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  • 传台积电传奇人物梁孟松投奔大陆，或带领中芯攻克14nm工艺

     据台媒Digitimes报导，梁孟松或于5月出任中芯国际CTO或COO，主要工作是肩负先进制程技术研发和瓶颈突破。如果消息属实，那么梁孟松将是继蒋尚义之后又一名加入中芯国际的前台积电人。和蒋尚义一样，梁孟松同样来自台积电技术研发高层，曾担任台积电资深研发处长。 不过，梁孟松和蒋尚义不同。虽然都是台积电的功臣老将，但是2016年底蒋尚义出任中芯国际独立董事时，台积电方面曾表示，蒋尚义事先已告知张忠谋，其主要职责是公司治理，相信不会做出任何损害台积电利益的事，双方好聚好散。然而梁孟松却曾因为三星与自己的老东家台积电交恶，甚至引发了一场官司。 梁孟松从1981年起在台积电任职，曾是台积电先进制程的头号研发战将，几乎参与了台积电每一代制程技术的研发工作。台积电于12年前研发出0.13微米“铜制程”，击败IBM 扬名全球，梁孟松功不可没。 据Trendforce报导，2009年，梁孟松因为人事升迁问题离开台积电，隔年即到韩国三星赞助的韩国成均馆大学任教。2011年2月台积电对他的竞业禁止期间届满后，向台积电领取遵守此规定的新台币4600万元股利之后，同年7月就改任三星晶圆代工部门技术长。但台积电怀疑梁孟松泄漏技术等机密给三星，因此于2011诉请禁止他把台积电技术机密、人员资讯泄露给三星，并禁止梁在2015年年底前为三星服务。直到竞业禁止期限结束后，梁孟松才重返三星。 虽然业界对梁孟松的技术专业究竟对三星14纳米FinFET制程有多大贡献各执一词，但多数人都认为梁孟松是协助三星缩短与台积电之间先进制程技术差距的关键人物，具备相当的实力。而且三星在14纳米制程技术大跃进是事实，更因此抢下高通处理器订单。 当时台积电的法务长方淑华曾说，“他(梁孟松)去三星，就算不主动泄漏台积电机密，只要三星选择技术方向时，他提醒一下，这个方向你们不用走了，他们就可以少花很多物力、时间。” 作为大陆晶圆代工产业的领头羊，中芯的制造工艺与国际上的竞争对手相比，一直处于落后的状态。据雷锋网了解，目前中芯的28nm低阶Polysion才勉强量产，主流28纳米HKMG良率更是不如预期。而且作为中芯目前最先进的工艺制程，2016年底的时候28nm工艺只占中芯总营收的3.5%。 此前曾报导，2015年6月，中芯国际、华为、高通、比利时微电子研究中心(IMEC)宣布共同投资组建中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司，开发下一代CMOS逻辑工艺，打造中国最先进的集成电路研发平台。新公司由中芯国际控股，华为、高通、IMEC各占一定股比，第一阶段以14nm CMOS量产工艺研发为主，未来还将研发中国的FinFET工艺。 Digitimes表示，“中芯宣称要做14nm、10那么，但恐是个遥不可及的美梦，若梁孟松加入营运团队，中芯美梦是否会成真，半导体业界都相当瞩目。” 不过，就算梁孟松真的加盟中芯，但是中芯想要赶上台积电以及三星依然困难重重。 首先，如果梁孟松转战中芯，三星是否会因此提起诉讼，重演台积电告梁孟松的事件，目前还不确定;其次，因为《瓦森纳协定》规定了发达国家对中国的出口限制，中芯很难买到最先进的光刻机来生产晶元。 根据知乎用户dax eursir的说法：英特尔、三星、台积电2015年就能买到荷兰ASML的10nm光刻机，而大陆的中芯国际2015年只能买到ASML 2010年生产的32nm光刻机，5年时间对半导体来说，已经足够让市场更新换代3次了。 虽然中国政府已经制定了鼓励发展半导体产业的远期计划，并投入了大量资金，但是就目前来看，中国的半导体产业依然面临着人才缺乏、技术落后、发达国家技术封锁等种种不利因素，想要达到国际先进水平道阻且长。

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  • 苹果A11芯片将用10nm制程，或将三星全部代工！

    近日，有消息指出苹果全新一代的A11处理器将会采用三星的10nm制程生产。目前业内的顶端处理器，例如：高通骁龙835处理器和三星Exynos 8895处理器已经率先使用10nm的工艺制程，而作为行业的佼佼者苹果不可能放弃对10nm工艺制程的追求。另外，此前台积电表示预计10nm的销售将能够使全年营收增加10%，而目前唯一能够让台积电的营收在短时间内出现如此大幅度的增长只可能是苹果。 更主要的是，如果A11的处理器采用10nm工艺，这样一来势必会在性能和功能上将会得到极其显著的提升，也会相应的减少占用手机的空间，从而增加更多传感器或者电池容量，重点是将有可能将摄像头作平。而从目前的现有情况来看，苹果A11处理器采用10nm工艺制程将会是必然。如果台积电在今年的第三季度开始量产 10nm 芯片，A11将是完全没有可能采用这种工艺了。 我们将会在今年的9月迎来iPhone 7s和7s Plus两款产品，除此之外还有可能有传闻已久的十周年纪念款iPhone 8。按照每年iPhone采用处理器芯片的节奏，今年将会升级到A11处理器。从苹果的角度来说，使用 10nm 制程工艺也有一定的好处。去年的 A10 芯片使用的是 16nm 制程，这款芯片面积为 125 平方毫米，在机身内部占据了很多空间。今年如果苹果想在新设备中整合更多功能和特性，增加更多传感器或者电池容量，那么他们就需要尽可能缩小芯片，最有效的办法之一就是用 10nm 制程工艺来缩小这块芯片。   今年的 iPhone 7s 和 iPhone 7s Plus 中肯定将会使用A11这款芯片，关键问题是这款芯片到底会使用哪种制程工艺呢?制造工艺越先进，CPU 的性能和功能就会越强，这也是行业特别关注芯片制程工艺发展的原因。目前围绕 A11 芯片可能使用的制程工艺，主要就是16nm和10nm两种方案，随着三星已经开始第二代的10nm的量产工作，所以现在苹果为了手机能再上一个台阶所以如果台积电不行就只能使用三星了，看来苹果也要向三星低头了!

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  • 台积电崛起之路:创建一流代工模式

     报道称,全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造(简称台积电、TSMC)正保持快速发展。目前在全球代工市场的份额超过50%,总市值达到约18万亿日元,逼近多年来居于行业首位的美国英特尔。台积电创始人兼董事长张忠谋主导的代工模式不断扩大,改变了半导体行业的产业结构。如今,IT产业的“幕后统治者”台积电迎来了创业30年。 资料图 4月13日,在台北举行的台积电财报说明会上,联合首席执行官(CEO)刘德音充满自信地表示,在人工智能(AI)、自动驾驶和5G通信,众多领域的高性能半导体需求都将增加,这将成为台积电的增长引擎。 同一天发布的台积电2017年1-3月合并财报显示,净利润同比增长35%,增至876亿新台币,刷新了1-3月的季度历史新高。截至上一财季,台积电已连续5个季度创出历史新高,增长势头依然强健。 台积电的销售净利润率达到37%,是制造业中罕见的高水平。台积电使用在业务中赚到的现金,每年实施1万亿日元规模的设备投资。 利润创历史新高的原因之一在于苹果的“iPhone 7”。在该款手机中起到大脑作用的CPU(中央处理器)的全部生产均由台积电承担。台积电夺走了此前共同负责代工的韩国三星电子的订单。 也有人猜测是因为“苹果对于在智能手机领域形成竞争的三星敬而远之”。另一方面,能接到苹果的独家订单,是台积电的技术实力在背后发挥了作用。苹果的“iPhone 6s”的代工订单由三星和台积电2家负责。当时,台积电首先实现了稳定的量产体制。 一位苹果相关人士透露,“台积电在上次证明了自己的技术实力,获得了苹果在iPhone 7上首次采用的特殊电路的设计订单”。 台积电与美国高通等其他智能手机CPU制造商存在交易关系。每年出货的15亿部智能手机中大部分都搭载了台积电制造的半导体。台积电被认为每年生产数百亿个半导体,广泛应用于家电、汽车和工业设备等领域。不过,台积电的强项不仅仅是量产技术。 另一个强项,是日积月累形成的庞大知识产权资料库(Library)。台积电从英国半导体设计企业ARM控股等处购买技术,或通过授权来积累技术专利,客户能利用的技术专利超过1万项。此外,台积电还深度参与设计开发,某供应商高管表示,“所有人都不得不依赖台积电”。 台积电为每家客户配备了数人的专职团队,从设计、开发到生产全程提供协助。在台积电的客户服务员工中,有数千人是在美国等获得博士学位的技术人员。台积电日本法人的社长小野寺诚表示,“(我们是)服务于客户的服务业”。 只要能增加产量、提高设备效率,就能不断赢得胜利。1987年创建台积电的张忠谋深谙半导体产业的取胜之道,不断在摸索打造一流的代工模式。以“滚雪球”的方式形成了筹集资金、技术和订单的机制。 目前,无法承受巨额设备投资的半导体厂商也启动了代工生产。日本瑞萨电子宣布,在车载微型电脑中使用的最先进28纳米(纳米为10亿分之1米)以下产品今后将委托台积电代工。 不过,台积电一家独大的现状并非没有风险。这是因为客户为实现稳定采购和降低代工费,需要一个台积电的竞争对手。高通被认为将最尖端的电路线宽为10纳米的CPU订单交给了三星。台积电目前已开始面临强者特有的“增长天花板”。

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  • 紫光董事长：3年追上高通/联发科，10年内全球前五存储厂商

    在半导体领域，处理器市场已经有中国公司做的很不错了，但在存储芯片市场，中国公司几乎是一片空白。好消息是国家已经把存储芯片作为重点来抓，紫光公司整合了武汉新芯公司成立长江存储科技公司，投资数百亿美元建设存储芯片厂。日前在接受日本媒体采访时，紫光董事长赵伟国重申了他们的宏伟目标——2020年在处理器领域追上高通、联发科，10年内做到全球存储芯片前五。 从几年前国家刚开始筹划半导体产业扶植项目，紫光公司就闻风而动收购了展讯、瑞迪科等处理器公司，去年又收购了武汉新芯科技公司，在此基础上成立了长江存储科技公司，在武汉、南京及成都三大城市建设芯片工厂，总投资高达700亿美元。 紫光董事长赵伟国日前在接受日本产经新闻采访时透露了他的野心，紫光公司要在处理器及存储芯片两个领域取得重要进展，其中2020年前要追赶高通、联发科两大移动处理器巨头，而在存储芯片市场，紫光公司希望10年内能做到全球TOP5。 这两个目标在外人看来可能有些太高了，不过赵伟国表示中国在半导体工业上追上(先进国家)只是时间问题。他以中国的LCD面板产业举例说明，早些年大陆也没有面板产业，但是现在的面板产业已经是世界领导地位。他说台湾、韩国的芯片产业能做到跟美国竞争，中国大陆也可以。 对于赵伟国的两个宏伟目标，紫光的处理器(主要是展讯、瑞迪科)在2020年追赶高通可能有点困难，但是追赶联发科还是有可能的。至于存储芯片前五，目前全球也只有三星、东芝/西数、SK Hynix、美光/Intel四大阵营，也就是6家公司，算上其他小公司，全球数得出名字的NAND厂商也不过10家左右，紫光在10年内位居前五也是有可能的，不过前提是紫光的NAND闪存在性能、可靠性、产能上达到稳定水平。 PS：在这个问题上要是说支持民族企业什么的太扯了，不过中国公司能进军内存、闪存领域对国内的消费者也不是什么坏事，要知道国内大量智能手机都在使用天马、京东方等公司的LCD/AMOLED面板了，他们对电子产品降低成本功不可没，消费者也从中受益了。只不过紫光的目标实在太过高调，特别是在一无所有的情况下，这可能是很多人不喜欢紫光的原因之一吧。

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  • 了解您的栅极驱动器

     观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器虽然经常被忽视，但是它在电源和电机控制系统等系统中发挥着很重要的作用。我喜欢把栅极驱动器比作肌肉!该视频系列说明了栅极驱动器的工作原理，并重点介绍了关键的栅极驱动器参数。涉及的主题包括负电压处理、延迟匹配、宽VDD和工作温度范围等。这篇博文将更全面地解释这些主题。 负电压 栅极驱动器中的负电压处理是指承受输入和输出端负电压的能力。这些不必要的电压可能是由于开关转换、泄漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压承受能力对于稳健可靠的解决方案至关重要。 图1显示了TI栅极驱动器如何处理大量的下冲和过冲产生的负电压，防止集成电路受到损坏。 反向电压(V) 图 1：负反向电压处理 延迟匹配 延迟匹配是一项衡量标准用于表示通道之间的内部传播延迟的匹配准确度。如果在两个通道的输入端同时施加一个信号，则两个通道输出的时间延迟是延迟匹配数值。延迟匹配数值越小，栅极驱动器可以实现的性能越好。 延迟匹配有两个主要好处： · 确保同时驱动的并联MOSFET具有最小的导通延迟差。 · 简化了栅极驱动器输出的并联，可有效倍增电流能力，同时简化并联电源开关的驱动。 TI的UCC27524A具有非常精确的1ns(典型值)延迟匹配，可将驱动电流从5A增加到10A。图2显示的 UCC27524A的A和B通道组合在一个驱动器中。INA和INB输入端连接在一起，OUTA和OUTB同样如此。一个信号控制并联组合。 图 2：并联输出并可倍增驱动电流的UCC27524A 精确延迟匹配的效果之一是提高功率密度。隔离电源、DC/DC模块和太阳能逆变器的功率因数校正(PFC)和同步​​整流模块等应用都需要更高的功率密度，而对于相同的输出功率，设计者的选择通常仅限于相同或更小的尺寸。 宽VDD范围 当我提到“宽VDD范围”时，我指的是连接到MOSFET的漏极的正电源电压或连接到绝缘栅双极晶体管(IGBT)集电极的正电源电压。对于栅极驱动器，VDD定义驱动器输出的范围。 宽VDD范围有三个好处： · 为您的系统设计提供灵活性，可以使用具有不同工作电压的同一驱动器和不同类型的电源开关。 · 在有噪声的环境中或在使用低质量的电源时非常可靠，可有效防止系统被过冲或下冲损坏。 · 具有宽VDD范围的驱动器可用于分离轨系统，例如驱动具有正和负电源的IGBT。 总体而言，宽VDD范围使您可以在极端条件下灵活地进行系统设计，提供高可靠性。 工作温度范围 一个经常被忽视的细节是栅极驱动器的测试条件。通常会看到在室温(25°C)下测试栅极驱动器。在整个工作温度范围内列出了规格最小和最大值，并添加了统计保护带。 不要忽视工作温度范围，因为当温度保持在-40°C至125°C时，与在室温下相比，最小和最大规格可能会发生显著的变化。大多数TI栅极驱动器器件的温度范围为-40°C至125°C或140°C。 这在极端温度下提供了一致的性能和稳定性。考虑数据表中的这些细节，可以更轻松地选择正确的栅极驱动器。 正如您所见，在选择系统的栅极驱动器时，需要考虑许多参数。请观看我们的视频系列，并在德州仪器在线技术支持社区 中提出任何问题。

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  • 持续服务电子制造行业 NEPCON China 2017于4月25日在上海启幕

    与上一届相比，本次NEPCON China的参展规模更进一步，扩大至32,500平方米，吸引了来自22个国家和地区的450多个知名品牌亲临现场展示实力，一大批涉及表面贴装、焊接与点胶喷涂、测试测量、电子制造自动化、电子新材料、汽车电子等领域的新产品和新技术同时登场。为期三天的展会预计将接待超过32,000名专业观众和优质买家。   图为：NEPCON China 2017现场 值得一提的是，2017国际全触与显示展(C-TOUCH & DISPLAY)及其联合中国光学电子行业协会液晶分会(CODA)共同推出的上海国际新型显示技术展也在同期开展，融入了集触摸屏和显示技术为一体的产品和技术。几大展会强强联手、同地展出，全面聚集了电子制造行业与触控显示行业的尖端技术，丰富和完善了电子制造产业链。三天中，展会现场将陆续有十场高质量的行业论坛举行，把脉多元化市场趋势，分享和探讨电子制造行业的最新理念和热点。 行业名企和新秀云集 行业热点一网打尽 不论是制造业的信息化和工业化，还是“互联网+”战略的渗透，其背后都需要强大的电子硬件支撑，电子制造行业将在中国经济这一轮的转型升级中获得巨大的机遇。据工信部数据显示，2016年全国规模以上电子信息制造业增加值同比增长10%，高于全部规模以上工业增速4%。   图为：NEPCON China 2017 表面贴装创新展示区 NEPCON China 2017在展区设计中充分接轨最新行业趋势，通过EMA电子制造自动化展区、EMS采购中心、SMT表面贴装专区和首次面世的电子新材料专区，共同呈现出电子制造行业的最新面貌和变化。 EMA电子制造自动化展区集中展示先进的工业自动化技术和系统集成技术在电子制造业中的应用方案，B&P德富莱、鸿仕达等参展商都带来了自己的最新技术和设备。 SMT表面贴装技术板块覆盖贴片、焊接与点胶喷涂、测试测量等完整生产环节，集中展示全球知名制造品牌和主流产品。观众和买家可以在此参观富士机械制造、Koh Young、BTU等知名企业的展位。 EMS采购中心云集来自全球各地的电子产品品牌和专业买家，将OEM、ODM、EMS和Design House等环节一网打尽，继续领跑智能制造业。其中，ICT领域知名的科技服务及创业服务平台IC咖啡带来巨哥电子、谘微、磐纹科技等多家新创公司，入驻创客展示区。借NEPCON China 2017的绝佳机会与产业链上下游交流，肌电手环、小盒机器人等新颖的科技产品吸引了众多的参观者。   图为：NEPCON China 2017创客展示区 花王、晶英等业内知名企业亮相电子新材料展区，该展区是NEPCON China首次设立的板块，整合电子材料企业、电子产品制造企业、行业专业协会资源，并与手机制造材料、汽车等行业热门主题会议相结合。 观众享受海量信息盛宴 众多贴心活动将气氛推至高潮 开展首日，观众立时就在NEPCON China 2017上享受到了一站式贸易合作平台带来的丰富资源与便利。除参观展区，当天的AUTOMOTIVE WORLD CHINA技术论坛、可穿戴产品中印刷电子与微组装技术论坛和SMTA华东高科技技术研讨会上，观众热情参与，与现场专家和企业人士深度交流，讨论最新理念和最前沿技术趋势。   图为：智能可穿戴产品中印刷电子与微组装技术论坛 在接下来的两天里，展会的各项活动将更加精彩纷呈。覆盖智能手机、汽车电子、安防电子、医疗电子等行业热门领域的活动等待前来的观众揭开面纱。同时也可借此契机，在往年核心的消费电子制造商的基础上进一步向新领域拓展。 为提升观众观展乐趣，展会特别设计了观众激励环节，各项活动递次开启，将活动现场气氛逐步拉抬至沸点。观众如关注展会微信、评论采购通，或是扫码完成会议调研都有机会获得奖品，组团参观的观众还可享受特别礼遇。与此同时，展会主办方准备了更接地气的参与方式，推出“皮皮虾，我们走”转发邀请获梯级奖励计划，用时下大热的网络话题拉近观众的距离。 虽然刚刚进行了一天，但NEPCON China 2017在展会规模、展品设置、现场活动、纵深服务、观众反馈等各方面的表现都已体现出了这一电子制造行业年度盛会的专业和成熟。  

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  • 3D NAND助力，2016年全球半导体晶圆级制造设备年增11%

     在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下，调研机构Gartner表示，2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3%，达374.07亿美元。一扫2015年规模年减1%阴霾。 Gartner研究副总裁Takashi Ogawa表示，由于市场对资料中心高端服务，以及对移动装置中的高效能处理器与存储器需求大增，使得各半导体业者纷纷对晶圆级制造设备进行投资，进而推动了半导体设备市场规模的成长。 Gartner进一步分析，3D半导体制造是造成前十大前段设备业者表现出现落差的主要原因。具有3D半导体蚀刻解决方案的设备业者，表现都相当亮眼，例如应材的蚀刻设备业务，便因为3DNAND Flash的投资需求而出现强劲成长。成长表现最亮眼的Screen Semiconductor Solutions，除了同样受惠于3D NAND Flash投资热潮外，还有日圆兑美元升值的汇率利多因素加持，因为本统计是以美元作为计价单位。 应用材料(AppliedMaterials)2016年营收大幅成长，尤其是蚀刻领域设备营收成长更是明显。主要归功于其3D刻蚀设备。 资料显示，2016年应用材料整体晶圆级制造设备营收年增20.5%，达77.37亿美元。营收续居各业者之冠。 日本业者ScreenSemiconductor Solutions则是在日圆兑美元汇率升值，以及市场对3D NAND产能需求增加等因素影响下，2016年整体晶圆级制造设备营收年增41.5%，达13.75亿美元。虽然该公司2016年营收在前十大业者中仅排名第六，但营收年增率居各业者之冠。 2016年营收年增率仅次于Screen Semiconductor的是日立先端科技(Hitachi High-Technologies)。该公司营收年增率为24.3%，营收为9.80亿美元。营收在前十大业者中排名第七。 美国科林研发(LamResearch)与荷兰ASML则是分别以营收52.13亿与50.91亿美元，名列二与三名。上述两业者2016年营收年增率为8.4%与7.6%。 综观2016年营收前十大业者，仅Hitachi Kokusai与ASM International营收下滑，分别年减16.6%与14.7%，达5.28亿与4.97亿美元。 前十大业者合计营收占所有业者总营收的78.6%，较2015年占比77.4%，扬升了1.2个百分点。

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  • 10nm工艺好在哪儿？高通骁龙835详细分析

     随着智能科技在手机制造业的不断发展，近年各大品牌手机的创新之举也实为不少。不过，名气越大，责任越大。消费者对手机的实质性能也不断提出新的要求，例如成像质感更强、屏幕显示更出色、影音效果更震撼等等，厂商也针对性能进行了逐一改进，但随着而来的却是智能手机在续航能力表现上越来越差。频繁的使用频率导致现在智能手机的续航无法支持用户整天的使用需求。续航问题基本成了各大手机厂商非常头痛的“疑难杂症”之一，有的手机厂商通过一些“黑科技”进行电量的监控来达到续航的提升，但效果并不明显;而有的则是通过加大电池容量来提升手机续航能力，虽说效果显著，但这会使得手机体积又厚又重，外观一点都不美观，得不偿失。 针对这个现状，Qualcomm于年初发布了一款新品——顶级的骁龙835移动平台，不仅能很好的解决手机续航这一大问题，还可以为我们带来一款高颜值又轻薄的长续航手机。另外还提升了拍照能力与安全性管理，并且支持千兆级网速以及时下最火爆的沉浸式体验，同时辅以Qualcomm智能学习平台可以使用户获得更好的智能应用体验。 Qualcomm骁龙835移动平台是全球首款采用10纳米FinFET工艺节点实现商用制造的移动平台，与上一代旗舰处理器相比，它的封装尺寸减小35%，能将更小、更高效的晶体管封装到同一个芯片中，具有更强的性能表现力;同时相比上一代14纳米的骁龙820移动处理器来说，还实现了25%的功耗降低，这意味着搭载该移动平台的手机将拥有更长的续航时间以及更纤薄的外观设计。 除此之外，为了让Qualcomm骁龙835移动平台在功耗表现上更出色，Qualcomm骁龙835移动平台还搭载了全新的Kryo280 CPU构架。全新的CPU可提供高效节能的功耗架构，而集成的Hexagon 682 DSP增加了对TensorFlow和Halide框架的支持，由CPU、GPU、DSP和软件框架组合提供了一个高性能的异构计算平台，让设备更智能的去处理整个系统内的工作负载，从而实现最大效率并有助于延长续航时间。 为了让搭载Qualcomm骁龙835移动平台的手机能给用户提供更极致的续航体验，Qualcomm还为其采用了全新的Quick Charge 4.0快充协议，与上一代的Quick Charge 3.0相比，可实现高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，使搭载Qualcomm骁龙 835 移动平台的设备充电15分钟就能充饱 50% 的 电量甚至更多。瞬间完成充电的能力，无论你在外出旅行还是出差办公都不用为一整天的高强度使用而担心续航问题，即使在没电的情况下也能为你急速充满。同时也不用再担心，手机厂商们为了使产品能拥有更长续航能力而去配置一块大容量电池了，外观美美哒，拿在手里也显品味。 Qualcomm骁龙835移动平台专门在功耗表现上下了那么大的功夫，全面提升了手机的续航能力，还不用面对因续航而舍外观的两难境地，实在是解决了一个大难题。非常期待更多搭载Qualcomm骁龙835移动平台的新旗舰到来，带领我们进入一个智能手机长续航的新时代。

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  • 传三星已经和高通合作共同开发下一代芯片骁龙845

     在目前手机行业里，三星已经呈现出了绝对的霸主地位，很多其他品牌的手机在硬件使用方面几乎都可以看到三星的身影。就连苹果公司，很多硬件也来源于三星。三星的强大是大家有目共睹的，当然很多手机厂商也享受过被三星支配的恐惧。 三星发布的很多产品当中，我们就能感觉到三星在手机行业拥有的自主权。特别是刚刚发布的三星s8凭借着一块屏占比很高的曲面屏幕吸引了全球用户的眼球，你惊艳的程度可以用梦幻来形容!可能全球营造出这样产品的厂商除了三星之外也找不出第二家了，关键是三星本身实力强大，很多硬件的制造都是由旗下的子公司完成的。在曲面屏方面，三星又有得天独厚的条件。在吸收国产手机厂商小米推出的外面屏概念手机小米mix的灵感之后，迅速设计、制造出了外观程度更加惊艳的三星s8。 三星整个公司不光实力强，而且还很有战略眼光很高。对于能够创造共同利益的合作伙伴，三星会不遗余力的保持合作联系。目前关乎手机性能的一个很重要的元件就是手机的处理器，而三星也与全球目前全球最大的处理器制造厂商高通有着密切的联系。(虽然三星自家也产芯片，但是在很多机型上，仍然会选择搭载高通的处理器) 三星s8刚刚发布，三星整个公司也没有闲着。目前曝光的消息来看，三星已经开始酝酿三星s9。而三星s9核心元件“骁龙845处理器”已经开始投入研发和设计，而对于这款旗舰芯片的研发。不单单是由高通一家公司完成，而是三星与高通联合研发新一代10纳米级别的骁龙845处理器，该系列处理器相较于骁龙835处理器有明显的提升。 看来骁龙的下一代旗舰芯片会再一次让三星率先享用，而在旗舰芯片的供应量方面三星肯定也会享受特别的待遇。(希望国产芯片能够跟上潮流，慢慢的拥有更多的自主权)

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  • 台积电5nm/7nm/10nm/12nm全面开花！

     昨日，台积电发布了致股东报告书，其中公开了先机制程的最新进展。 具体来说包括，7纳米已在今年4月开始试产，预期良率改善将相当快速，5纳米则维持原先计划，预计2019年上半年试产。 至于10nm，董事长张仲谋表示，今年Q1已经开始出货，全年的目标是稳健增产，扩大份额。 同时，外界传言的12nm也得到了台积电的证实，它比10nm更具性价比，可覆盖到中低端手机、消费电子、车载物联网终端等，下半年量产。 而最为成熟的16nm和28nm，前者的业务目标是降低缺陷密度，缩短生产周期，后者则是推出具有差异性及成本效益的解决方案。 张仲谋依然非常看好晶元代工业务，他说台积电在全球半导体制造中的份额高达56%之多。

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  • 中芯国际要研发更先进制程工艺 台积电一员大将可能加入中芯国际

      中芯国际是全球芯片代工行业中的四大厂商之一。然而，目前，中芯国际投入量产的最先进的制程工艺是28纳米PolySiON工艺。并且，中芯国际仍需对高端的28纳米HKMG工艺继续深入探究。台积电、三星、英特尔、格罗方德和联华电子等半导体厂商都在争相研发更先进的制程工艺。中芯国际要想尽快地追赶上同行中的这些厂商(竞争对手)，所面临的最大困难恐怕是“缺少高科技人才”。所谓的“千军易得，一将难求”，相信，中芯国际的核心高管们对此深有体会。实际上，在全球，各家科技企业之间，尤其是高科技企业之间的竞争，归根结底应该是各家科技企业的优秀人才之间的竞争。 近日，来自中国台湾地区的电子时报报道：继曾经在台积电任职研发副总裁的蒋尚义到中芯国际担任独立董事之后，曾为台积电的“头号研发战将”，也即梁孟松很有可能在2017年5月出任中芯国际的技术长或营运长。中芯国际的现任营运长赵海军将会去往江苏长电科技任职执行长，长电科技是中芯国际旗下的半导体封测厂商。另外，早在2016年，先前在中芯国际掌舵技术研发的的李序武已经从中芯国际离开。于是，电子时报称：“半导体业者认为，梁孟松先前任职三星电子期间，投入发展14纳米制程，让台积电16纳米先进制程初尝败绩，未来若转战中芯，恐让中国晶圆代工先进制程技术突飞猛进。” 中国半导体行业界的许多人都视梁孟松为“技术狂人”，中国台湾地区的一些媒体则把梁孟松称为“台积电的叛将”。2009年2月，梁孟松赌着气离开了台积电。梁孟松去了韩国之后，先在成均馆任教，后帮助三星成功研发出了14纳米FinFET工艺。显而易见，梁孟松绝非等闲之辈。梁孟松当初为何离开台积电，去帮助三星研发更先进的制程工艺?电子时报称：“蒋爸(特指蒋尚义)还在台积电时，威望和实力都镇得住底下的人。但蒋爸在2006年第一次从台积电退休后，孙元成升上去当副总，空降的罗唯仁成了当时梁孟松的主管，一切起了变化。传出在2008年时，当时研发专长的梁孟松被降职调去其他部门，内部的人事命令上，还点出梁孟松在公司有人和的问题，让当事人觉得受辱。”换言之，蒋尚义在台积电执掌技术研发部门那会儿，梁孟松和孙元成可谓台积电的两员研发大将，两个人在台积电的职务等级“平行”。之后，孙元成在台积电升职为副总级，空降到台积电的罗唯仁又成为了梁孟松的上级主管。才华超群的梁孟松心里头会怎么想? 2016年，在全球芯片代工行业中，台积电的营收大约10倍于中芯国际的营收。 从2011年到2015年，台积电的营收和税后净利都呈现逐年递增的趋势。 2016年，在中国大陆地区的芯片制造(有别于芯片代工)行业中，中芯国际排名第二。 值得中芯国际的核心高管们思考的一个紧迫问题是，假如梁孟松回到中国，加入了中芯国际的研发团队，这算得上是中国甚至全球半导体行业界的一个重磅消息。三星有没有可能和一样，“重演台积电告梁孟松的事件”?中芯国际作为中国大陆地区排名第一的芯片代工厂商，当下正为自己如何研发更先进的制程工艺所困扰。不管怎样，梁孟松加入到中芯国际之后，中芯国际理应能成为梁孟松等高科技人才得以尽情发挥自己才华的好的平台。而这，应该会有助于中芯国际加快研发14纳米工艺、10纳米工艺和7纳米工艺等更先进的制程工艺。

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  • Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性，适用于移动设备和消费电子

     日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布新的30V N沟道TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiA468DJ采用超小尺寸PowerPAK® SC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm x 2mm塑料封装的30V器件。 今天发布的MOSFET是目前尺寸最小的30V产品之一，比PowerPAK 1212封装的器件小60%，在笔记本电脑、平板电脑、VR头盔和DC-DC砖式电源，无线充电器中的H桥，以及无人机的电机驱动控制中，可用于DC/DC转换和电池管理的负载切换。 SiA468DJ在10V和4.5V下具有8.4mΩ和11.4mΩ的极低导通电阻，在这些应用中能减小传导损耗，提高效率。其导通电阻比前一代产品低51%，比最接近的竞争产品低6%。另外，MOSFET的优值系数 (FOM) 针对各种功率转换拓扑进行了优化。 SiA468DJ的连续漏极电流高达37.8A，比前一代器件高68%，比最接近的竞争产品高50%。高漏极电流为会碰到高瞬变电流的应用产品提供了足够的安全余量。MOSFET进行了100%的RG测试，符合RoHS，无卤素。 SiA468DJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。

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  • 中国自研芯片：龙芯三号发布

     龙芯3号处理器 4月25日消息，龙芯中科公司今日在京举行发布会，正式发布了龙芯3A3000/3B3000、龙芯2K1000、龙芯1H等产品。还和众多合作厂商发布了龙芯笔记本电脑、龙芯服务器等一系列产品。此外龙芯还宣布了龙芯开源计划、龙芯开发者计划和龙芯产业基金计划。 发布会上的最引人瞩目的莫过于面向桌面/服务器应用的龙芯3号处理器的最新升级产品龙芯3A3000/3B3000，其中龙芯3A3000/3B3000处理器采用自主微结构设计，官方称实测主频达到1.5GHz以上，是目前国产CPU中单核SPEC实测性能最高的芯片之一。 3B3000经过测试支持通过直连形成多路服务器的芯片，用于服务器的CPU，支持多路互联。这里说明一下，目前国内自主设计的CPU中，龙芯是唯一支持多路互联的。 龙芯笔记本　　 在现场我们还看到了龙芯自主研发搭载龙芯3号处理器的笔记本，采用国产操作系统中标麒麟系统。从现场简单体验来看，龙芯笔记本外形符合目前主流笔记本产品审美，尤其是采用了时下非常流行的窄边框设计。从外观上并不逊色于一些中低端的产品。 窄边框设计　　 在本次龙芯2017发布会中，龙芯发布了面向钻井应用的龙芯1H耐高温芯片，面向网络安全及移动智能终端领域的双核处理器芯片龙芯2K1000。 在软件生态方面，龙芯中科本次发布了面向通用领域的龙芯64位社区版操作系统以及面向嵌入式领域的实时操作系统平台，基于龙芯Loongnix社区操作系统平台，国内操作系统品牌企业包括中标软件、普华软件、深度科技等在本次大会上都发布了基于龙芯平台的最新64位操作系统 此外，龙芯中科本次还发布了开发者计划，龙芯开发者计划的内容框架是“一个开放社区、一个应用公社、一个开发者大会”，共同构成开发者的生态根据地。曾在2016年10月在中国计算机大会上提出的龙芯CPU开源与高校计划也在本次的发布会中正式发布。 新浪点评：建立生态很重要 中国的CPU公司和整机厂如果想要像Intel和苹果那样赚钱，就必须建立自己的生态。从过去几十年的历史来看，只有建立自己的生态的CPU公司，比如英特尔和ARM这样才能将利润最大化。

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  • 英特尔携手展讯 将推第2款中低端x86 4G芯片

     在放弃移动芯片市场之后，半导体大厂英特尔(Intel)的重点已经转向资料中心、5G、快闪存储器、FPGA、物联网等市场上。 不过，Intel 希望透过另一种新的合作方式，也就是将 x86 架构授权给其他移动芯片公司，再借由使用自己先进制程为其代工的模式，仍旧在移动市场中获利。 对此，中国 IC 设计企业展讯前不久就宣布了与 Intel 合作的首款 x86 移动芯片 SC9861G-IA，为首个该模式下所生产出的产品。 展讯与 Intel 的渊源始于 3 年前，清华紫光集团先后收购了展讯、RDA 瑞迪科两家公司，成立紫光展锐公司之后，Intel 在 2014 年 9 月宣布斥资 15 亿美元入股紫光展锐，并获得 20% 股份。 当时双方的合作目标，就是展讯将推出基于 Intel x86 架构的移动芯片，而日前所发表的 SC9861G-IA 移动芯片就是双方合作的第一个成果。 SC9861G-IA 移动芯片的基础源自于 Intel 的 8 核心 Airmont 架构，频率 2.0GHz。 该架构是 22 纳米制程的 Silvermont 架构的后继款式，采用 Intel 的 14 纳米 FinFET 制程代工。 不过，由于 8 核心的 SC9861G-IA 移动芯片定位在中高端市场，这对展讯最擅长的中低端市场来说，营收的贡献度恐不太大。 根据统计，展讯瑞迪科 2015 年的基带处理器出货达 6 亿多颗，其中大部分都是 3G 及以下的产品，且 80% 都是销往海外，三星为最大客户。 至于展讯的 4G 移动芯片，2015 年的出货量只有 1 亿多颗，比起高通、联发科来说仍是小巫见大巫。 未来展讯与 Intel 合作的第 2 款 x86 芯片 SC9853 将瞄准中低端市场，目前还没有具体规格公布。 不过，以前代 SC9850 还是 4 核心 Cortex-A7 架构来看，SC9853 规格应该会有升级，但升级程度将不会太大。 预计会在 SC9861G-IA 基础上精简，但仍采用 Intel 的 14 纳米制程。该芯片的能效或有所提升，在中低端 4G 市场上也会较有竞争力。

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  • NVIDIA入门卡GT1030全曝光：599元反击RX550

    AMD日前推出了新一代的RX 500系列显卡，首发两款高端型号RX 580/570，入门级的RX 550也随后跟上，接下来还会有一款RX 560。 NVIDIA这边的帕斯卡家族虽然早已布局完毕，但眼见着对手在中低端市场“兴风作浪”，自然不能坐视不理，毕竟自己桌面显卡现在最低端的GTX 1050，只能对位到560。 RX 550怎么办呢?NVIDIA又准备了一款新的GT 1030——之前被传叫做GTX 1030，但这种入门卡还从未享受过GTX级别的待遇。 自从开普勒时代的GT 730之后，NVIDIA还没有出过这么低端的卡，包括后续的麦克斯韦和现在的帕斯卡架构，最低也就是到x50级别。 根据最新爆料，GT 1030确实基于最新的帕斯卡架构，不是马甲，集成了512个流处理器，搭配128-bit 2/4GB GDDR5显存，整体功耗只有35W。 从这样的规格看，它似乎应该是在GTX 1050系列的GP107核心基础上再精简而来的，不太可能专门再来个小核心，同时也意味着不会有GT 1040——4不好听，而且也没空档了。 性能方面，得益于帕斯卡架构的优秀设计，GT 1030已经可以媲美GTX 750 Ti，并完美压制RX 550。 GT 1030将于5月8日正式发布，价格和RX 550一样也定在599元!

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