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  • 剖析骁龙840/845基于台积电7nm打造的可能性

     台积电当前的10nm工艺尚处于拉抬良率过程中，已经开始急急高调宣传7nm工艺，并且传闻指高通可能回归采用其7nm工艺生产下一代高端芯片骁龙 845 / 840，对于这个笔者认为很可能是又一个谎言! 台积电7nm工艺能否按时量产存疑 自16nm FinFET工艺以来，台积电一直都落后于三星。三星于2015年初量产14nm FinFET工艺，台积电的16nm FinFET工艺则到同年三季度才量产;前者于去年10月量产10nm工艺，台积电方面虽然说今年初量产10nm工艺，但是采用该工艺的联发科helio X30迟迟未能上市，让人对其10nm工艺的规模量产存有较大疑问。 当前台积电同时开发16nmFinFET的改进工艺12nm FinFET，10nm工艺良率还需要改善，目前已将大量精力投入采用10nm工艺生产苹果的A11处理器，这一切都给它推进7nm工艺的研发造成干扰。 高通与三星的合作日益密切 2015年三星采用自己14nm FinFET工艺的Exynos 7420处理器性能和功耗表现卓越。台积电的16nm FinFET工艺量产时间太晚导致高通不得不采用20nm工艺生产其高端芯片骁龙810，由于台积电在20nm工艺上优先照顾苹果的A8处理器导致高通的骁龙810量产时间太晚缺乏足够的时间进行优化导致骁龙810出现发热问题，进而导致2015年高通的高端芯片出货量大跌六成，而让三星的Exynos 7420独霸这一年的Android市场。 受此影响，高通一怒之下离开台积电，将其高端芯片转由三星制造。2015年底的骁龙820、今年的骁龙835分别由三星的14nm FinFET、10nm工艺制造，性能和功耗都表现优秀。作为对比的是，华为海思选用台积电的16nm FinFET生产的麒麟950、联发科采用其10nm工艺生产的helio X30俱出现量产时间延迟的问题。 去年高通的中端芯片骁龙625、近期的中高端芯片骁龙660都采用三星的14nmFinFET工艺，而这两款芯片的上一代产品俱是采用台积电的28nm工艺。从高端到中端芯片，高通正将更多的芯片订单转到三星，双方的合作关系不断加深。 台积电的产能难以满足高通和苹果 高通和苹果都是全球手机芯片的领导者，前者是全球最大的手机芯片企业，后者凭借iPhone、iPad等产品的热销每年消耗自家的A系处理器达到3亿片左右，对先进制造工艺产能需求很大。 从台积电获得苹果的A8处理器订单开始，其每年都将其最先进工艺的产能优先提供给苹果，确保其A系处理器的规模量产，而其他芯片企业包括高通都因此受到影响，可见台积电每年的先进工艺产能难以同时满足高通和苹果这两个全球领先的芯片企业。 假如台积电能如期在明年初量产其7nm工艺，初期由于良率较低恐怕难以同时满足高通、华为海思、联发科等的需求，而到了二季度又要将大量产能用于生产苹果的A12处理器，这自然不得不让高通思考转用其7nm工艺所面临的产能困扰。 相反，从三星之两代先进工艺直都领先于台积电量产来看，笔者认为其很可能再次在7nm工艺上取得领先。由于高通是三星7nm工艺的最大客户，后者自然愿意提供最好的服务和更优惠的价格，此前在与台积电争夺苹果A系处理器的订单时三星就显示出更进取的态度，两厢比较之下显然高通选择三星会比台积电更合适。 其实在高通的骁龙835确定采用三星的10nm工艺生产之前，台媒方面就一再传出消息指高通会回归结果被证实是谎言，如今高通回归台积电采用其7nm工艺可能是又一个谎言!

    半导体 台积电7nm 骁龙840/845

  • 面对三星追赶,紧压英特尔加速发展芯片业务

     IC Insights预计今年二季度Intel的营收为144亿美元，三星则可能高达149亿美元，这将是三星首次在半导体市场超过Intel夺得全球老大的位置。面对巨大的压力，一直在存储芯片业务上摇摆的Intel将需要在扩建大连工厂或收购美光上尽快做出抉择，以确保自己在半导体市场的竞争优势。 Intel摇摆的存储芯片业务战略 面对三星的步步紧逼，Intel当然看在眼里，早在2012年存储巨头之一的尔必达倒闭，媒体报道指Intel开始大量招聘尔必达的工程师。发展存储芯片业务除了对抗三星外，当时Intel的计划是将内存整合到处理器中，这样可以大幅度提升整机的性能，增强Intel的处理器业务竞争力，毕竟随着制造工艺的提升越来越困难，处理器的频率提升受到功耗和目前硅材料的限制也有极限。 Intel是PC和服务器芯片市场的霸主，占有PC市场处理器约八成的市场份额，在服务器芯片市场更是占据超过九成的市场份额。近几年PC市场的发展出现停滞迹象，ARM阵营推出的平板电脑侵占了部分PC市场，主要采用ARM架构处理器的chromebook已在教育市场迅猛发展，这迫使Intel将希望放在依然拥有垄断性优势的服务器芯片市场。 Intel占有竞争优势的服务器芯片市场也面临着ARM阵营的进攻，高通、AMD都已开发出ARM架构的服务器芯片，全球第四大服务器供应商华为也是中国最强大的手机芯片企业已针对服务器市场获取ARM的授权开发自主架构服务器芯片，面对着竞争对手的进攻如何强化自己的服务器芯片优势就成为Intel的重中之重，而发展存储芯片业务如上述恰可以增强其服务器芯片的整体性能。 Intel发展存储芯片业务的战略却一再摇摆，2015年底Intel宣布在中国大连投资55亿美元生产存储芯片，但是到去年7月却又暂停了扩建大连工厂的计划，消息指它有可能收购或控股美光，时至今日这两个计划都没有明确的消息，如今面对三星的赶超将迫使它做出抉择，到底要如何发展自己的存储芯片业务。 发展存储芯片业务有助于Intel加快工艺研发 Intel同时拥有芯片设计和半导体制造业务。早几年其通过Tick-Tock战略成功压制AMD的发展，即是第一年升级半导体制造工艺次年升级微架构，由于AMD缺乏足够的资金同时进行这两项研发工作，迫使后者出售了半导体制造业务并衰落至今天的地位。 ARM阵营则与Intel不同，当前全球领先的两大半导体制造企业三星和台积电专注于半导体制造，ARM负责核心架构研发，高通、苹果、华为海思、三星等芯片设计企业负责设计芯片，形成一条完整的芯片设计制造链条，通过这种共同协作的方式与Intel的模式竞争，从目前来看ARM阵营的这种模式是相当有效的。 Intel则由于PC市场的衰落，导致这几年在半导体工艺研发方面有逐渐落后于三星和台积电的危险(当前Intel的14nmFinFET工艺其实与三星和台积电目前最先进的10nm工艺相当)，预计明年后两者量产7nm工艺后将有可能真正实现在工艺方面超越Intel，如果在半导体制造工艺方面被超越，ARM阵营对Intel的进攻将会更猛。 当前ARM阵营的苹果开发的A10X处理器性能有望达到Intel的酷睿i水平，该芯片采用的正是台积电的10nm工艺，由此可以推测苹果的A11X处理器如果采用台积电更先进的7nm工艺将有多么可怕的性能。 在这样的情况下Intel急需加快其半导体制造工艺的研发，而发展存储芯片业务恰恰有利于Intel加快工艺研发进度。三星作为全球最大的存储芯片企业正是通过存储芯片业务来锤炼自家的半导体制造工艺，而其在存储芯片市场所获得的丰厚利润也为它研发半导体制造工艺提供了资金，帮助它成功赶超第一大半导体代工企业台积电。 因此，笔者认为Intel有很大可能会加快其存储芯片业务的发展，以应对三星和ARM阵营的挑战，只不过目前不知道它会采取与美光合作还是收购后者的方式进行。对于美光来说其实也非常需要Intel的支持，它在存储芯片业务方面与三星、东芝、SK海力士的竞争中已处于劣势。

    半导体 三星 英特尔 芯片业务

  • AMD压力山大！NV新显卡又领先一整代

    近日，GPU技术大会正式拉开序幕，期间包括多达600场的主题演讲。 昨天，我们认为AMD有望借此机会公布Vega的性能，但现在看来，事情推迟到了16日的专门活动中。 不过在日程中，依然有老朋友出现，NVIDIA CEO黄仁勋。 按计划，周三，他将登台演说，其中一个重要的议题就是NVIDIA的下一代GPU架构，代号“Volta(伏特)”。 不过，也许他并不会谈及消费级产品的进展，因为此次的Volta主要是服务IBM Power9高性能服务器的，后者支持NVlink 2，预计明年底发布。 目前，NV已经宣布了多个集成Volta GPU的产品，包括人工智能超算SoC Xaiver。 现在已知的Volta核心规格并不多，包括HBM2显存、12nm工艺等。 可能AMD被Ryzen转移走太多资源，显卡这块的步伐明显没有NV快了。

    半导体 AMD 显卡

  • 台积电产A11处理器 预估7月下旬量产交货

     苹果启动新一代手机零组件备货，台积电以10奈米为苹果生产A11处理器下月正式放量投片，预估7月下旬量产交货，等于宣告苹果新机iPhone 8将于7月密集备货，让整个苹果供应链动起来。 台积电预定在年底前为苹果备货1亿颗的A11处理器，颢示苹果仍看好十周年新机销售，仍可缔造历年来最佳销售纪录。 法人看好，台积电下半年营收成长动能强劲，买盘持续敲进，本周股价有机会挑战站上200元，带领台股再攻万点，其股价、市值将再改写历史新高纪录。 台积电上季法说会时曾释出本季因主要客户处于新旧产品交替或进行库存调整，预估本季合并营收将季减8~9%，营收将介于2，130亿元至2，160亿元;毛利率略降至50.5%~52.5%;营业利益率约小幅下滑至39%~41%，预估4月合并营收将会明显下滑，但法人认为利空已逐步消散，随10奈米制程下半年量产，台积电营收仍可展现强劲成长力道。 台积电的10奈米制程是继16奈米制程后的另一技术重要里程碑，虽然后来只导入联发科、海思和苹果三家公司的手机芯片，其余客户决定大举导入7奈米，但10奈米制程，几乎是为苹果新一代处理器A11量身打造的制程，因此何时放量投片，也成为全球关注苹果启动新手机备货的重要指针。 台积电供应链透露，台积电原订6月4日开始放量投片A11处理器，但时期延后一周至6月10日，虽凸显10奈米制程遭遇难度比先前的16奈米还大，但在台积电全力投入下，仍如期在6月初启动放量投片，7月大量交货。 台积电预估，将在7月底为苹果新机备货5，000万颗，凸显台积电10奈米制程正放量投片，以制程预估50天的周期计算，估计7月下旬密集交货，等于宣告苹果新机iPhone 8将于7月密集备货，让整个苹果供应链动起来。 苹果启动新一代手机零组件备货，台积电以十奈米为苹果代工A 11处理器下月正式放量投片，预估七月下旬量产交货，意谓整个苹果供应链将动起来。 台积电预定在年底前为苹果备货一亿元的A 11处理器，反应苹果仍看好十周年新机销售，仍可缔造历年来最佳销售纪录。 法人看好台积电下半年营收成长动能强劲，买盘持续敲进，本周股价有机会挑战站上两百元，台积电股价、市值将再改写历史新高。 台积电的十奈米制程，是继十六奈米制程后的另一技术重要里程碑，虽然后来只导入联发科、海思和苹果三家公司的手机芯片，其余客户决定大举导入七奈米，但十奈米制程，几乎是为苹果新一代处理器A 11量身打造的制程，因此何时放量投片，也成为全球关注苹果启动新手机备货的重要指针。 台积电供应链透露，台积电原订六月四日放量投片A 11处理器，但延后一周至六月十日，虽凸显十奈米制程遭遇难度比十六奈米大，但台积电全力投入下，仍如期在六月初启动放量投片，七月大量交货。 台积电预估将在七月底为苹果新机备货五千万颗，显示台积电十奈米制程正放量投片，以制程预估五十天的周期计算，估计七月下旬密集交货，等于宣告苹果新机iPhone 8将于七月密集备货，让整个苹果供应链动起来。 台积电除了以十奈米为苹果打造全新的A 11处理器外，也以新一代的整合型扇形封装(InFO)提供封测服务，台积电预估今年十奈米制程占全年营收约可达一成，以全年合并营收超越兆元的规模计算，估计可缔造千亿元的销售金额;至于高阶封测InFO，到今年第四季营收也可达一亿美元。 台积电除以10奈米为苹果打造全新的A11处理器外，也以新一代的整合型扇形封装(InFO)提供封测服务，预估今年10奈米制程占全年营收约可达10%，以全年合并营收超越兆元的规模计算，估计可缔造千亿元的销售金额;至于高阶封测InFO，到今年第4季，单季营收也可达1亿美元，估计创造30多亿元营收。 台积电在本季也持续扩充28奈米产能，法人预估，下半年在10奈米/16奈米及28奈米制程同步增产下，台积电全年营收和获利仍可再创新猷。

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  • 骁龙835疑似出问题导致手机出现自动重开机的情况

     高通的Snapdragon 835芯片组疑似又出现问题，导致三星电子(Samsung)的Galaxy S8、小米的小米6手机都出现自动重开机的情况。 由于重开机不是出现在为手机充电时，就是出现在插入MicroSD记忆卡时，因此业界推测，这次事件的根源可能与电源管理的设计有关。 所幸这个问题不大，业界认为应可透过更新软件来解决。 近来许多Galaxy S8及小米6手机用户都在网站上留言表示，自己的智能型手机经常会无故自动重开机。 其中，用户最常遇到的问题是手机会在充电时自动重开机。 但也有Galaxy S8用户发现，只要停用SD记忆卡，重开机的情况就能改善许多。 综合网络上用户所描述的情况，芯片设计业内人士认为，出问题的环节应该与电源管理的设计有关。 由于小米6和出问题的Galaxy S8，均采用高通Snapdragon 835处理器，因此与该处理器搭配，同样由高通提供的电源管理芯片，很可能是造成问题的主因。 据了解，由于处理器芯片制程日益先进，电压衰退(IR Drop)对处理器运作的影响变得更加明显，只要电源管理芯片供应给处理器的电压稍微衰退，就会让处理器的时序(TIming)大幅飘移而无法正常运作，导致系统重开机。 事实上，除了Snapdragon 835，Snapdragon 820处理器也曾经出现过类似问题。 后来业者透过修改韧体，提高电源管理芯片的输出电压，问题便获得解决。 因此，这次用户所遭遇到的问题，最后应该也会用类似的方法处理。 提高电源管理芯片的输出电压，会带来电池续航力缩短、芯片温度上升等副作用，但至少能让手机维持正常运作。

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  • 北航大与微电子所成功制备国内首个80纳米磁随机存储器芯片器件

     近日，北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。 微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3年的艰苦攻关，在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm磁隧道结，器件性能良好，其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%，可实现纯电流翻转且电流密度达到国际领先水平。 在北京市科委的大力支持下，该工作完全采用了可兼容传统CMOS集成电路的工艺方法和流程，具备向产品化、产业化转移的条件，对我国存储器产业的技术突破形成了具有实际意义的推动作用。 图1． STT－MRAM存储芯片器件原理图 图2． 直径80nm MTJ器件俯视图 图3． 直径80nm MTJ器件 图4． TMR效应测试结果 图5． STT效应测试结果

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  • 世强总裁肖庆：成为优秀的员工要有三个特质

     “我们自己的未来包括我的未来、包括市场的未来全都靠自己奋斗出来的。” 在2017年4月世强的一次内部表彰大会中，世强总裁肖庆总结了优秀员工需要的三个特质，以此来“敲打”员工。以下为讲话实录。 一、善于改变，是优秀员工的第一个核心特质 世界一直在变，过去五年的变化比以往十年、二十年的变化还要多，我们如果不变就铁定会成为衰落的组织。 世强有一批非常优秀的员工，在过去的一年，驱动着公司各个方面的改变，包括业务模式、管理流程、服务模式、甚至我们整个系统都在改变。对于世强而言，最大的改变就是拥抱互联网。 互联网给这个世界带来了非常巨大的改变，每个人都可以感受到，但是我们作为传统企业，不是每个人都跟进了这些改变，好在我们当中还是有一部分同事，一部分楷模，已经在开始拥抱互联网，这才有了我们现在的世强元件电商电商，并让其保持一个高速发展的状态。 二，持续改进，是优秀员工的第二个必备特质。 优秀员工还有一种特质就是持续改进，让自己成为改变的一部分。 有一个常见的场景，在公司里我们偶尔会看到一些抱怨，抱怨其他部门有一些流程没有及时处理，抱怨其他人下单下晚了等等，来给自己的拖延或者工作没有按时完成找理由……但是优秀的员工，他们面对这些不会抱怨，而是自己驱动改变。 公司不是一个虚无的概念，是真正由大家所组成的，所有的流程、规定、系统、基础设施，所有我们所抱怨的或者我们所喜欢的都是我们自己做出来的。只有我们自己驱动改变，把自己变成改变的一部分，才能解决问题，促进公司和自我的快速发展。 三、积极奋斗，是优秀员工的第三个特质 在世强，我们很多日常工作的KPI考核设置核心目的都是基于为客户创造价值，如果一个公司不能给客户创造价值，那这个公司没有存在的意义，希望世强的员工可以通过服务创新，不断的为客户创造价值。 世强现在的文化就是积极和奋斗，我们必须比我们想得到的还要积极非常非常多。我始终认为，我们自己的美好未来一定是靠自己奋斗出来的，而不是靠在旁边羡慕别人出来的，也不是靠所谓天天跳槽跳出来的，我们自己的未来包括我的未来、包括市场的未来全都靠我们自己奋斗出来的。我希望大家仔细思考这个。 中国的传统文化里有个理念就是“枪打出头鸟”，这让员工变得比较消极，被动，即便我们心里想着应该要积极，但我们做的时候往往会受影响。这是需要大家调整的。 13年世强谈调整，现在三年过去了，我们在谈改变。世强从建立到现在已经20多年，我们经历过很多煎熬，也通过大家卓越而持续的努力，让世强进入到一个非常好的阶段。我们已经可以预见到，未来的五到十年，无论是传统分销和世强元件电商这一线上业务都会有一个非常大的飞速发展，这是毫无疑问的，而这个飞速发展我希望大家都成为其中的一部分。也希望通过大家的共同努力，让世强成为每个人心目中理想的“世强”。

    半导体 互联网 世强

  • Vishay公布2017年新“Super 12”明星产品

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公布2017年的“Super 12”明星产品。每一年，Vishay都会精选出12个采用新技术或改进技术，能够显著提高终端产品和系统性能的重要半导体和无源元器件。Vishay的“Super 12”精选产品彰显了公司在半导体和无源元件领域的领先实力，是Vishay广泛产品组合的集中体现。 2017年Super 12产品如下： Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N沟道 TrenchFET® 功率MOSFET - 这颗汽车级MOSFET采用厚度1.9mm的小尺寸PowerPAK® 8x8L封装，导通电阻低至3mΩ，可减小传导损耗和功率损耗，提高效率，而且可以在+175℃高温下工作。 Vishay T59系列vPolyTanTM多阳极聚合物表面贴装片式电容器 - T59系列采用聚合物钽技术和Vishay的专利多阵列包装(MAP)，实现了业内最高的容值密度，同时保持25mΩ的最佳ESR。电容器采用模塑EE(7343-43)外形编码，单位体积效率比类似器件高25%。 Vishay Semiconductors VCNL4035X01接近和环境光传感器 - 全集成的VCNL4035X01在小尺寸表面贴装封装里组合了接近和环境光的光探测器、信号调理IC、16位ADC，以及最多支持3个外置IRED的驱动，可用于便携式电子产品和智能家居中的手势识别、工业和汽车应用。 Vishay Dale WSLF2512 SMD Power Metal Strip®检流电阻 - WSLF2512的额定功率达6W，电阻芯的TCR低至±20ppm/℃，电阻值只有0.0003Ω，外形尺寸为2512，功率密度达到192W/平方英寸(0.3W/mm2)，在高功率电路中能节省电路板空间。 Vishay Semiconductors VTVSxxASMF系列SMD TVS保护二极管 - VTVSxxASMF系列器件是业内首批实现2%雪崩击穿电压容差TVS，采用超薄SMF封装，可承受400W、10/1000μs的高浪涌，适用于便携式电子产品。 Vishay Dale IHLE-5A系列超薄、大电流电感器 - 汽车级IHLE-5A系列器件的外形尺寸为2525、3232和4040，采用能减小EMI的集成屏蔽，不需要使用分立的板级Faraday屏蔽，从而降低成本，节省电路板空间。 Vishay Siliconix SiC462同步microBUCK®稳压器 - SiC462集成了高边和低边MOSFET，在最高1MHz开关频率下能连续输出6A电流，可调的输出电压低至0.8V，输入电压为4.5V～60V。 Vishay MKP1847H交流滤波膜电容器 - MKP1847H经过精心设计，能保证在各种工作条件下都保持极为稳定的电容和ESR参数。该电容器非常适合高湿环境，是业内首颗在额定电压下完成1000小时的苛刻的耐湿性测试(85℃，85%相对湿度)的器件。 Vishay Semiconductors 10A～30A FRED Pt® Ultrafast整流器 - Vishay的这款超快整流器采用SMPD封装，高度只有1.7mm，与TO-263封装兼容。这颗器件通过AEC-Q101认证，可用于汽车和工业应用，能在+175℃高温下工作，恢复时间只有25ns。 Vishay Dale IHXL-2000VZ-5A电感器 - IHXL-2000VZ-5A是业内首颗通过AEC-Q200认证，在电感减小20%情况下饱和电流达到190A的电感器。器件的尺寸为50.8mm x 50.8mm x 21.5mm，其2000外形尺寸是这类复合材料电感器中最大的。 Vishay Siliconix SiRA20DP 25V N沟道TrenchFET功率MOSFET - SiRA20DP在10V下的导通电阻低至0.58mΩ，可减少传导功率损耗，提高功率密度，其典型栅极电荷为61nC，可实现高效的DC/DC转换。 Vishay DCRF水冷功率绕线电阻 - DCRF电阻的功率耗散高达9000W，功率处理能力比相同尺寸采用自然冷却的电阻高10倍。电阻采用小尺寸的模块化设计，高过载承受能力(2倍标称功率下保持60秒)。

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  • 台积电又来大订单！高通845芯片来袭！

     虽然骁龙835刚刚推出，全球也仅仅发布了四款手机产品(索尼XZp、三星S8、小米6、夏普Aquos R)，虽然高通的骁龙 835 仍然是一款很难得的 SoC，但目前的报告已经在寻求确认下一代 SoC 的开发了。不过好消息是，根据国外媒体消息称，骁龙845已经得到官方的确认。 据报道，在高通的开发者中心，droidholic扒出了三款全新的处理器(现在叫移动平台)，即SDM630、、SDM660和SDM845。 不过现身高通官网不久，就被撤下来(好在外国媒体有截图，不然就。。。) 另外，据爆料人士@i冰宇宙的消息，骁龙845处理器的研发代号为Napali，拥有多核心，并将会在年底亮相。除此之外，他便没有透露更多的细节信息了。 此前有报道称骁龙845将采用刚刚发布的三星第二代10nm工艺，与此同时，也有消息称该芯片将采用7nm工艺制造，功耗方面将有更加出色的表现。 高通845或由台积电代工，7nm工艺无敌! 按照现在台湾产业链给出的消息显示，高通将在下一代旗舰移动处理器上重选台积电，也就是说骁龙845将会交给台积电代工，采用7nm制程。而苹果的A12也会使用这个工艺。不过今年所有处理器还都集中在10nm上，已经到来的骁龙835、还有A11、麒麟970以及联发科的Helio X30等。 据报道，台积电的7nm工艺从今年4月份就已经开始试产，而在明年首款7nm芯片就可以投入到生产之中了，对于已经开始试产的7nm工艺，台积电表示，与自家的10nm工艺相比，技术指标上，7nm工艺性能提升25%，功耗降低35%。台积电7nm工艺进展之所以这么快，主要是它与10nm有95%的设备通用，所以进展神速。 按照台积电给出的规划，2018年将开始大规模铺开7nm工艺，不过第一代不会用上EUV工艺，而2019年的第二代增强型7nm节点才会用上EUV工艺，而苹果是后者的潜在大客户。 台积电或是7nm工艺最大赢家! 从目前的消息看来，目前将使用 7nm 工艺的应该只有骁龙 845 以及苹果 A12 处理器。而高通也将计划把处理器的代工交给台积电完成。苹果也应该会把 A12 代工订单交给台积电。台积电看来又能拿到一个不错的大订单! 台积电还表示，5nm 工艺预计将于 2019 年上半年试产。 这款骁龙845处理器到底如何?是否真的很强?就让我们大家一起拭目以待吧。

    半导体 台积电 高通845

  • C&K 推出新的 PNP 系列密封按动开关

     C&K ─ 世界上最值得信赖的高品质机电开关品牌之一 ─ 今日宣布推出 PNP 系列密封按动开关。PNP 系列开关, 给交通运输、工业控制、测试设备和自动化领域的设计师提供了一个新的高品质、极其耐用的开关选项, 他们可以把 PNP 系列开关用于控制手柄、操纵杆、越野面板、液压装置、电源控制板、重型设备、工业仪表、升降设备、传送带控制装置和其他应用。 C&K 的 PNP 系列密封按动开关采用 IP68 密封, 可承受恶劣的环境条件和强力水冲刷。PNP拥有多种封装形式, 使用寿命可达 100万次。PNP 系列既拥有 C&K 的 NP 系列开关同样强大的开关性能和 5A 额定电流, 又拥有 C&K 的 AP 系列开关的经济性, 同时又拥有其全新的热塑性封装设计。 此外, PNP 系列的关键特性还包括： · 焊接引线更长, 易于安装电线 · 焊接孔更大, 可容纳多达两根 22 号电线 · 高达 5A 的电阻性负载 · 符合 RoHS 标准 · 电气功能：单刀单掷、单刀双掷 · 扩展应用功能(配合电线、连接器、模块) 现在 C&K 的新 PNP 系列密封按动开关已经上市。

    半导体 密封 pnp c&k 按动开关

  • 可植入人体的半导体面世：可降解半导体基板

     长久以来人们都在幻想将芯片植入体内来实现一些特殊用途，比如生命数据检测、通信等等。现在，借助科学家发明的新材料，我们距离实现这种愿望又近了一步。斯坦福大学Zhenan Bao率领的科研小组于当地时间5月1日正式宣布，成功开发出可用于人体皮肤的可降解半导体基板。 这种基板能够弯曲拉伸，不需要时便会分解为无毒无害的成分，十分适合于人体植入。 据介绍，这种可降解基板使用了特殊的化学键聚合物，能够在一周时间内溶于弱酸环境当中，比如醋。 另外，基板主要由铁和纤维素组成，对人体无害，且容易被降解。 借助于该技术，科学家可以进一步制作出用于测量血压、血糖值、汗液分析的一次性贴片，或者是待技术成熟后推出可植入性装置。

    半导体 半导体 基板

  • 台积电7nm技术试产成功：苹果高通都有兴趣

     今年手机搭载处理器的尖端科技，可能要停留在10nm技术领域了。随着三星S8/小米6接二连三陆续上市，还有HTC U等旗舰手机即将发布，骁龙835旗舰手机是越来越多，不过高通肯定不打无准备之战，被厂商重点提到的全球最强安卓芯片之骁龙835，早已被还未发布的骁龙840/845 在技术方面“斩于马下”。 台积电作为晶圆代工厂龙头老大，也是苹果钟爱的芯片代工厂，这家厂商提前公布了最新信息，他们正在积极冲刺更先进的制程技术，其中 7nm制程已于今年4月开始试产，而5nm制程预计 2019 年上半年试产，2020年大规模量产。 作为和台积电死对头，三星电子的7nm则锁定在今年上半年量产，旗舰手机对高端芯片依赖性很强，所以双方都在力争提供更为先进的芯片服务支持。 台积电7nm芯片将应用在苹果A12处理器上，高通840/845也会采用，高通甚至可能会与三星终止合作关系，转由台积电代工，三星在10nm芯片量产上，曝光良品率问题，高通 因此受到影响。 总之不管怎么说，无论在什么战场上，都胜在兵贵神速，台积电现在积极推进业务上的进度，也是为了赶超自家对头三星，因为三星还有其他业务可以发展，芯片研发生产对台积电而言，是大头收入。

    半导体 苹果 台积电 7nm

  • 韩国3D NAND闪存Q3有望占全球一半市场

      SK海力士将于三季度最先推出72层的3D NAND 市场调查机构DRAMeXchange周五发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。 闪存是指在断电情况下仍能存储数据的半导体，主要用于智能手机等移动终端的周边装置。3D NAND在2D NAND的基础上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韩产3D NAND将陆续上市，三星电子和美光科技(Micron)等企业于今年二季度起量产64层3D NAND，SK海力士将于三季度在全球最先推出72层的3D NAND。 调查机构同时预测，今年一整年NAND供应都会较为紧张。这是因为为准备下半年新品iPhone8的面市，苹果公司正在累积所需零配件，且新一代储存设备SSD相关企业的NAND需求增加。 三星电子去年四季度在全球NAND闪存市场占有率为37.1%，排名第一，SK海力士以9.6%排名第五，东芝(18.3%)、西部数据(17.7%)和美光(10.6%)分别位列第二至第四。如果SK海力士成功收购东芝储存器，有望在NAND领域跃居第二。

    半导体 半导体 nand闪存

  • 我国集成电路市场自给率低 严重依赖进口

     近年来，中国的半导体产业虽然有其政府资金与政策的加持下，有着相当的进展。不过，根据中国商业研究院的最新研究数据显示，2017 年2 月份的中国进口集成电路数量达到248.23 亿个，较2016 年同期成长23.5%。进口金额也达到169.7 亿美元，较2016 年增长30.9%。如此显示，中国半导体市场虽然积极发展自主供应链， 就当前仍旧摆脱不了对国外厂商的依赖，要达到完全自主的目标，还有一段长路要走。 根据统计资料显示，2017 年2 月份中国进口集成电路248 .23 亿个，较2016 年同期增长23.5%。合计2017 年1 到2 月的中国进口集成电路为491.29 亿个，与2016 年同期相比成长11.6%。至于，在金额方面，2 月份中国集成电路进口金额为169.7 亿美元，较2016 年同期成长30.9%。合计2017 年1 到2 月，中国的集成电路进口金额则是达326.6 亿美元，也较2016 年成长14.4%。 如此显示，做为全球大的集成电路消费国家，中国的集成电路市场自给率仍偏低，还依旧严重依赖进口。 据了解，2015 年中国集成电路消费市场规模达人民币1.102 兆元，但当年中国的集成电路产业销售金额仅为人民币3，609.8 亿元，自给率仅为三成，也就是约七成的集成电路产品仍依赖进口，使得集成电路进口总金额已经超过同期原油进口金额，成为中国第一大进口商品。其中又以英特尔、三星、高通等为代表的国际企业，在技术、产品、上下游和市场等方面都拥有雄厚的综合实力下，占据了中国集成电路市场主要市占率。 有鉴于中国针对集成电路的消费市场惊人，使得近年来中国集成电路产业在政府资金与政策的支援下，相较过往有长足发展，产业链也呈现细分且快速发展的态势。尤其，在2014 年6 月，中国国务院发布了旨在促进集成电路产业发展的《国家集成电路产业发展推进纲要》，明确将集成电路产业上发展提升至国家战略，9 月份又成立中国国家集成电路产业投资基金股份有限公司，对行业进行财政支持，以缓解集成电路企业融资瓶颈之后，从最新的数据来观察，中国的机体店数市场仍严重依赖外商的供应。使得中国近年来的努力，受限于技术与人才的情况下，集成电路产业的自主能力还有加强的空间。 根据市场研究机构IC Insights 日前的调查数据指出，2016 年全球半导体市场规模约3，600 亿美元。最新的前20 家企业排名中，美国有8 家半导体厂入榜，日本、欧洲与台湾各有3家，南韩与新加坡则分别各有两家及一家企业挤进榜单;中国大陆则仍没有一家企业上榜。显示，中国在集成电路产业列为国家重要计划后，预计2020 年核心基础零组件与关键基础材料自给率能达到达40%，2025 年进一步提升至70% 的目标来看，以2015 年中国国内集成电路内需市场自给率尚不及20% 的情况来看，要达到目标似乎有很大的难度。 根据中国在十三五计划中的规划，中国的半导体产业除晶圆代工与封装测试的产能必须大幅扩充外，IC 设计企业需要在关键核心产品上投入更多研发。对此，IC Insights 就曾经进一步表示，要达成中国政府的十三五规划中，2025 年的集成电路自制率达70% 的目标，需要依靠两个基本要素：也就是资金和技术，缺一不可。只是，目前在中国半导体产业不缺钱，只缺技术的情况下，藉由购并方式来取得技术也遭到各国的防堵。因此，人才的挖角就成为中国半导体产业提升技术层次的主要方式。只是，这样的做法能获得多少效益，就还有待进一步的观察。 SIA：半导体年增幅创高，各区成长均达两位数 半导体产业协会(SIA)1 日公布，2017 年3 月全球半导体销售额来到309 亿美元，和前月相比，上扬1.6%。和去年同期相比，飙涨18.1%。今年第一季半导体销售额为926 亿美元，年增18.1%，但季减0.4%。 SIA 总裁兼执行长John Neuffer 声明稿指出，3 月全球半导体销售稳健成长，和去年同期相较，幅度激增;和上个月相较，则略为提高。半导体销售年增18%，为2010 年10 月以来最高纪录，各主要市场的年增幅均达两位数。所有主要产品也都出现年增，记忆体持续引领成长。 和去年同期相比，中国劲扬26.7%;美洲提高21.9%、亚太/其他地区攀升11.9%、欧洲上扬11.1%、日本走升10.7%。 和前月相比，欧洲提升5.0%、日本扬升3.6%、亚太/其他地区走高2.9%、中国攀扬0.2%;不过美洲衰退0.5%。 1日费城半导体指数上涨0.98%(9.9 点)，收1，015.43 点。

    半导体 半导体 集成电路

  • “公斤”新标准恐拉低半导体制程良率

     IC半导体业大震撼!国际通用百年的“公斤”定义明年将改变，但隶属中国台湾经济部的度量衡标准实验室却传出目前仍筹不到经费无法跟进，公斤量测校正标准将降为二级。如此将冲击讲求精准度的“纳米”晶圆制程校正，台湾引以为傲的IC半导体产业良率恐将大幅拉低。 台湾量测标准降为二级 台湾经济部标检局昨日举办“国际计量趋势研讨会”，邀请国际度量衡委员会主席Dr. Barry Inglis等美日德专家，探讨计量在产业创新中的运用与贡献。国际度量衡委员会并与我国分享明年初将上路的四项国际单位制定义新改变，包括“公斤”(质量)、“克耳文”(温度)、安培(电流)、莫耳(物理量)。 标检局官员指出，这四项中最重要的是“公斤”定义改变。过去准确衡量1公斤，靠的是质量1公斤的“铂铱公斤原器”，台湾1995年引进放在新竹工研院的国家度量衡研究室。但这个公斤原器过去100年却飘移50微克，相当一颗直径0.4毫米的小沙粒，准确度产生偏差，因此国际度量衡大会明年将公布，改以物理性的“普朗克常数”去定义。 生产设备校正受影响 国际单位制度改变，台湾当然也得跟进，不过因为提升实验室相关检测设备要花6亿台币，经济部标检局面临“无钱可编”的窘境，将无法在明年跟上国际脚步。不过如此却暗藏产业的大冲击，尤其制程是以“纳米”(10亿分之一公尺)计算的IC半导体产业。 在半导体制程中，晶圆表面的清洗、蚀刻与研磨皆要仰赖特定化学溶液，标检局官员指出，这些化学溶液量测如果有一点点误差，都会影响良率。未来一旦台湾跟不上国际最新脚步，国家度量衡实验室的“铂铱公斤原器”将被降为二级标准，产业生产机器设备校正会受影响。因国际标准拉高，相对台湾半导体良率会被拉低。 以先进的台积电与联电晶圆制程来说，良率均高达9成5，新标准改变将被拉低多少良率?台湾标检局官员分析，这将视不同产线与产品而定，但公斤新标准会比旧的精准2到4倍，将有一定程度影响。该局也只能极力争取预算，目前仍无着落。

    半导体 半导体 测量标准

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