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  • 乌克兰发布便携式LED闪光灯 能独立供电

    日前，乌克兰iblazr团队便开发了一个可以插入手机或平板电脑的3.5mm耳机插孔的"完全同步LED闪光灯模块"，以消除过白或红眼等意外效果。一体式的LED灯头设计，可向60°角范围内提供高达200Lux的光照强度。由于自带电池，所以它也无需从主机上吸取电量。iblazr配备了200mAh的聚合物锂电池，可闪光1000次或恒光40分钟。iblazr附带了一根灵活的USB连接线，不但可以充电，还可以作为笔记本/平板等便携装置的小台灯。该装置配有免费的iOS和Android应用，能够与相机快门进行同步。为提升照片的拍摄质量，应用中还包含了一个增强滤镜。在经过一年的原型设计和微调之后，iblazr团队已将该项目放到了Kickstarter上并推向量产，黑/白色的版本至少需要39美元。如果觉得塑料不够优雅，你也可以选择恒光模式强12%的阳极氧化铝版本的iblazr。

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  • 全球IC巨头积极应对全球半导体新变革

    【导读】预计全球通信芯片市场2013年将突破1000亿美元，2014年将达到1144亿美元规模，从而超越电脑芯片总产值。这意味着全球半导体产业的驱动力从PC转为移动互联，这种变化趋势在未来7年内将表现得尤为强烈，全球半导体产业正面临重大转型。 摘要：  预计全球通信芯片市场2013年将突破1000亿美元，2014年将达到1144亿美元规模，从而超越电脑芯片总产值。这意味着全球半导体产业的驱动力从PC转为移动互联，这种变化趋势在未来7年内将表现得尤为强烈，全球半导体产业正面临重大转型。 相关资料显示，2010年～2012年全球半导体市场的增长呈现着持续下降趋势，即从2010年的31.8%，下降到2011年的0.4%和2012年的-2.7%，年复合增长率为-2%。但是其间全球移动互联网芯片市场却明显增长，2012年全球通信芯片市场规模已达900亿美元，占同期全球半导体市场2916亿美元的30.6%。 预计全球通信芯片市场2013年将突破1000亿美元，2014年将达到1144亿美元规模，从而超越电脑芯片总产值。这意味着全球半导体产业的驱动力从PC转为移动互联，这种变化趋势在未来7年内将表现得尤为强烈，全球半导体产业正面临重大转型。 全球IC巨头积极应对移动变革 近年来英特尔一直极力谋求移动互联时代的话语权，通过在移动装置上的一系列布局，增长速度明显。 在全球IC巨头中，英特尔是全球处理器龙头，中国台湾地区的台积电是全球晶圆代工的龙头。它们在各自领域一向走在全球半导体产业的前面。下面便就这两大巨头在全球半导体产业重大转型时期的发展战略，观察一下全球IC巨头们的应对策略。 由于英特尔的x86架构本质是针对电脑，而ARM架构是针对无线移动终端，故此英特尔从2005年开始向移动互联网转型，道路便十分艰难;但是，近年来英特尔一直极力谋求移动互联时代的话语权，2012年可以算作英特尔的移动互联网元年，其以“Medfiled”系列为主的凌动芯片杀入智能手机和平板电脑市场，共推出了7款手机。2013年1月7日，英特尔又在CES2013上，介绍了其首款面向智能手机和平板电脑市场、采用4核3D晶体管、22nm制造工艺的凌动处理芯片。虽然，目前市场上基于ARM的手机占95%份额，很少见到采用英特尔x86架构的芯片，但是其通过移动装置上的一系列布局，增长速度是明显的。另外，英特尔在芯片代工方面也有杰出表现，如2013年初，英特尔与阿尔特拉(Altera)签署了14nm鳍式晶体管(Finfet)的FPGA代工合约，明显抢走了台积电的重要客户。 台积电长期以来是不代工处理器芯片的，在先进制程技术方面一直落后英特尔。目前，其为应对英特尔在芯片代工市场的潜在竞争，同时为满足基于ARM架构的高通、博通等主要客户对先进工艺技术的迫切需求，立志高起点赶超英特尔。 目前，台积电的市值为新台币2.8兆元，位居全球第二大市值半导体厂。在资本支出方面，2013年台积电达110亿美元，高于英特尔的95亿～100亿美元投入;在技术方面，2013年～2014年英特尔将实现22nm(Finfet)技术和14nm(Finfet)技术的量产;而台积电规划也在2014年～2015年实现从20nm(Finfet)技术向16nm(Finfet)技术量产的转换。尤其是，在10nm工艺技术节点上，台积电在英特尔尚未释出10nm的量产时间表之际，率先喊出在2017年10nm量产的目标，充分表示了全面追赶英特尔的决心。 [#page#] 我国大陆集成电路产业存三大挑战 在包括人才、技术、知识产权和市场等在内的资源积累方面，我国缺乏支持企业实现可持续发展的有效体制和机制。 从现在到2020年期间是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期，尤其在全球半导体产业重大转型时期，“十二五”更是我国集成电路产业“创新驱动、转型发展”的重要攻坚阶段。应该看到，无论是目前兴起的智能手机、平板电脑市场，还是继而兴起的智慧家庭、移动医疗、智慧城市、新能源汽车电子等领域。现阶段中国大陆集成电路产业与国外相比差距较大，主要存在着三大问题： 一是面向IC开发及其产业化的“产学研用结合”、“芯片与整机联动”、“芯片设计与芯片制造联动”等的科学、可持续发展有效机制和发展模式还没形成。目前，在信息技术领域，我国虽已涌现如TD-SCDMA、AVS等产业链联盟，对海思、展讯等IC设计企业的快速发展，起到了重要推动作用;但是，国际上通行的由IC和IT龙头企业共同发起，并基于跨行业、跨领域的新市场、新技术标准、新核心技术(芯片及其制程工艺、软件及其操作系统、终端及其应用)的发展需求，在长期协议框架下所建立的，具有明确竞争参照点目标的IT和IC两大产业技术合作联盟，我国几乎没有;从而在我国现有众多的IT和IC产业链联盟中，都存在如下缺陷：一是在产业生态体系、研发支撑体系和产业空间布局三大环节中，缺乏引领我国IC和IT技术朝着具有中国市场特色、明确国际参照点突破的总体定位目标、规划和部署;二是在包括人才、技术、知识产权和市场等在内的资源积累方面，缺乏可持续发展的有效体制和机制;三是在政府的政策支持方面，缺乏包括政府资助、赋税减免等在内的完善政策支持体系及扎实措施。 二是企业作为实现技术进步、促进产业跨越式发展的主要载体地位还没有形成。其中，在全球IC设计业，2012年美国排名第一的高通销售额达129.76亿美元，中国台湾地区排名第一的联发科为33.95亿美元，而中国大陆排名第一的海思半导体是人民币74.50亿元(约合11.92亿美元)，仅为高通的9.2%，联发科的35.1%。另外，就上述国家和地区前五名的IC设计企业的合计能级看，美国占全球Fabless业的41.16%，中国台湾地区占11.26%，而中国大陆仅占3.9%。 在全球芯片代工业，2012年中国大陆的中芯国际和华虹集团属下的华虹-宏力(合并)两家虽然都进入了前十名，它们的销售额分别为17.02亿美元、6.04亿美元，但相差同期第一名中国台湾地区的台积电10.06倍和26.36倍，相差第二名GlobalFoundries2.47倍和6.95倍，相差第三名UMC2.12倍和5.96倍。另外，就量产工艺节点来看，中芯国际目前的40nm技术，落后于28nm/22nm世界先进工艺水平两个世代。[!--empirenews.page--] 三是我国大陆芯片依赖进口的局面未有改善。据相关资料显示，2012年，中国大陆IC市场总额高达8558.5亿元人民币(约合1362.8亿美元)，占同期全球2915.6亿美元的半导体市场的46.7%，已成为全球最大集成电路应用市场;但是，同期即使包括IC设计、芯片制造和封装测试在内的我国大陆整个IC产业销售额仅为2158.4亿元，仅占市场需求的25.2%。也就是说，我国大陆迄今为止约75%的IC市场被国外IC供应商占据，尤其在高端微芯片(CPU、GPU、MCU和DSP等)、大容量存储器、汽车电子、通信芯片用SoC的标准专用集成电路(ASSP)以及模拟电路(高可靠性的ADC/DAC、大功率器件、传感器)等方面基本靠进口。 应以数字模拟混合电路为切入点 我国IC产业的定位，应将数字模拟混合电路技术、新市场解决方案平台工具技术及其产业化作为基本定位。 迄今为止，我国集成电路产业定位不明确，没有摆脱粗放式的跟踪发展模式，从而造成包括国家重大项目在内的技术创新、知识产权的积累等整体布局不清晰;同时，IT和IC两大产业供需间关联度小，缺乏具有中国特色IC和IT产品的创新开发价值链体系构建的战略及其策略。 为使中国IT和IC两大产业不再成为全球新一代信息技术发展的追随者，我们认为，在2020年前，我国集成电路产业的定位，应将数字模拟混合电路(SoC或SiP)技术、新市场应用的完整解决方案平台工具技术及其产业化作为基本定位，以此作为产业跨越式发展的根本切入点。 首先，基于目前我国集成电路产业基础，到2020年我国集成电路技术要全面达到16nm～10nm工艺水平，甚至接近硅极限的7nm的世界顶级先进技术水平，以及要达到如英特尔、台积电、高通等的先进设计和半导体制程技术水平及其经济规模体能，即使有国家意志的产业政策支持，形成强大的金融等产业环境，在未来7年中的跟踪发展也是不现实和难以实现的。 其次，针对产业发展阶段特点，我国虽在数字逻辑集成电路工艺技术方面，落后于世界先进水平;但是，在数字模拟混合工艺技术方面，我国已踏入了世界先进水平;何况今后7年时间，汽车电子和智能电网的高压CMOS技术、新型显示及半导体照明等控制驱动IC技术、医疗电子等的MEMS技术及其存储控制技术，以及多媒体等应用处理器技术，将会结合基于TSV的3D/2.5D半导体技术，仍将采用180nm～55nm的、16位/32位CPU/MCU-IP等适用技术。 最后，我国包括通信、多媒体、信息家电和新型显示在内的IT制造业，形成了覆盖芯片与终端、网络建设与运营等各个环节的完整产业链;其中，2012年华为公司销售收入达2202亿元(增长8%)、净利润154亿元(增长33%)，首次跃升到全球榜首位置，预计2013年仍将保持10%以上的增长。华为已成为引领全球通信业发展的一支重要力量，在国际通信市场正在掌握越来越多的话语权。 基于此，如果在通信、多媒体、信息家电、新型显示和汽车电子乃至继而兴起的智慧家庭、移动医疗、智慧城市等领域，更好地凭借国家的01、02和03等重大专项和各级政府设立的重点工程，集聚国内两大产业“产学研用”的专家智慧，共同规划、制定和部署具有中国特色、世界最先进的数字模拟混合工艺技术及其SoC或SiP产品开发路线图，必将创造出新的“杀手级”的数字模拟混合电路，也必将在世界集成电路产业占有一席之地。 探索上下游虚拟IDM模式 建立上下游虚拟IDM模式有利于推动我国IT和IC两大产业供需价值链的构建，提升环境驾驭能力。 今天，全球的商业竞争已从技术竞争、产品竞争、企业竞争、产业链竞争发展到商业模式竞争阶段。其根本特征在于，从战略高度，把握全新的市场机会，创造出市场竞争的先发优势或构筑包括自主知识产权在内的防御性壁垒。 我们认为，在“十二五”期间，我国集成电路产业的技术研发及产业化商业模式的战略和策略，应根据工业和信息化部要求，集国家意志、全力而扎实地探索和实现上下游虚拟IDM模式，形成良好产业生态环境。 首先，它有利于推动我国IT和IC两大产业供需价值链的构建，提升环境驾驭能力。通过虚拟IDM模式的探索和实现，将推进我国“芯片与整机联动”、“芯片设计与制造联动”的体制和机制建立，包括两大产业价值链创新体系构建，且使IT和IC的龙头和骨干企业取得前所未有的竞争能力，加速我国自主、可控的IC设计和芯片制造能力提升，以及重要信息系统和重大信息化应用的支撑保障能力的提升。最终在产品模式、业务模式、运营模式上，形成一个相互融合、良性互动和协调发展的全新、共赢的商业模式。 其次，它有利于营造起适应实现虚拟IDM模式的两大产业互动发展的公共政策和立法体系。应该看到，在虚拟IDM模式的探索和实现中，以及两大产业生态环境形成发展过程中，必然会碰到机制和体制等瓶颈问题，这将要大大突破包括国务院4号文件在内国家现有的政策法规局限。 最后，它有利于IT和IC两大产业的国家重大战略规划、国家先进技术计划等的制定、完善和实施。在国家重大专项等的科技研发投入的规划、计划中，通过虚拟IDM联盟实体为核心载体，将更有利于形成中央和地方政府、国家研究机构和民间研究机构、大学和企业等之间的联合开发体制和机制，更有利于IT和IC两大产业的国家创新体系的构建，更有利于成果向产业转移，形成半导体商业化、产业化，做大做强两大产业。   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • 半导体大厂低调进行18寸晶圆计划

    英特尔(Intel)的发言人透露，该公司第一座18寸(450mm)晶圆厂计划自2013年1月起「顺利展开」，该座代号为D1X第二期(module2)的晶圆厂已经低调动土。据了解，英特尔打算将D1X第二期作为量产18寸晶圆IC的研发晶圆厂；该公司在2012年12月就透露正准备扩充D1X厂区，以「容纳新的制造技术」，但该讯息仅低调地在美国奥勒冈州当地媒体曝光，并没有公布在公司官网。英特尔D1X厂的第一期工程预期会是该公司第一条以12寸晶圆生产14奈米FinFET晶片的生产线；而英特尔在2012年10月时曾表示，将在2013年展开D1X第二期工程建设，预计两年完工，2015年装机、2016年开始生产。D1X第二期厂房也可能与现有的D1X有所连结，包括无尘室的连线；根据英特尔发言人表示，该厂房取得必要的许可之后已经在1月动工，造价约20亿美元(不包括设备)，但该厂的运转时程表尚未定案。英特尔发言人表示：「我们还未公布该厂的上线时程，因为还未决定何时将展开18寸晶圆生产，以及将采用的制程节点。」晶圆代工业者台积电(TSMC)也透露过18寸晶圆制造发展计划，该公司在2012年6月表示，将在2014年初在台湾中部兴建一座18寸晶圆厂，包括设备在内的总成本约80亿美元，待2019年开始运转，预期每月可创造67亿美元营收。台积电在2011年亦曾表示，计划在现有晶圆厂──包括新竹的Fab12与台中的Fab15──装设18寸晶圆试产线。

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  • 时隔30年 白宫再次在屋顶安装太阳能面板

    美国总统奥巴马似乎一直对环保问题非常上心。现在，他所住的官邸--白宫决定安装太阳能面板，以此进一步深入绿色工作中。据《华盛顿邮报》报道称，现白宫居住者在美国第一家庭房子的楼顶上安装了太阳能面板，这一工作已经进行了近3年的时间。2010年，美国领导集团宣布，他们将在白宫内安装20到50块的太阳能面板。知情人士透露，白宫此举则是能源改造项目的一部分，该项目旨在改善建筑物的整体能源使用率。除了安装太阳能面板外，白宫还将通过升级建筑物的控制系统以及对风扇的高效控制，进一步达到节能的目的。

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  • Frost & Sullivan认可力科(Teledyne LeCroy)为全球示波器市场的技术领导者

    【导读】2013年8月12日，Chestnut Ridge，NY——根据近期全球数字示波器市场的分析，Frost & Sullivan将2013 Frost & Sullivan全球示波器技术领导奖颁发给了Teledyne LeCroy(力科，前身为LeCroy Coporation)。 摘要：  2013年8月12日，Chestnut Ridge，NY——根据近期全球数字示波器市场的分析，Frost & Sullivan将2013 Frost & Sullivan全球示波器技术领导奖颁发给了Teledyne LeCroy(力科，前身为LeCroy Coporation)。 Teledyne LeCroy的创新精神和优越的技术集中体现在前沿技术领域的三个方面成就。其一为该公司可发货的实时数字示波器的带宽达到了全球最高，65GHz。其二，力科(Teledyne LeCroy)首次推出了12-bit高分辨率示波器。以及最近，力科(Teledyne LeCroy)验证了100GHz带宽实时示波器的信号采集。2012年中期被Teledyne Technologies公司的收购，使得力科(Teledyne LeCroy)公司获得了强大的财政和研发资源，从而可使其产品达到一个更高的高度。 “始终处于技术曲线的前沿位置对于一个示波器公司在全球示波器市场中的生存和成长是至关重要的，”Frost&Sullivan行业主任Jessy Cavazos说。“带宽是实时数字示波器的首要指标，而Teledyne LeCroy在过去的四年中一直处于带宽的领导地位，分别于2009年推出30GHz，2010年推出45GHz，2011年推出60GHz，2012推出了65GHz。” 力科(Teledyne LeCroy)一直致力于R&D，这使得它具备足够的能力成功的将前沿技术创新应用到产品的开发中，这也体现在公司的增长中。力科(Teledyne LeCroy)从2009年到2010年经历了35%的增长，从2010到2011年获得了25%的增长，虽然在2012年整个行业市场有12%的下降，但是力科仍然维持了和上一年相当的财政收入。 “我们对于我们领先于行业应用的优秀的技术产品得到认可感到非常的自豪，”Teledyne环境与电子测量仪器产品CEO，Tom Reslewic说。“这个奖项是对Teledyne LeCroy R&D组织的杰出能力的有力证明，不仅证明了他们的创新能力，也证明了他们对于下一代产品可能遇到的关键问题的专注。” 最近的一项领先技术发生在2013年7月24日，Teledyne LeCroy论证了世界上第一款100GHz实时数字示波器，成功的捕获并显示了100GHz带宽的实时信号。这项能力的验证为高速测量领域的更为巨大的发展铺平了道路。 在高端关键指标方面的超越奠定了Teledyne LeCroy在整个示波器市场的成功的同时，公司也投入了同样的努力来集中发展中低端的产品，Teledyne LeCroy于2011年5月推出了它的12-bit示波器，HRO(高分辨率示波器)产品，且于2012年10月发布了HDO6000和HDO4000高清晰度示波器，这进一步拓展了力科的12位示波器产品线。HDO高清晰度示波器以更高采样率的12位ADC和低噪声放大器实现对信号波形的捕获，带宽范围从200MHz拓展到了1GHz。 “随着设计工程师持续的关注信号完整性及支持他们的设计的电源系统的性能提升，对高分辨率示波器的需求也在提升，”Cavazos说。“Teledyne LeCroy是唯一一家致力于使用12位ADC并提供4096量化等级的高清晰度示波器来应对这个趋势的公司。” 总体来说，Teledyne LeCroy已经从非常高的层面证明了它致力于新技术的开发和应用。它致力于对R&D高投入的战略已经为客户带来了强大的价值并增强了公司的品牌知名度。为了感谢Teledyne LeCroy的这些成就，Frost&Sullivan非常高兴的提名Teledyne LeCroy为2013全球示波器技术领导者奖项获得者。 Frost&Sullivan最好的实践奖项用于感谢和证明在众多的领域和全球市场获得杰出成就和优越性能比如领导力，技术创新，客户服务，及战略产品发展的公司。行业分析家充分比较了市场参与者及通过深度采访，分析及广泛的研究以评估和识别这些公司在行业中的表现毫无疑问是最好的。   本文由收集整理（www.big-bit.com）

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  • 美国能源部发布LED光学安全说明书

    美国能源部于近期发布关于LED光学安全的固态照明(SSL)科技情况说明书。LED照明对人眼安全性的疑问和担忧，已经引起了人们的重视。对此，美国能源局出台了一项新的--固态照明(SSL)科技情况说明书——LED光学安全。该说明书概括了对此领域的已有知识，并且探讨了对光生物安全的现有标准。对LED最主要的光学安全担忧是关于“蓝光危害”(bluelighthazard)，即由于长时间暴露在光线中的蓝色和紫色频谱范围下对人眼视网膜造成的光化学伤害。但是，正如新的情况说明所述，在同样的色温下，和其他型号的通用光源相比，干净的白光LED并不会产生更多蓝光危害。根据现有的国际标准来看，白光建筑照明产品在总体上，并不被认为有蓝光危害。

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  • 美国能源部发布比较LED路灯与高压钠灯的报告

    从2011年开始，DOE市政固态街光财团(MSSLC)对密苏里州堪萨斯城的九个SSL路灯进行了这一实验，实验揭示LED的表现略胜高压钠灯。美国能源部(DOE)在其网站上了公布了这一消息。这些LED路灯安装于2011年2月，历经两年多的测试，揭示了LED路灯虽然不如高压钠灯的流明输出或功效，但LED路灯能向路面输出更多的流明并减少光溢出。考虑到这些LED路灯的技术水平停留在2011年，可以认为现在的技术能让LED路灯性能更突出。该项目包括安装范围从63W至291W的LED灯代替100W、150W、250W、400W钠灯，测量结果能减少31-51%能源，平均值约为39%，但LED灯减少了平均约31%的流明。LED路灯相较高压钠灯功效平均增长了约15%，不过有两个LED产品功效比高压钠灯产品低。另外，LED路灯的应用效果更准确，传递到目标区域的流明增加。但是，LED路灯还是具有某些显著优势的，例如，一个130W的LED灯具取代150W的高压钠灯灯，LED路灯的功效为83流明/瓦，相较高压钠灯功效45.1流明/瓦具有明显优势，不过都有散射光。但250W级的LED灯相较高压钠灯无溢光，LED灯具功效为47流明/瓦，高压钠灯为33.6流明/瓦。在400W的类别，户外区域照明的高压钠灯相较LED产品还有一定竞争优势，但市场上也有一些能够实现替代的LED路灯。总结以上实验结果，DOE网上报告指出，LED灯比高压钠灯稍微更有效。但SSL替代提供了显著的能源节约效益、消除了光溢出和提供更有效和更均匀的照明，还节约了维护成本。

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  • LED行业进入爆发期 电路保护提高可靠性

    【导读】为加快LED产业的发展，福建省政府在今年5月份印发了《福建人民政府办公厅转发省信息化局下发关于福建省推广应用LED照明产品的若干措施的通知》，计划在2015年底前在福建省实现全省公共照明领域普遍使用LED照明产品。   摘要：  为加快LED产业的发展，福建省政府在今年5月份印发了《福建人民政府办公厅转发省信息化局下发关于福建省推广应用LED照明产品的若干措施的通知》，计划在2015年底前在福建省实现全省公共照明领域普遍使用LED照明产品。   讯：去年年末，市场预测LED行业的“大爆发”在今年的第三季度正式揭开序幕。为加快LED产业的发展，福建省政府在今年5月份印发了《福建人民政府办公厅转发省信息化局下发关于福建省推广应用LED照明产品的若干措施的通知》，计划在2015年底前在福建省实现全省公共照明领域普遍使用LED照明产品。 发光二极管(LED) 由于产品价格下滑较为明显，逐渐拉近了与节能灯等产品的价格差距，消费市场得到进一步打开。再加上政府的大力采购，从去年年底开始，福建省LED企业销售业绩不断上扬，行业正逐渐性成熟期走向爆发期。 在快速发展的同时，LED的可靠性也越来越受到关注，电路保护是其中重要的一环。由于 LED 电源和驱动电路容易遭受过电冲击和短路故障而损坏，因此在驱动电路设计中充分考虑各种故障状态的保护措施是十分必要的。这不但可以提高电路的可靠性，更可进一步降低返修率。 为更好地探讨LED电路保护的相关技术，君耀电子应用工程师张婷将在第八届LED通用照明驱动技术研讨会上讲解《LED通用照明中的电路保护技术》。本届研讨会由资讯机构主办、半导体器件应用网承办、福建省节能照明产品出口基地商会以及厦门市光电子行业协会协办，将于8月30日在厦门举办。 现场听众报名正在进行中，即刻点击进行报名，更可赢取丰富礼品! 更多会议详情请登录会议官网：/。 第七届LED研讨会精彩回放 本文由收集整理

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  • 乌克兰发布便携式LED闪光灯 能独立供电

    日前，乌克兰iblazr团队便开发了一个可以插入手机或平板电脑的3.5mm耳机插孔的"完全同步LED闪光灯模块"，以消除过白或红眼等意外效果。一体式的LED灯头设计，可向60°角范围内提供高达200Lux的光照强度。由于自带电池，所以它也无需从主机上吸取电量。iblazr配备了200mAh的聚合物锂电池，可闪光1000次或恒光40分钟。iblazr附带了一根灵活的USB连接线，不但可以充电，还可以作为笔记本/平板等便携装置的小台灯。该装置配有免费的iOS和Android应用，能够与相机快门进行同步。为提升照片的拍摄质量，应用中还包含了一个增强滤镜。在经过一年的原型设计和微调之后，iblazr团队已将该项目放到了Kickstarter上并推向量产，黑/白色的版本至少需要39美元。如果觉得塑料不够优雅，你也可以选择恒光模式强12%的阳极氧化铝版本的iblazr。

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  • 欧盟或将对中国光伏制造商海外产能进行监管

    中欧光伏贸易的最新进展显示，欧盟委员会意欲将中国公司通过建设海外基地规避欧盟制裁的行为纳入监管。根据了解到的文件信息，将生产设施转移到中国大陆地区外的中国制造商也将接受欧盟委员会监管。欧盟将要求这样的公司说明转移生产的目的，公司需证明自己转移生产有足够的贸易利益动因。反之，如果公司转移生产的行为明显只是为了规避向欧盟出口的价格承诺等限制，那公司的上述行为将被认为是违反价格承诺协议。该文件同时预计中国机电产品进出口商会将在7GW配额的分配中采取先到先得的原则。超过7GW配额后出口到欧盟的中国光伏产品将被征收平均47.6%的反倾销关税。机电商会将监督价格承诺的执行情况，并每季度将欧委会提交报告。PV-Tech每日光伏新闻还从其他途径了解到机电商会已经开发出了在线平台，供生产商提交其价格执行情况。协议的全部细节将最早在10月18日举行的欧盟首脑会议上向成员国提供。如果市场情况较今年5至6月份出现变化，中方需执行的最低价格和出口配额都将根据市场情况进行浮动。目前市场普遍认为如果现货价格变化超过5%，欧盟就会对最低价格承诺进行调整；如果市场需求变化10%以上，欧盟会调整年度出口配额上限。而以上谈到的这些调整作出后可能会需要6到9个月的时间正式生效。需要注意的是，价格和配额的调整可能均为可升可降。此外，所谓的价格承诺指成本、保险费加运费(CIF)价格。PV-Tech每日光伏新闻还了解到，中国制造商的欧洲分公司在转销其进口的中国组件时，还将被征收额外“经营”费用。即在最低每瓦0.56欧元的基础上，中国公司的欧洲分公司的分销价格将被征收5%的“经营”费用。

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  • 2013年第二季全球移动内存营收季增11%，SK海力士成业界黑马

    根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，第二季智能型手机出货季成长约7%，总出货来到约两亿两千余万支(222.7M)，加上为后续旺季来临前所作的备货准备，行动式内存的总营收已逼近30亿美元，季增约11%，占总体DRAM营收的34%。综观各家DRAM厂在行动式内存领域的市占排名，其中季成长最为显著的为排名第二的SK海力士，营收与上季相较成长超越30%，其主因受惠中国市场手机出货需求强劲及一线手机厂持续下单，市占较上季成长4%来到25.7%。后续行动式内存最大的变化还是落在美光与尔必达合并后供应链生态的演进，在市场三强鼎立态势确立下，价格走势将趋向稳定走势，供货商的竞逐将落在先进技术与制程的竞争上。三星智能型手机对外采购零件，SK海力士市占预计将持续增加三星半导体的行动式内存营收市占与上季相较虽小幅下滑，仍持有超过50%以上的领导地位，原先三星所生产的行动式内存以供应Samsung手机部门为主，但在维持供应链稳固的考虑之下，Samsung手机部门开始扩大对外采购零组件，向市占名列第二、第三的SK海力士及尔必达购买其行动式内存。对于三星半导体而言，虽然短期之内会影响市占消长，但在目前已经逼近独占地位情况下，释放某部分行动式内存产能，让各产品线之间的调配更有弹性，为目前三星策略上的最优先考虑。受惠于中国地区出货占全球手机出货比例节节升高，在该地区需求带动下，SK海力士的行动式内存营收较上季大幅成长31.6%，市占来到25.7%，虽与三星仍有约一倍的差距，但在后续三星外购策略效应持续带动下，两者之间的差距预期将会逐季缩小。尔必达内存营收持续成长，新美光集团成立将拉高行动式内存全球比重第二季当中，尔必达受惠于需求增长以来自瑞晶积极转进行动式内存，与上季相较营收成长15.9%，市占排名19.3%与上季相较有微幅成长。展望第三季，在需求持续增温带动下，瑞晶总产能80K当中的一半都已经转往生产行动式内存，加上单颗芯片(DiscreteChip)于该季的价格仍属上扬态势，预期将拉抬该领域的营收进一步成长。美光在行动式内存的市占仍低，在第二季仅有3.4%，目前积极投入的30nmLPDDR2产品仍持续在客户验证阶段，尚未显著贡献营收。但在正式宣布与日商尔必达合并之后，预期在下半年将推出高容量的多芯片封装内存(eMCP)，在产品线较为齐备的前提下，预计后续行动式内存占新美光集团的总营收比重将会超过20%。台系厂商抢攻非主流行动式内存市场，放眼中国中小型手机品牌客户华邦电子行动式内存的营收较前季小幅成长约5.6%，全球市占率来到1%，行动式内存营收比重占总营收的13%。目前华邦行动式内存的策略规划还是以中低容量的行动式内存开发为主，产品多为配合4G/LTE的Baseband为开发导向。目前LPDDR1已经进入量产，LPDDR2正在与客户端进行相关验证工作，预计将于下半年进入量产，可望在下半年提升整体获利能力。南亚科技方面，第一季行动式内存营收基期低的关系，第二季营收有大幅度的成长，但全球市占率只有约0.3%，但较上季已有攀升，由于十月开始南科将不再从华亚科取得30nm的晶圆，目前南科正在自厂积极转进30nm制程的行动式内存，多芯片封装(eMCP)的产品将与内存模组厂商共同规划，单芯片内存产品则由南亚自行规划市场推展，并锁定中国市场以因应市场需求变化。

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  • 拉斯维加斯薄膜光伏企业获巴西政府补贴

    薄膜光伏企业PacWest表示，巴西政府正提供补贴，从而在该国建设一条CIGS生产线。总部驻拉斯维加斯的PacWestEquities公司近日表示，公司已受到巴西政府邀请，在该国建设一条薄膜CIGS生产流水线。PacWest公司透露称，已经受邀到巴西和周边国家推广光伏产品，此前，该公司于3月份斥资5500万美元收购了DayStarTechnologies。该项收购交易包括获得一条15室CIGS生产流水线的所有权，该生产线可制造太阳能玻璃组件，它拥有51项专利，其中包括正在申请的专利、国际专利以及知识产权。基于DayStartechnology，PacWest表示，巴西政府官员认为“PacWestEquities独特的优势可以促使其成为光伏产品制造领域内的引领者。”PacWest表示，其技术开发成本约为1.06亿美元，其中6700万美元用于研发，1200万美元用于建设原型生产线，而2700万美元用于建设最终的生产流水线。BIPV机遇在技术优势方面，该公司表示：“用可以发电的太阳能玻璃电池板替代高层建筑中使用的一般的有色玻璃窗，从而满足建造市场的需求，同时其功能与玻璃窗、天窗或其他类型的建筑外立面相同。”PacWest补充道，这款可适用于硬质的玻璃，或者是柔性介质，从而增加光伏建筑一体化市场的机遇。PacWest表示，巴西拥有巨大的光伏发展潜力，加上该国昂贵的电费以及保护环境的迫切需求，巴西光伏产业势必将快速发展。SunlightTechnologies——PacWest生产CIGS光伏产品的细分部门表示，与巴西保持很好的商业及政治合作关系，计划在今后几个星期做几次演讲。该公司计划租赁一座商业大楼，用于装配光伏制造设备、培训生产、销售及工程人员，并且在今后几个月占据巴西光伏组件市场主导地位。出于这个原因，PacWest公司补充道，巴西当地、州级及联邦政府官员已经承诺提供一揽子经济补贴，其中包括拨赠土地、进口税收补贴、出口税收减免、工厂及生产拨款以及来自巴西国有开发银行的融资。据了解，目前巴西屋顶光伏发电系统装机容量只有11兆瓦。而根据巴西能源研究机构EPE总裁MauricioTolmasquim透露，到2022年，巴西预计安装屋顶光伏发电系统1.4吉瓦，未来十年内，屋顶光伏系统将在巴西呈现迅猛发展。

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  • 2013年度慧聪网LED屏行业十佳品牌评选盛大启动

    【导读】LED显示屏作为中国最成熟的应用领域，行业历经了前些年的爆发式的发展后，目前已经进入平稳发展的阶段。以前成功的经验现在已经成为前进的束缚，LED显示屏行业急需一次大的变革来破旧立新，改造行业进入门槛低、同质化严重、价格战盛行的生态环境。 摘要：  LED显示屏作为中国最成熟的应用领域，行业历经了前些年的爆发式的发展后，目前已经进入平稳发展的阶段。以前成功的经验现在已经成为前进的束缚，LED显示屏行业急需一次大的变革来破旧立新，改造行业进入门槛低、同质化严重、价格战盛行的生态环境。 变革铸就机遇，品牌创造未来。从目前行业状态来看，为积聚实力，争取更为有利的市场地位，企业间的竞争日趋白热化。产品更新换代加速、企业间连横合纵增多，在愈发激烈的市场竞争中，不少具备一定实力的LED企业选择了以变应万变，在挑战中寻求机遇。从2012年到2013年，LED屏行业历经了新一轮的洗牌，而事实证明，只有真正具有核心竞争力的品牌才能抵御考验，并获得突破和提升。 为弘扬行业精神，提升品牌价值，倡导专业品质，慧聪LED屏网组织策划了LED屏十佳评选活动。本次评选于2013年8月8日正式启动，主题为：“变革铸就机遇，品牌创造未来”，我们希望通过表彰2013年度对我国LED屏行业具有重大品牌影响力和行业推动力的先进企业、行业人士，诚挚期待更多的LED屏企业积极参与该项活动，携手推进行业进步。 我要报名 2013年度LED屏行业十佳品牌评选设置九大奖项，分别是： (一)风云十年LED屏行业杰出贡献奖(三名); (二)最佳创新及成长性品牌(三家); (三)最佳投资性品牌(三家); (四)十佳LED户外广告及场馆应用屏品牌; (五)十佳LED舞台租赁屏品牌; (六)十佳LED显示屏应用工程; (七)十佳LED显示屏周边设备品牌; (八)十佳LED封装品牌; (九)十佳风云人物。 2013年度LED屏行业十佳品牌活动流程： 一、报名海选(8月8日-9月25日)在慧聪LED屏网活动专区进行报名，并按相关要求输入信息;9月25日截止报名。 “十佳评选”组委会根据网络、手机网银投票结果，结合权威专家评审团、特约评委投票和大众评委投票，按照评选体系约定的权重比例，确定最终获奖品牌和企业。 二、三十强评选(8月20日-10月9日)：本次十佳评选活动将于于8月20日启动投票。10月9日，组委会将根据网络、手机短信、网银、商家投票四种平台票数叠加之和，六大奖项中候选品牌中票数最高的前30家品牌入围;主办方将在10月10日12:00公告30强品牌名单。 三、十五强评选(10月11日-11月05日)：将上一阶段票数清零，对第一阶段评出的30强品牌进行第二轮分类投票，11月5日组委会将根据网络、手机短信、网银、商家投票回执四种平台票数叠加之和，确定入围十佳品牌的候选品牌各15名;主办方将在11月6日12:00公告15强品牌名单。 四、专家评审(11月26日-11月28日)评委以考察及企业提交的资料为依据，对入围企业进行评分，做出评审结果。 五、十强评选(11月7日-12月5日)：2013年度慧聪网LED屏行业十佳品牌将于12月5日确定，组委会将统计出15强品牌所得的票数决出10强出入，其中专家投票权重为75%，网络及线下投票权重为25%。 【注】入围企业的综合分数统计方式为：网络投票、网银投票、短信投票+专家评审分数+回执选票。 五、颁奖典礼(12月18日)。 六、后期宣传推广(12月21日-次年6月20日)。

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  • 双边征税推高美国太阳能成本

    美国商务部决定对中国太阳能电池板征收双反税时，产业分析师有很好的理由担心会产生贸易战争。而现在，中国政府开始为了对美国政府反倾销和反补贴行为进行反制，开始对原产于美国的多晶矽产品进行双反。由于双边征税将推高美国太阳能产品的成本。自今年7月24日起，中国对来自美国和韩国的进口太阳能级多晶矽采取征收保证金临时反倾销措施。裁决认定，自美国进口的太阳能级多晶矽倾销幅度为53.3%至57%，自韩国进口的倾销幅度为2.4%至48.7%。美国的多晶矽制造商占据了全球将近四分之一的市场，而且大部分产品出口至中国。2013年初，Hemlock表示由于贸易限制问题，已经解雇了几百名工人。美国业内人士认为，各方在太阳能贸易方面仍有纷争。但在这个问题上，欧盟已经与中国达成了自己的协议，美国政府也应该和中国政府谈判，制定适合于中美双方的协议。

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  • 半导体业发展模式孕育新一轮变革

    半导体业已经迈入14nm制程，2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说，传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm，这意味着如果EUV技术再次推迟应用，到2015年制程将暂时在10nm徘徊。除非等到EUV技术成熟，制程才能再继续缩小下去。依目前的态势，即便EUV成功也顶多还有两个台阶可上，即7nm或者5nm。因为按理论测算，在5nm时可能器件已达到物理极限。工艺尺寸缩小仅是手段之一，不是最终目标。众所周知，推动市场进步的是终端电子产品的市场需求，向着更小、更轻、更低成本、更易使用的方向迈进。IDC于今年发布的关于2020年时全球智能设备的预测数据显示，一是互联网使用人数将达40亿，二是产业销售额达4万亿美元，三是嵌入式终端装置达250亿台，四是需要处理的数据量达50万亿GB，五是全球应用达到2500万个。近段时间以来，全球能够继续跟踪先进制程的厂家数量越来越少，集中在几家龙头大厂，分别为做逻辑的英特尔，做存储器的三星、SK海力士、东芝、闪迪以及做代工的TSMC、格罗方德等，业界盛传的三足鼎立架构已经基本形成。它们发展的驱动力主要是为了保持龙头地位，防止追随者超过它们。所以在大多情况下，它们的持续投资与跟进是必需的，虽与工艺尺寸缩小的驱动力有关，但并不明显。因为即便摩尔定律已到达终点，对于它们的影响都甚微。另外，除了FinFET(3D)、UTSOI(超薄绝缘层上硅)等工艺之外，从产业链角度来说，在未来的10年间全球半导体业中尚有三大技术，可能推动产业实现又一轮高增长，包括450mm硅片、EUV光刻及TSV的2.5D和3D封装，它们都涉及整个产业链协作问题，非单个企业的能力能解决。向450mm硅片过渡有波折由于研发经费不足，目前说450mm设备开发已经具备条件是不客观的，似乎各家厂商正在等待发令枪声的到来。450mm硅片的命运从开始就是坎坷的，与300mm硅片相比，业界的质疑声不断，归纳起来有以下两个方面：一是在“大者恒大”的局面下，还有多少客户能下订单?而开发450mm设备需要投资约200亿美元，它的回报率在哪里?二是设备大厂缺乏积极性。开发尚不具备条件存储器业自2007年由200mm向300mm硅片过渡，近期半导体设备业基本上除了200mm设备的翻新业务之外，几乎已全是300mm设备的订单。设备业经过一次又一次的兼并重组，目前能幸存下来的都是各类别身经百战的佼佼者。近期它们的日子也不好过，面临的形势也十分严峻，如不加入到450mm行列，就等同于自动出列。因此，近两年来自设备大厂的反对声浪已经几乎消停，但是苦于研发经费的不足，态度也不十分积极。由于设备产业的特殊性，它们必须要走在技术的最前列，因此芯片制造业不得不依赖于此。根据300mm硅片设备开发的经验，450mm设备不是能简单地把腔体放大就能解决问题的。可以想见，目前客户的订单会集中在14nm甚至10nm(根据它的导入时间推算)制程，采用FinFET或者UTSOI等工艺，所以许多设备要重新进行设计，至少硅片上的缺陷密度要减少两个数量级。加上绿色产业的需要，无论是在设备的耗电量、耗水量、体积大小、重量等方面都要有大的改进。所以目前关于450mm设备的进展除了EUV光刻机能吸引人们眼球之外，其他仅有测量设备等有些报道，也并不多见，相信各家厂商都在暗自发力。然而由于研发经费的不足，目前说450mm设备开发已经具备条件是不客观的，似乎各家厂商正在等待发令枪声的到来。台积电450mm计划资深总监游秋山博士于去年提及了公司内部对于18英寸晶圆设备设定的目标，希望与12英寸设备相比，整体设备效率能于2018年提升1.1倍、2020年提升至1.8倍。此外，设备价格降低70%，尺寸缩小2/3，以及平均每片晶圆能维持与300mm设备相同的水电消耗量。突破需共担风险450mm硅片的进程要看何时业界的第一条及第二条引导线(或者生产线)运行之后，能够实现产业预期的芯片成本下降目标。等到设备真要放量扩产时，设备制造商与芯片制造商之间可能会依EUV的发展模式再次联合起来。原因十分简单，全球共有不到10家客户，要迅速实现突破，在缺乏经费的情形下，不下工夫是肯定不会成功的，所以一定要共担风险。另外与300mm硅片设备相比较，进展也不可太快，万一成本下降效果不是十分明显的话，那些芯片制造商购买时就会很犹豫，导致最初的订单数量不会太多。而设备是一定要经过客户的试用之后，累积经验才能发现问题、予以改进。两者之间是鱼水的关系，但是各有自己的经济利益考量。因此，对于全球半导体业向450mm硅片过渡的前景还是客观一些为好，事情可能会有波折，原因是半导体技术的先进性、复杂性要求已很高，而设备业准备并不很充分。另据消息，英特尔近日确认，位于美国俄勒冈州的Fab1DX二期工程已经破土动工，这也是全球第一座将会用来生产450mm大尺寸晶圆的工厂。EUV光刻“好日子”即将到来?EUV光刻已引起半导体业界的特别重视，有希望在2015年或者2016年相当于在10nm制程时代导入。EUV光刻技术相对来说还算是幸运的，由于光源功率一再推迟，影响了进程，促使英特尔、台积电及三星纷纷解囊投资入股ASML，支持它的研发。ASML于今年6月兼并了一家提供光源的公司Cymer，似乎已再无其他说辞，看来此次EUV光刻设备一定要成功。解决光源功率和掩膜缺陷EUV技术原本被寄希望于在65nm技术节点被采用，但是随着浸液式光刻、双重图形等技术的不断涌现，它崭露头角的日子被不断推迟。甚至有人质疑是否真的需要EUV?时至今日，在14nm甚至10nm制程步步紧逼的时候，是不是意味着EUV的“好日子”即将到来?目前EUV技术的现状仍存在两个大问题，即EUV光源功率不够以及光刻掩膜的缺陷问题。相对于目前的投影式光学系统而言，EUV掩膜板将采用反射技术，而非透射技术。要使EUV顺利进入量产，无缺陷的掩膜是必不可少的，如何解决掩膜板表面多层抗反射膜的无缺陷问题成为关键。EUV掩膜板的制作一般是采用多层堆叠的Mo/Si薄膜，每一Mo层与Si层都必须足够平滑，误差容许范围为一个原子大小。如果掩膜上存在大颗粒时，通常需要采用掩膜修正技术进行处理。另外，掩膜版还涉及储存、运输等难题。最新的数据要求认为，最终EUV量产时缺陷密度的目标可放松到0.01defects/cm2即可。但如今的EUV掩膜缺陷仍高达1defect/cm2，相差两个数量级，可见任务还非常艰巨。EUV光刻反射式掩膜技术的难点在于掩膜白板(blank)的制备，包括缺陷数的控制以及无缺陷多层膜的制备。根据掩膜图形成型方法的不同，其制备方法主要分为：离子束直接刻蚀法、离子注入法、Liftoff法、吸收层干刻法。吸收层干刻法不仅在工艺上切实可行，而且有利于缺陷的检测和修补，是最为理想的掩膜制作方法。另外，制作出无瑕疵的掩膜坯(maskblank)则是另外一个EUV光刻技术走向成熟需要解决的主要问题。有分析说，经过多年研究，业内制作光掩膜衬底的瑕疵水平已经达到每片24个瑕疵，这样的瑕疵控制水平对于存储器的制造来说已经可以满足要求，但是仍无法满足制作逻辑芯片的要求。到2013年，6反射镜设计的EUV光刻系统的数值孔径NA可从现有的0.25水平增加到0.32(通过增大镜径等手段)。如果再进一步发展下去，通过8反射镜设计并采用中心遮拦技术的EUV光刻系统的NA值则可达到0.7左右。比如在掩膜板技术方面，业内领先的掩膜坯提供商Hoya公司一直都在研究超低热胀率的掩膜坯材料，这种掩膜坯并不采用传统的石英衬底材料制作。另外，由于所用的照明光能量很容易被材料吸收，因此多年来人们一般认为EUV光刻适用的掩膜板很难通过加装掩膜板的保护膜的方法来防止颗粒沾染。而目前已经有研究人员在研制硅材质的掩膜板保护膜方面取得了一些进展。对于目前条件下EUV光刻系统用的掩膜板而言，平均使用25次就会沾染上一个污染物颗粒，因此需要通过特殊的清洁处理来保证掩膜板的清洁，而这种清洁处理则不仅增加了成本，而且还会影响到掩膜板的质量。有望在10nm制程导入EUV光刻机制造商ASML在2013年展览会的演讲中表示，其第二代NXE3300B的EUV光刻机已经出货9台给芯片制造商。在2014年时NXE3300B中的光源功率可以达到50W，相当于43WPH水平。而100W光源可能要到2015年或者2016年实现，相当于73WPH水平。至于何时出现250WEUV光源目前无法预测，除非100W光源开发成功，并有出彩的表现。不太相信未来光刻机能达到500W光源，虽然写进路线图中是容易的，但是未来能否实现是个大问题。只要实现73WPH，即可认为EUV已达到量产水平，因为与多次曝光技术相比，其成本已然下降。在10nm节点以下，如果继续采用DP技术，则需要4倍甚至8倍图形成像技术。EUV光刻已引起半导体业界的特别重视，目前在英特尔等大佬的支持下经费也能保证，所以有希望在2015年或者2016年相当于在10nm制程时导入。但是EUV光刻原理与传统的光学光刻工艺不同，所以一旦导入，将会引起半导体制造业的“骚动”，它的磨合过程需要多久，尚不便预测。但是相信由此新一轮尺寸缩小的序幕将拉开，可能推动半导体业再次高增长。TSV封装带来新游戏规则各种TSV装技术的成功量产商用，将会带来一种新的游戏规则，封装革命已是一种最好的超越对手的方式。近期半导体业发展中有两大趋势即SoC系统级芯片及SiP系统级封装。按逻辑思维，SoC是通过IC设计方法把多个芯片功能集成在一起，因此对于IC设计、验证及测试等都提出了新的挑战，所以SoC比较适用于量大面广的芯片，否则成本降不下来。SiP是利用封装技术，实现多个芯片而且是异质架构产品的集成，由此SiP又可延伸为采用TSV的2.5D与3D封装技术，十分类似于多层印制板电路产品。3D封装的原理概念早已提出，然而涉及标准、产业分工等问题，产业化过程缓慢。如今业界对于3D封装寄予厚望，认为将掀起半导体业中超越摩尔定律的又一次革命。封装技术掀起革命所谓2.5D是将多颗主动IC并排放到被动的硅中介层上，因为硅中介层是被动硅片，中间没有晶体管，不存在TSV应力以及散热问题。通过多片FPGA的集成，容量可以做到很大，避开了新工艺大容量芯片的良率爬坡期，并因解决了多片FPGA的I/O互连问题而大幅降低了功耗。3D是指把多层芯片采用微凸块及硅通孔技术(TSV)堆叠在一起。微凸块是一种新兴技术，面临非常多的挑战。一是两个硅片之间会有应力，举例来说两个芯片本身的膨胀系数有可能不一样，中间连接的微凸块受到的压力就很大，一个膨胀快，一个膨胀慢，会产生很大的应力。二是在硅通孔时也会有应力存在，会影响周围晶体管的性能。三是热管理的挑战，如果两个都是主动IC，散热就成为很大的问题。所以行业需要解决上述三个重要挑战，才能实现真正的3D封装。一般在晶圆制造CMOS结构或者FEOL步骤之前完成硅通孔，通常称作Viafirst。因为TSV的制作在fab的前道工艺即金属互联层之前进行，此种方式在微处理器领域研究较多，可作为SoC的替代方案。而将TSV放在封装阶段，通常称之为Vialast。这种方式的优势是可以不改变现在的IC制造流程和设计。采用Vialast技术即在芯片的周边进行通孔，然后进行芯片或者晶圆的多层堆叠。此种方式目前在存储器封装中盛行。TSV通孔工艺需要几何尺寸的测量，以及对于刻蚀间距和工艺可能带来的各种缺陷检测。通常TSV的孔径在1~50微米，深度在10~150微米，纵宽比在3~5甚至更高。每个芯片上通孔大约在几百乃至上千个。目前能实现3D封装的只是存储器芯片，如东芝于2013年2月采用19nm空气隔离技术生产出64GB与128GB的NAND闪存，并通过减薄至30微米，将16层芯片堆叠于一体，采用引线键合方法，作成容量达1024GB的薄型封装。三星也于2013年8月宣布开始量产128GBNAND3D闪存。而意法半导体的MEMS也实现了3D封装，因为它面临的发热等问题小一些。面临三大难题如果我们无法解决价格问题，那么TSV的发展道路将更加漫长。目前TSV在价格与成本之间仍然存在极大的挑战，加上新技术的不确定性所隐含的风险，以及实际的量产需求，形成了TSV技术所面临的三大难题。部分业界人士认为，到2014年，智能手机用的移动应用处理器可能会采用TSV技术，成为率先应用TSV量产的产品。日本JEDEC正在拟订一个支持TSV的WideI/O存储器界面的方案，其目标是成为下一代采用层叠封装(PoP)的低功耗DDR3连接的继任技术。市场调研机构YoleDeveloppement稍早前发布了一份针对3DIC与硅通孔(TSV)的调查报告指出，2011年所有使用TSV封装的3DIC或3D-WLCSP平台(包括CMOS影像感测器、环境光感测器、功率放大器、射频和惯性MEMS元件)等产品产值约为27亿美元，而到了2017年，产值可望增长到400亿美元，占总半导体市场的9%。因此，从目前掌握的情况看，要实现异质架构的、不同IC之间的真正3D封装，至少还需要3~4年的时间。无论是2.5D还是3D，各种TSV封装技术的成功量产商用，将会带来一种新的游戏规则。在摩尔定律越来越难走、新的半导体工艺迈向1xnm越来越昂贵的今天，封装革命已是一种最好的超越对手的方式。450mm硅片、EUV光刻及TSV2.5D与3D封装三大关键技术本来互不相干，但是相互之间会有此消彼长的效果。目前究竟那项技术走在先，尚难说清。因为半导体业是一项规模产业，仅小批量生产也不行，价值要体现在销售额中。近时期半导体业的增长已趋缓，可能与尺寸缩小面临极限等因素有关。相信当三大技术获得突破之际，将推动产业进入又一轮的高增长。然而这三项技术由于难度都特别大，发展都不会一帆风顺，而在此过程中半导体产业将面临产业结构与发展模式等新一轮的重组与变革。

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