没写,却告诉系统写成功了。这也是扩容后经常出现一些文件无法读取的原因。 洋垃圾闪存芯片是来源之一 山寨闪存使用的低价闪存芯片来源一直是个谜团。除了原厂DownGrade芯片、打磨处理的黑片、其他厂商处理的残次品外,是否还有其他渠道?答案是肯定的。 交谈中,王先生无意中透露了一个信息:除了正规厂商的次品回收,山寨工厂还有另一个庞大而肮脏的原料渠道——洋垃圾。而在洋垃圾的分拣、处理的过程中,一些不良主控厂商再一次扮演了非常重要的角色。 “国内的IC厂商一般都是设计、生产分家的。一些平时主抓设计的Fabless(无生产线 IC设计公司)平时也会做点零活,比如检测将作为洋垃圾进口来的闪存芯片”。据王先生介绍,早些时候,深圳保税区有不少IC厂商都提供检测闪存芯片的服 务,一片1块钱。“你想想什么样的闪存芯片才需要大规模检测?原厂片需要吗?客户送来的基本都是洋垃圾上的闪存芯片!” 收费虽然不低,单子却还是源源不断。“这些垃圾都是以吨为单位买进的,成本几乎为零,再怎么算也有赚的”。正是在一些不良主控厂商的协助之下,山寨闪存厂商寻找到了另一条生财之道。 另外由于国内IC厂商多位于深圳、上海等沿海城市远郊,“便利”的地理位置也为洋垃圾的进入提供了条件。 相比之黑片扩容,洋垃圾的危害已远非质量问题所能涵盖。电子垃圾中的铅、汞等重金属含量严重超标,易造成金属中毒;辐射多倍超标,易致癌畸变。洋垃圾对人们的健康已经造成了极大威胁,而洋垃圾中分拣出的黑片,危害自然也是不可小觑。 令人稍感欣慰的是,由于Flash芯片售价大幅下跌,较高的检测费用提高了分拣黑片的整体成本,洋垃圾在闪存市场上出现的频率已经越来越低。“这种肮脏的行为现在比较少见了,但是很难说又会衍生什么样的新方式,毕竟这行总是有着说不完的秘密”。 写在最后 或许很多购买了那些杂牌低价闪存的用户还不知道,他们手里的那些经常出现读写、数据丢失的闪 存正是经过扩容后的产物。普通用户要鉴别购买的闪存是否经过扩容,除了拷贝同体积的RAR压缩文件,并测试数据包的完整性之外,在卖场中最可行的办法是用 NTFS进行全盘格式化。因为扩容一般是在尾段进行,而NTFS与FAT/FAT32的机制不同,它从闪存前段、中段、尾段各取一些点进行写操作,在尾段 上做手脚的扩容手法很难逃过NTFS的法眼。另外也可以借助MyDiskTest等第三方工具检验闪存是否有问题。 在此,我们还是强烈建议消费者购买大厂生产的闪存产品。不要为了贪图那几十元的便宜而购买杂牌闪存,将自己的重要数据放置于一个极其不稳定的劣质闪存上,造成不必要的损失。
路透调查显示,经济低迷料将影响到明年手机需求,越来越多的分析师预计这个曾经顺风顺水的市场将迎来2001年以来的首次萎缩. 22位受访分析师平均预计,2008年第四季和2009年全球手机销量均增长3%,远低于近几年高于10%的增长率,还有八位预计市场明年会出现萎缩. 而一个月前的类似调查显示,23位受访分析师中仅有一位预计2009年手机销量会略微下滑. 分析师预计第四季销量较第三季增加11.6%,低于诺基亚预计的增长13.5%. 第四季通常被视作手机制造商的旺季,因消费者会购买手机作为假日礼品. 手机市场产生于1980年代,迅速发展在1990年代末,现已达到1,900亿美元的规模,成为主要的成长型产业.迄今为止,该市场仅在2001年受到过短暂冲击. 高通首席执行官雅各布斯表示,信贷危机和经济不确定性意味着2009年无线机件销售或比原先预想得疲软,并称明年上半年消费者库存将"明显收缩". 研究公司CCS Insight分析师Geoff Blaber称:"新兴市场在手机市场增长中占据重要低位,所以(手机市场销量)很大程度上将取决于商品价格和手机购置总成本的降幅." 新兴市场手机销量在2005年超过了发达市场,今年约三分之二的销售来自前者. Strategy Analytics分析师Neil Mawston称:"新兴市场是2009年的关键.而今年这一市场受金融危机的冲击要甚于发达市场."
由LG集团建设的韩国国内最大规模的太阳能电站近日在忠清南道泰安竣工,并正式投入运营。 LG集团为建设该电站总计投资1100亿韩元,由集团设立的全资子公司LG太阳能公司经营。该电站占地面积约30万平方米,发电规模为1.4万千瓦,可为泰安地区8000户家庭提供电力,为韩国国内单一规模最大的太阳能电站。 该电站所发电力由LG太阳能公司以每千瓦677韩元的价格向韩国电力公司销售,预计年销售额可达130亿韩元。此外,通过太阳能发电每年可减少约1.2万吨的二氧化碳排放,通过二氧化碳排放权交易,每年可增加28.5万美元的额外收益。 业内人士称,LG集团建设太阳能电站是涉足可再生能源市场的重大举措。LG集团表示将以泰安太阳能电站的建成为契机,正式进军可再生能源市场,逐步扩大市场占有率,并向海外市场扩张。
中国普天将在2010年推出TD-LTE商用产品,届时普天所提供的TD设备可以实现到TD-LTE的平滑演进。在平滑演进的技术实现上,射频单元采用软件无线电技术的RRU,通过软件升级就能实现向LTE的平滑过渡;基带单元通过插入LTE板卡的方式可以实现TD和TD-LTE的双模共存。 此前,在北京国际通信展上,中国普天全面展示了其推出的TD-LTE样机系统,并演示了TD-LTE高速流媒体业务,高清晰的流媒体画面极其稳定和流畅。据记者了解,中国普天从2005年就成立了专门团队启动了LTE的研究和开发,不断取得突破,在2008年10月份推出了这套样机系统,TD-LTE基本的业务都能通过这套系统实现。普天将不断推进商用产品进程和更好地实现对目前TD产品向TD-LTE的平滑演进。 据悉,在中国移动TD试验网二期招标中,设备是要求可通过软、硬件升级向3.5G及以上的HSDPA、LTE(长期演进)平滑演进的 。
集成电路(IC)产业具有高投入、高风险、高技术的特征,这决定了它的发展必然是一个充满艰辛和变数的历程。1965年我国第一块集成电路研制成功,比国际上仅仅晚了7年。但在十年动乱期间,由于企业应有的生产条件和设施受到破坏,产业发展违背科学规律,加之国际上的技术封锁与禁运,拉大了我国IC技术和产业与国际水平的差距。改革开放之前,我国IC工业仍处于分散的、手工式的生产状态。30年的改革开放带来了我国经济社会的深刻变化,也为我国IC产业的发展注入了新的生机与活力。 开拓之路充满坎坷 在20世纪80年代初,国务院制定了中国集成电路发展规划,然而,由于过去的长期封闭和对国际情况缺乏了解,行业中出现了重复引进和过于分散的问题,全国有33个单位不同程度地引进了各种集成电路生产线设备,最后真正建成投入使用的只有不多的几条线。1989年2月,我国召开IC产业发展战略讨论会,明确了重点建设华晶集团公司、华越微电子有限公司、上海贝岭微电子制造有限公司、上海飞利浦半导体公司及首钢日电有限公司等5家主干企业。但是,直到1995年,我国在世界集成电路产量和销售额中的比例还不到1%,与世界先进国家的差距被拉得更大了。 1995年,“908工程”6英寸生产线开始建设,1998年1月通过对外合同验收,这条从朗讯科技公司引进的0.9微米的生产线是中国第一条6英寸芯片生产线。通过908工程的实施,北京集成电路设计中心等18个单位作为908工程项目的承担单位得到了发展,中国集成电路设计产业开始起步。但是行动的迟缓,削弱了该项目对于我国集成电路产业乃至信息制造业所应发挥的推进作用。1999年2月,“909工程”建成投产,技术水平达到0.35微米-0.24微米,生产的64兆和128兆SDRAM存储器达到了当时的国际主流水准。“909”工程是中国第一条8英寸深亚微米生产线,它的建成投产,标志着中国集成电路大生产技术迈入了8英寸、深亚微米的国际主流水平。 自2000年开始,中国集成电路产业进入一个快速成长的新时期。2000年6月24日国务院发布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发18号文),2001年9月20日,国务院又以国办函[2001]51号函的方式,对集成电路产业政策作了补充和完善。18号文件从鼓励产业发展、税收减免、投资优惠、进出口政策、加速设备折旧、支持研究开发、加强人才培养、鼓励设备本地化以及知识产权保护等方面对集成电路实施了优惠政策。据不完全统计,从2000年到2007年,投入到我国集成电路产业的资金达到290亿美元左右。这一阶段的投资总额约为我国集成电路产业2000年以前30多年间投资总和的9倍。大量资金的投入,直接带动了近几年我国集成电路产业规模的迅速扩大和技术水平的较快提高。 从2000年开始,信息产业部领导实施了“中国芯”工程,大力扶持国内具有自主知识产权IC产品的研发。科技部在863计划中安排了集成电路设计重大专项。在863计划集成电路设计重大专项的实施中,北京、上海、无锡、杭州、深圳、西安、成都等7个集成电路设计产业化基地的建设取得了重要进展。 产业发展取得巨大成就 1998年,我国集成电路产量为22.2亿块,销售规模为58.5亿元。到2007年,我国集成电路产量达到 411.7亿块,销售额为1251.3亿元。10年间产量和销售额分别扩大18.5倍与21倍之多,年复合增长率分别达到38.3%与40.5%,销售额增速远远高于同期全球年均6.4%的增速。 经过30年的发展,我国已初步形成了设计、芯片制造和封测三业并举、较为协调的发展格局,产业链基本形成。2001年我国设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为11亿元、27.2亿元、161.1亿元,分别占全年总销售额的5.6%、13.6%、80.8%,产业结构不尽合理。最近5年来,在产业规模不断扩大的同时,IC产业结构逐步趋于合理,设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高。到2007年我国IC设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为225.5亿元、396.9亿元、627.7亿元,分别占全年总销售额的18.0%、31.7%、50.2%。 半导体设备、材料的研发和生产能力也不断增强。在设备方面,100纳米等离子刻蚀机和大角度离子注入机等设备研发成功,并投入生产线使用。随着国产太阳能电池制造设备的大量应用,近几年国产半导体设备销售额大幅增长。在材料方面,已研发出8英寸和12英寸硅单晶,硅晶圆和光刻胶的国内生产和供应能力不断增强。 技术创新能力不断提高,与国外先进水平差距不断缩小。从改革开放之初的3英寸生产线,发展到目前的12英寸生产线,IC制造工艺向深亚微米挺进,研发了不少工艺模块,先进加工工艺已达到80纳米。封装测试水平也从低端迈向中高端,在先进封装形式的开发和生产方面取得了显著成绩。IC设计水平大大提升,设计能力小于或等于0.5微米的企业比例已超过60%,其中设计能力在0.18微米以下的企业占相当比例,部分企业设计水平已经达到90纳米的先进水平。设计能力在100万门规模以上的国内IC设计企业比例已上升到20%以上,最大设计规模已经超过5000万门级。 截至2007年年底,国内已建成的集成电路生产线有52条,量产的12英寸生产线3条、8英寸生产线14条。涌现出中芯国际、华虹NEC、宏力半导体、和舰科技、台积电(上海)、上海先进等IC制造代工企业,这些企业纷纷进入国际市场,融入全球产业竞争,全球代工业务市场占有率超过9%。 把握市场需求是成功关键 相当长时期以来,在许多地区发展IC产业中自觉不自觉存在一种倾向,即:以技术为导向,盲目上项目,或片面追求线宽越细越好,而忽略了市场这一产业发展最为重要的要素。从1981年到1985年时期,我国先后引进33条生产线,许多项目一窝蜂上马,只引进设备未引进技术,通线品种基本上已被市场淘汰,不符合市场需求。部分生产线设备陈旧、不配套,达不到设计能力。再加上项目资金不足,企业管理不善,缺乏消化吸收能力等原因,多数项目不了了之。 同时,实践告诉我们:没有永远不变的产品与技术,只有永远不断变化的市场。只有把握住市场变化的脉搏,跟上市场变化的步伐,才能成为真正的赢家。“909工程”投产以来的过程就印证了这一点。该工程从开工建设到投产仅用了18个月。技术档次从初期的“8英寸、0.35微米”提升到0.24微米。投产后,跟随国际市场变化,从前期的存储器生产转变到目前的芯片代工。 发展IC产业是一项系统工程,支撑这一系统高效运转至少要包括以下5个方面:第一,资金支持。IC产业是典型的资金密集型产业,要形成规模经济,需到达一定的投资阈值。随着技术水平的提升,投资阈值正不断攀升。同时,为满足工艺研发、产能扩充和升级换代的需要,集成电路产业还需要持续不断地投入。第二,市场支持。集成电路企业要想生存下去,必须要生产出符合市场需求的产品,源源不断地取得来自客户的订单,建立一支面向全球市场的销售团队与销售网络至关紧要。第三,技术支持。要拥有先进的工艺技术,一流的芯片设计能力,拥有一批自主的知识产权和专利。第四,人才支持。要培养一支全球一流的工艺技术、芯片设计和管理人才队伍,保证技术、产品的不断创新和企业高效运营。第五,管理支持。产业与企业的管理要从战略决策、资金管理、物流管理、人才管理等多方面入手。 IC产业是资金密集、技术密集、人才密集的产业,是高竞争性和高风险的产业。实践证明,不管是发达国家还是发展中国家,发展集成电路产业都要采取集中力量的办法,不管是研究开发还是企业生产,都强调合作而不是单打独斗。因此,“防散”和“治散”仍是今后一个时期我们的重要工作。 2002-2007年中国集成电路市场规模
半导体制造国际非营利机构Fab Owners Association(FOA)宣布向其所有会员开放团购合约。此前,FOA的团购合约仅向其器件制造会员开放,而没有对准会员开放。合约开放后,所有会员都可通过FOA的下属机构PurchasingPartnerInc.(PPI)进行团购。 此举可使PPI代表年收入730亿美元的团体进行议价。 FOA器件制造会员公司月产能相当于120万片200mm晶圆,年收入约为320亿美元。准会员年收入总和约为410亿美元。
三洋电机公司日前对外发布新闻公报说,该公司决定投资700万美元在2008财政年度中将其在墨西哥Monterrey工厂的太阳能电池产量提高到目前的2.5倍达到50MW水平。 公报说,墨西哥Monterrey工厂主要从事将当今世界转换效率最高的HIT太阳能电池块进行模板化生产,目前年产量为20MW。三洋电机之所以提高该工厂的产能,主要是为了满足北美市场急剧扩大的市场需求,同时也是该公司在全球进一步扩大太阳能业务计划的一部分。 目前,三洋电机正在制定增产计划,到2010财年将在全球的HIT太阳能电池产能提高到600MW以上,相当于目前产能的两倍多。为此,该公司正在积极推进面向日本、北美、欧洲等全球三大太阳能电池市场的增产体制。 HIT太阳能电池是三洋电机公司开发的具有独特构造的太阳能电池,是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。这种太阳能电池在研究阶段达到了22%的光电转换效率,创造了100平方厘米以上实用级尺寸的HIT太阳能电池光电转换效率的世界纪录。
11月03日,Intersil公司宣布,该公司的首席执行官兼总裁Dave Bell先生将出席在台湾新竹国宾大饭店举行的2008 GSA半导体领袖论坛(2008 Global Semiconductor Alliance Leaders Forum),并做主题发言。 在GSA领袖论坛上,Bell 先生将发表主题为“亚洲是如何改变模拟IC业务”的演讲,回顾在模拟产品市场所发生的诸多变化,并建议采取措施加强美国和亚洲企业之间的协同配合。 在此之前,Bell 先生刚刚参加了American Chemical Society在华盛顿市举办的会议,发表了关于资助基础科学研究的讲话。 2008 GSA半导体领袖论坛也将举办关于低功耗技术的专题讨论会。Intersil公司是作为提供低功耗模拟半导体解决方案的领先厂商而被邀请,并将就如何实现低功耗模拟设计发表见解。 Dave Bell 先生是在2007年4月被任命为Intersil 公司首席运营官,并于2008年2月担当CEO一职,同时他也是半导体行业协会(Semiconductor Industry Association)的董事会成员。Bell先生拥有麻省理工学院(MIT)的电子工程学士学位。
得可太阳能公认的PV1200金属镀膜方案继续为这个快速发展行业的顾客提升标准。彻底改变太阳能电池制造商对其设备的期待,此先进金属镀膜生产线提供光伏有效工业生产的快通道。 上市时间在现今的快节奏光伏产业中极为重要。交货期从而成为已习惯于数月设备周转期的商业太阳能电池产业的重要关注点。而得可利用世界一流的精益制造技能、Kanban/JIT方法和全球机构明显削减交货期至数周的时间。且进一步通过PV1200金属镀膜方案的创新平台设计获得加强,使快速建造和回应市场需求成为可能。真正的模组化系统使生产力可通过更多模组的增加轻易提升,进一步响应市场。 工厂占地面积对现今不可能因为特大型设备而影响其生产力的太阳能电池制造商也是一个主要的生产力决定因素。得可也注意到这个方面,通过紧凑的设备尺寸进一步简化PV1200。具备较传统金属镀膜方案实质性减少的占地面积,PV1200明显为持续投资回报率扩大每平方英尺厂房占地面积的使用。 谈到PV1200金属镀膜解决方案提供的商业优势,得可的可替代能源发展经理Darren Brown说:“全球的光伏制造商正意识到我们的金属镀膜生产线克服了产业面对的众多工业挑战,亦即成为商务成功的快通道。而当他们了解到我们的背景,便很快对为什么我们可以提供如此尖端的优势一目了然。作为拥有二点五亿美元财政收入的全球企业,得可(多福集团的一员,纽约证券交易所DOV – 财政收入超过七十亿美元)已经是电子装配的丝网印刷产业享有良好声誉的市场引领者。也就是说,我们有响应太阳能产业明确要求的资源、专业技能和全球能力,如同我们在其他产业所做的那样,使我们的顾客始终处于行业的领先地位。” 加强PV1200太阳能金属镀膜生产线的最先进设计,是利用得可40年来开发用于厚膜、晶片级半导体和表面贴装电子市场的丝网印刷平台产品的经验。久负盛名的技术优势包括每小时1200个电池产量、六西格玛工艺水平、12.5微米精度和卓越的处理能力。系统同时相当多地受益于此丝网印刷引领者全球的支持资源、备件中心、应用专业技能、现场服务技术人员的网络,及对金属镀膜工艺至关重要的精密乳胶网板的10,000级无尘室制造设施。
市场研究公司iSuppli在日前发布的预测中指出,全球NAND flash市场收入在上世纪末和本世纪初曾获得超过100%速度的增长,然而2008年,预计NAND flash市场收入将减少14%,2009年继续减少15%。 预测报告显示,2008年NAND flash收入将从2007年的139亿美元减少至120亿美元,2009年进一步减少至102亿美元。 此前,iSuppli预测2008年NAND flash市场微减3%,2009年恢复增长,增长率为12%。今年是全球NAND flash收入首度下滑。 “除了宏观经济和结构性困境,NAND flash市场同时面临需求弹性减弱的挑战。”iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim说道,“由于消费者目前已有充足的闪存卡和U盘,当价格下降时,他们并没有必要去升级产品。” iSuppli指出,2008年1G NAND芯片出货量预计将增长126%,较2007年的179%有所放缓,出货量的爆炸性增长导致供过于求。预计2009年,出货增长率将降至71%。 iSuppli预测,2008年,1G NAND芯片平均销售价格预计将下跌62%,2009年预计进一步下跌50%。
法国政府已经通过法国国会的批准,对该国光伏发电法规进行有史以来最大的一次修改,这将对法国以及欧洲太阳能发电产业一次巨大的推进。 欧洲太阳能发电起步比较早,尤其在瑞士和德国,太阳能发电系统的建设和应用站在了世界的前沿。在传统能源紧缺的大环境下,法国再次意识到传统能源的限制和发展太阳能发电的必要性。 从2006年到2007年,法国的太阳能光伏产业市场增长了将近3倍,2006年法国的太阳能发电的发电量为10.3兆瓦(MW),2007的发电量跃升为30兆瓦(MW),足以可见太阳能发电对法国的影响如此巨大。虽然30兆瓦的发电量对于德国或者欧洲其他一些城市来说还是微不足道,但是如此巨大的增长率,无疑给了法国太阳能电池行业打了一针活力剂! 经过修改以后的太阳能光伏政策是,在未来的20年间,新能源的开发重心偏向于太阳能发电产业,包括太阳能发电技术的研究,太阳能发电站的建设以及太阳能电池的日常生活一些应用。预计在2028年,在全法国境内,太阳能发电量可以达到7GW。