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  • 英特尔宣布已完成76.8亿美元收购McAfee工作

    北京时间3月1日消息，据国外媒体报道，英特尔周一宣布，该公司收购安全软件厂商McAfee的工作已经完成。英特尔在2010年8月宣布，将以76.8亿美元收购McAfee，希望将McAfee的安全软件与其硬件相结合，从而提升PC、智能手机和其他设备的安全性。英特尔表示，McAfee将继续使用自己的品牌开发和销售安全产品和服务。英特尔和McAfee计划在今年年底向市场推出它们战略伙伴关系的首批成果。英特尔和McAfee认为，今天的安全措施并不适用于所有已能够接入互联网的数十亿台设备，包括了PC、移动和无线设备、电视、汽车、医疗设备以及自动取款机。随着网络威胁的不断增大，向变化多样的网络世界提供保护，需要提供涉及软件、硬件和服务的根本性的新方法。作为英特尔的全资子公司，McAfee将向英特尔软件和服务集团汇报工作。英特尔软件和服务集团由公司高级副总裁詹睿妮（RenéeJames）带领，McAfee总裁戴夫·德瓦尔特（DaveDeWalt）将向詹睿妮回报工作。英特尔在2011年1月31日发布了第一季度及全年业绩预期，该预期中包括了收购McAfee交易完成可能给公司带来的影响。英特尔股价周一在纳斯达克市场常规交易中下跌0.39美元，跌幅为1.78%，报收于21.47美元。过去52周，英特尔最低股价为17.60美元，最高股价为24.37美元。

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  • 夏普将量产薄膜电池新品 成本缩减10%

    日本媒体2日报道，日本太阳能电池龙头厂夏普已研发出一款制造成本可较现行产品便宜一成的薄膜型太阳能电池新产品，夏普并已完成旗下八尾工厂的产线改修工程，将开始量产该薄膜太阳能电池新产品，并将于本(3)月内开始进行出货。报道指出，夏普也计划于今年夏天结束前将(土界)市工厂产线改修成可支援上述新产品的生产，以阶段性将上述新产品取代现有产品。报道指出，夏普所研发的薄膜太阳能电池新产品主要是在电池背面使用强化玻璃提升其强度，借此去除占整体材料费用比重达20%的铝制外框。据报道，美国FirstSolar虽已推出不使用金属外框的太阳能电池产品，惟夏普的新产品面积约为FirstSolar产品的2倍。

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  • 影响CIGS光伏模块可靠性的因素

    由美国国家可再生能源实验室(NREL)主办的光伏模块可靠性会议,会上讨论了光伏模块的寿命有多长，及有那些因素会影响它的寿命。或许有人并不在意，觉得可靠性并不会影响目前的业务，此种观点实际上是不对的。CIGS的承诺CIGS具有低成本及可淀积在柔性衬底上的优势。近期美国能源部(DOE)与SunShot己经有一个计划希望把光伏系统的成本下降75％，至每瓦1美元左右。目前柔性CIGS光伏模块己能提供量产至DOE的水平。国家可再生能源实验室NREL声称利用柔性PV模块代替传统的玻璃衬底,可使量产成本下降到每瓦0,17-0,94美元。把问题找出来高效柔性PV模块的可靠性问题是由于CIGS技术容易遭受湿度而受到影响。最易受影响是从模块的封装中湿度的侵入,它进入光伏电池的透明的导电氧化层TCO中,而TCO是CIGS薄膜电池中的一层。参加PVMRW会议的公司包括有DowCorning,DuPont,SaintGobain,MitsubishiPlastics及3M,它们都提出如何防止湿度侵入的多种有效方法,尤其对于CIGS电池。如果确诊在CIGS技术中TCO的湿度是主要因素,NREL建议那些花钱多及未经证实的封装解决方案也并不需要。在PVMRW会上许多CIGS制造商都提出了有关可靠性的解决方案。如SoloPower刚宣布从美国DOE贷款197M美元计划在Oregon建新工厂,要避免它的CIGS制造中的effectsoflightsoaking(光致湿的效应)。Solarion对于它们的CIGS在玻璃-玻璃封装和柔性封装的可靠性进行比较。AscentSolar(ASTI)提出CIGS的加速侵蚀法及Nanosolar提出CIGS的避水设计，以为了提高可靠性。另外如ADCO公司提供的粘合剂可提高边缘密封的可靠性及其它在BIPV应用中的粘合剂方案可应用于柔性CIGS中。Sunpower的报告有启示作用,它提出各种系统的失效模式,可从它们的大量成品率历史数据中来理解可靠性的重要性。Sunpower兼并Powerlight可能邦助它们比较各家制造产品在若干年中的功能数据。在PVMRW会上各家公司互相交流失效数据是会议的一个重要标志。要说明一点,Sunpower的模块已经解决了可靠性方面问题。可靠性具地域特征第一次听到可靠性具地域特征。尽管所有模块都要求通过一组测试來提高今天光伏产品的信心。显然上述测试与实际PV产品的寿命并非存在一定的联系。通过上述测试仅表示其具长寿命的可能性,测试仅反映对于热，湿地域中应用产品的失效机理的总的解释。新的特定地域可靠性测试是在热干环境下进行,从结果看它比冷,湿环境下应用更具优点。NREL的RommelNoufi建议与今日的高速公路相比较,PV工业非常相似于它。讲此话的含意是指高速路由各家制造商共同来完成，而行驶各种车辆。非常相似也有许多來自各个地域的PV制造商,未来它们有各种解决方案。在PVMRW会上集中在三个方面,晶硅,聚焦PV及薄膜PV。在薄膜太阳能电池讨论中CIGS占主导,可能与成本及效率相关。要感谢大家的努力找出湿度是罪魁祸首,相信未来PV市场会有更大的发展,以及光伏产品应该有大於20年的可靠使用寿命。

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  • 中国电子分销商联盟成立

    21ic讯 中国电子分销商联盟在深圳发起聚会，隆重宣告中国电子分销商联盟成立。中国已经成为全球电子供应链的重要组成部分，十二五把生产性服务业作为国家重点发展领域，电子元器件分销商是电子制造供应链和生产服务业的中坚力量。联盟的成立对推广分销商增值服务、促进供应商与原厂合作、鼓励分销商参与技术创新和获取政策支持有深远意义。在主管政府部门和兄弟行业协会支持下，在中国电子器材总公司召集和CNT Networks牵头联络下，在主流分销商积极参与下，联盟确立了为行业服务的使命。 联盟召集单位中国电子器材总公司副总经理陈雯海指出，“联盟将架起政府与分销服务行业的桥梁，为分销商争取行业扶植政策和建立行业规范起到有力的协调作用。”基于发展生产性服务业、品牌建设和改善产品附加值的新市场环境，分销商已经成为创新的重要组成部分，但是目前还没有针对分销商行业的鼓励政策。联盟将结合国际和国内分销商的不同业务需求，积极提供针对性支持。 “成立中国电子分销商联盟的意义在于促进电子元器件分销商与电子供应链上下游高效有序地合作，改善分销商在技术创新和服务创新市场环境下的作用，”联盟牵头单位CNT Networks CEO Michael Liu博士介绍。由于中国电子制造业分布广泛，新兴市场活跃，电子元器件分销商的作用尤为突出，但是中国还没有分销商的行业组织。联盟的成立填补了此项中国空白，有了与国际分销商行业对接的窗口。联盟的成立得到了全球分销商协会（IDEA）和北美电子元器件工业协会的大力支持，是引进国际分销商运营模式的基础。 “联盟将组织主流分销商开展行业数据统计，委托专业市场数据研究公司发布中国电子分销商行业市场统计数据。这对分销商精细化运作和推进先进的供应链预测体现非常重要，”Liu博士介绍。联盟还将为分销商转型、开发新市场、上市和融资提供专业服务。 “我们非常关注和支持中国分销商组织，愿意利用全球分销商行业协会资源帮助中国联盟发展。因为中国已经是全球分销价值链的不可或缺的部分，我殷切希望与中国联盟合作市场研究项目。”国际电子分销协会主席Gary Kibblerwhite热情地承诺。他曾亲自到中国与主流分销商见面介绍协会服务。美国电子元器件行业协会Robin Gary积极支持联盟，“我把成立中国联盟消息告诉我们的会员，请他们参加中国联盟。” 中国电子分销商联盟得到全球十大和中国主流分销商的支持，发起单位在深圳举办隆重的联盟成立午宴，到会代表都是总裁和中国区域总经理级别高管。联盟发起单位有全球十大分销商艾睿电子、安富利、大联大、富昌电子、Digi-Key、贸泽电子、e络盟、欧时电子、理查森电子；中国最大分销商科通通信、中电器材深圳公司、泰科源、北高智、亚讯科技、上海丰宝、合众达、利尔达；最具成长性分销商梦想电子、雷度电子、江苏商络、中电华星、基创卓越、缘隆公司、英特翎等。 联盟也得到电子元器件原厂供应商支持包括FCI、太阳诱电、顺络电子、台湾麦肯和深圳国微等。“这是一个扎根中国的国际分销商聚会，它将对中国电子分销商供应链产生深远影响，” 陈雯海说。 召集单位和牵头单位是中国主流媒体和展览服务商，包括中国电子展、电子元件技术网、我爱方案网、互联网数据营销和市场研究服务。凭借这些资源，他们有能力担起行业服务的责任。  

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  • 荷兰能源研究中心联手英利研发高效低成本光伏技术

    英利集团有限公司将与荷兰能源研究中心合作，共同研究开发高效率低成本N型硅太阳能电池制造的一系列核心技术，将N型单晶硅太阳能电池效率从目前的17%提升到19%以上，并建成30兆瓦的试生产线。该技术可大幅提高电池效率，并且工艺简单，与常规的P型生产线兼容，极大降低了成本，适合大规模工业化生产。此项技术成果指标及水平都处于国际领先水平，通过项目实施，引进了关键的N型硅太阳电池处理技术、硼磷共扩散和掺硼P型发射极的湿法氧化硅钝化技术，培养研究生以上的人才8人。通过与荷兰能源中心合作，英利集团有限公司在保定国家高新技术产业开发区内新建年产300MW单晶硅太阳能电池项目，该项目年均销售收入50.2亿元，年均利润总额7.4亿元，年均利税总额7.6亿元，项目利税率29.38%。荷兰能源研究中心是荷兰最大的能源领域的研究所，其技术主要应用于太阳能电池生产和其他可再生能源利用等方面，中心有630人。

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  • IC制造装备工艺十年赶超,信心来自何方？

    昨天，国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》（以下简称“02专项”）在京举行了成果发布会。在这个长期受到国外垄断的领域，中国企业第一次拿出了诸多骄人成果。“02专项”专家组负责人之一、中科院院士王曦预计，到2020年，我国的集成电路制造装备工艺有望与国外发达国家站在同一水平线上。业内人士表示，“02专项”的成功实施，为我国集成电路行业实现赶超提供了信心和技术基础。 “最大宗进口物资”倒逼创新 集成电路，通俗说就是“芯片”。随着信息社会的发展，手机、电脑、电视等各种电子移动终端都离不开集成电路。自从1958年世界上第一块集成电路问世以来，它的体积越来越小，性能越来越强大。特别是近20年来，几乎每隔两三年就有一代产品问世。 集成电路制造工艺又是一门 “技术活”，按照上下游顺序，分为设计、制造、封装和测试四大环节。一块体积小巧、功能强大的集成电路，既离不开卓越的电路设计，又离不开精湛的制造工艺和高超的封装测试工艺。电路刻蚀的精密程度都以纳米为单位，制造一块芯片，其精细程度比在一根头发丝上“绣花”还要高。 长期以来，我国集成电路行业从制造工艺到装备，再到材料，都严重依赖进口，每年高达1200亿美元的进口额，使其成为我国最大宗进口物资。此外，还有许多装备由于国外采取禁运措施，想进口都不行。在此背景下，“02专项”应运而生。它的目标十分明确：通过自主创新，实现追赶和超越。 “大兵团攻关”卓有成效 集成电路的产业链复杂，上下游的工序分工非常细，如果按传统科技立项方式资助一两个企业，就算出成果，也未必能直接用于生产。对此，“02专项”采取了“大兵团”作战的思路，在相关产业链上由100多家企业、研究单位一起参与。 中芯国际就是典型例子。作为集成电路制造企业，它承担了“65纳米成套产品工艺”的研发工作，使我国的集成电路制造水平首次达到国际主流水平。目前，它每月可生产5000片12英寸芯片，贡献了6亿元产值。与此同时，中芯国际还扮演着“用户测试方”的角色，项目组中负责装备开发、材料升级换代的单位，必须把成果拿到中芯国际的生产线上“跑”一下并得到认可，才算真正成功。而国产先进装备的使用，反过来又有助于其进一步提高制造工艺。目前他们正在研发精密程度更高的45纳米、32纳米芯片相关工艺。“公司今后将采用更多的国产装备，不是因为它便宜，而是因为确实好用。”中芯国际首席执行官王宁国说。 不同于以往关起门来搞创新、搞鉴定，此次“02专项”成功的秘诀之一，就是按照产业链顺序，让下游检测上游，让“整机”检测“部件”，以此确保质量。目前，35种装备、材料正在陆续进入大生产线考核验证阶段，23种封装设备和8种封装材料已通过生产线验证。 产业撬动价值更可观 “02专项”的这些成果，使我国与国外发达国家和地区在相同领域的技术差距缩短至一个技术代（约1—2年），也为我国在国际竞争中赢得了更多话语权。中船重工第718研究所此次承担一种气体刻蚀介质的开发，该所工作人员告诉记者，此前这种气体的进口价高达270美元/吨，开发成功后，国际售价一下子下降了2/3以上。现在该所已拥有华虹等多家国内芯片制造用户。 专家之所以看好中国集成电路产业，还有一个更重要的因素是，它在我国发展战略性新兴产业的计划中，扮演着重要角色。无论是国家其他重大专项——核高基、新一代无线通信网，还是上海大力推动的先进制造业、信息技术产业，都离不开集成电路。集成电路制造技术和装备的国产化，将带动一批战略性新兴产业的发展。同时，这些产业的加速发展和市场的加速扩大，又为集成电路行业的不断突破提供了动力。

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  • 2010年中国集成电路市场强势反弹 规模达7349.5亿元

    1、2010年中国集成电路市场规模7349.5亿元，市场增长29.5% 　　 2010年全球半导体市场规模2983.2亿美元，市场增速达31.8%，是继2000年以来市场增速最快的一年，在经历的2009年的下滑之后，市场大幅反弹，结束了连续多年来的低迷发展态势。 　　 中国集成电路市场方面，市场也同样结束了连续多年来增速连续下降的趋势，2010年市场增速达29.5%，实现销售额7349.5亿元。是继2005年之后市场增速最快的一年。市场的反弹得益于全球经济的复苏，市场对下游整机电子产品的需求旺盛，从而带动对上游集成电路产品的需求。此外，由于2010年下游市场对芯片需求强劲，因此整体上使得芯片价格相对往年较为坚挺，在某些产品领域甚至出现芯片价格上涨的现象，芯片价格因素也是影响市场发展的因素之一。整体来看，2010年之所以能实现市场的大幅反弹，关键的因素还是因为2009年市场受全球金融危机影响造成衰退，从而导致市场基数较低，因此 2010年全球市场和中国市场双双实现高速增长。 　　 　　图12006－2010年中国集成电路市场销售额规模及增长率 　　 　　　　市场进出口方面，根据海关的统计数据，2010年，中国集成电路进口额达1569.9亿美元，同比增速31.0%，出口方面，中国集成电路2010年出口额为292.5亿美元，同比增速25.5%。可以看出，中国集成电路产品进出口差额较大，中国所需的集成电路多数仍然需要进口，中国集成电路市场的发展速度也基本与进口规模的增速保持一致。 　　 2、存储器增长快速，是中国集成电路市场份额最大的产品 　　 在产品结构方面，受益于市场整体保持快速增长，几乎每种集成电路产品都保持了较快的增速，其中存储器受到来自各个应用领域的带动，增速最快，增速超过40%，市场份额达23.9%，依然是中国集成电路市场份额最大的产品。CPU和计算机外围器件则受到笔记本产量增速相对稍缓的影响，市场份额有所下滑。 　　 图22010年中国集成电路市场产品结构 　　 3、3C领域仍是主要应用市场 　　 从市场应用结构来看，2010年，汽车电子领域依然是中国集成电路市场发展最快的领域，全年市场增速达36.8%，其市场份额稍有上升，但由于其市场基数本身较小，因此对整体集成电路市场的带动作用有限。计算机领域依然是中国集成电路市场最大的应用领域，2010年市场份额为45%，由于2010年中国笔记本电脑相对于其他主要的电子整机产品产量增速稍缓，因此计算机领域集成电路市场的份额较2009年也稍有下滑。网络通信和消费电子领域则分别受到手机以及家电产品产量大幅增长的带动，其市场增速都保持在30%以上。整体来看，PC和手机仍然主宰集成电路市场的发展，二者所消耗的集成电路产品超过集成电路整体市场的一半，然而随着其它各类产品应用的增加，这两类下游产品所占的市场份额将缓慢缩小，但未来几年，这两类产品仍然将是集成电路消耗市场的主导产品。 　　 图32010年中国集成电路市场应用结构 　　 4、整体竞争格局基本不变，联发科技发展放缓 　　 竞争格局方面，2010年中国集成电路市场基本保持了之前的态势，欧美日韩厂商依然占据了明显优势，英特尔第一的地位暂时还没有厂商能够撼动，但是三星与英特尔的差距基本上市逐年减小。其它企业方面，Micron和瑞萨则由于收购或合并，销售额大幅增加，排名有所上升，TI、英飞凌等企业也表现出强劲的增长力，值得注意的是，前两年一直保持高速发展的中国台湾企业联发科技在2010年由于受到市场竞争激烈的影响，其发展势头有所减缓，排名下滑。 　　 5、未来几年市场将保持平稳发展态势 　　 展望2011年，在经历了2010年的高速增长之后，无论是全球市场还是中国市场，市场将会进入平稳发展的阶段，预计市场增速将在10%左右，市场发展的主要驱动力仍然主要来自PC、手机、液晶电视已经其它产量较大的电子产品。此外，未来新兴应用成为市场增长的推动因素之一，xPad等新兴电子产品市场的发展也在一定程度上推动了半导体市场的发展，随着医疗电子、安防电子以及各个行业的信息化建设的持续深入，应用于这些行业的集成电路产品所占的市场比重将会越来越多。 　　 未来3年，汽车电子的增速将会明显放缓，但依然将明显高于整体集成电路市场的增长，PC领域的增速也将会有所放缓，这将直接影响到存储器市场和CPU市场的发展，值得注意的MCU产品，未来随着社保卡发卡量的增加，用于IC卡领域的MCU将会受到带动，而且随着 MCU应用范围的拓宽，中国MCU的增速将明显快于整体集成电路市场。 　　 图42011－2013年中国集成电路市场规模及增长率预测 　　 未来几年，产品方面，存储器仍将是中国集成电路市场上份额最大的产品，其市场份额将会保持在20%以上，CPU、ASSP和模拟器件的市场份额也相对近较高，将保持在15%以上。应用领域方面，3C（计算机、网络通信和消费电子）领域仍然是中国集成电路产品主要的应用领域，三者的市场份额将一直保持在整体市场的85%以上。  

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  • 尔必达：希望分文不花整并台日DRAM产业

    台、日DRAM产业集成议题沸沸扬扬多时，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄首度吐露真心话表示，假如台、日DRAM产业双方真的进入集成及合并阶段，尔必达并不希望花任何1毛钱，希望能用股权交换方式来进行，若能集成成功，尔必达在全球市占率将可超过40％，直逼三星电子(SamsungElectronics)龙头地位。至于台厂庞大债权归谁，尔必达内部希望以债做股方式一笔勾销，盼银行团能同意拿债权换股。业界对此认为，尔必达这招颇有公开逼亲意味。尔必达这次来台发行台湾存托凭证(TDR)，被业界视为台、日DRAM产业集成第1步，从尔必达在2011年初宣布要发行TDR开始，面对DRAM报价二度崩盘，多家DRAM厂顿失筹资能力，很多集成议题再度被挑起，但台厂始终不愿正面回应，坂本幸雄在公开场合亦仅表示，一切还未有具体细节。不过，坂本幸雄24日在面对DRAM产业集成议题时，一开始先表示目前很多细节都还在谈判，没有最后定案，但时程越快越好，但最后他终于首度吐露真心话表示，假如台、日业者真的进入集成及合并阶段，尔必达希望藉由股权交换方式，目标是能不花任何1毛钱来达成集成。坂本幸雄指出，台、日DRAM产业能顺利集成，涵盖尔必达、力晶、瑞晶、茂德等产能，有信心全球市占率可到40％以上；这亦意味尔必达将藉由这次拉拢台湾产能策略，让尔必达一举站上挑战三星龙头的制高点。不过，力晶和茂德旗下12寸厂产能固然诱人，然一旦集成后，庞大负债该由谁来承担，尔必达已讲明不想出任何钱，力晶和茂德本身亦无多余资金，一切关键点仍是丢回给债权银行团，尔必达内部一直希望银行团能同意用债权换股权方式，将债务一笔勾销。存储器业者认为，现阶段台、日DRAM产业实力，与2008年底政府宣称要进行台、美、日大集成时，早已大不如前，尤其台DRAM厂经过这2年喘息后体质并未转佳，尔必达却藉著MobileRAM翻身，且逐一收编台DRAM产业12寸厂产能，现在要与尔必达谈条件，台湾处境确实居于弱势。另外，台、日DRAM产业集成棋局走到这一步，多数DRAM厂都已不具主导权，关键球又回到债权银行身上，债权银行背后则是政府的指导棋。从尔必达宣布要来台发行TDR开始，不断传出要合并瑞晶、茂德、力晶等消息，但台、日双方都不愿意证实或承认，虽然屡次传出尔必达希望以债作股来解决负债问题，但银行团并未同意，一切都未获得公开证实。存储器业者指出，坂本幸雄这次公开表示希望能不花1毛钱就完成集成，若不是与银行团及政府方面有默契，就是希望用这种方式公开逼亲，给台湾方面压力，毕竟现在台DRAM厂手上筹码已不多，如果2011年再无法顺利募资做制程转换，与三星、美光之间技术差距会越拉越大，最后恐将毫无竞争力可言，在此时摊牌应是看准台厂已无后路。

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  • 2010年电子元器件市场行情分析

    2010年的电子市场总体是量价齐扬、行业景气迅速攀升的一年。整个中国电子行业在外部环境好转、内需迅速唤醒并且一直强劲、市场热点产品不断出现等因素的影响下，行业保持较快增长。 根据华强北•中国电子价格指数网监测的一手资料显示，2010年电子行业的价格一反上一年的萎靡不振形势，出现节节攀高，月度同比指数除了3月份几乎接近之外，全年都处于较高水平。同比指数的节节攀高，并在7月份出现峰值，说明剔除季节性影响因素之外，电子行业的价格出现了明显的上涨。 电子市场平均价格由于缺货等原因，出现大幅度的攀升。四大板块指数在二季度一致性上扬，电子元器件成为领涨指数，最高涨幅达8个点。而其下辖电子元件在二季度价格波动非常大，部分产品有价无市，某些产品出现翻倍涨价。缺货、涨价是今年以来市场上的热门关键词，市场上有部分板块产品，由于缺货导致价格翻番上涨，部分有预见性的商家，赚得是盘满钵满。 电子元器件 在电子行业中，电子元器件毫无疑问占据半壁江山，该板块的价格走势引领着整个电子行业的动向。下游产业的价格定位虽然受市场供给的影响，但作为电子产品上游产业的电子元器件的价格走势，对其产生根本影响作用。从华强北电子市场价格指数研究中心监测的数据显示，电子元器件市场全年以来市场发展态势较好。第一季度市场出现淡季不淡，第二季度增长趋势非常明显，三季度高位运行，四季度价格维稳下探。 电子元器件价格指数在今年的7月份，出现108.8点的峰值，创出历史新高点，月度同比指数也达到全年最高点。上半年呈现出喜人的上升局面，凸显市场活力一面。据分析得出，其中有两个因素：一是产业政策扶持的因素，家电下乡、汽车销售等拉动电子消费，全球终端市场需求旺盛，这就赋予电子元器件行业快速增长的推动力；二是行业复苏的牵引力，随着全球经济逐渐复苏，行业荣景初现，半导体、TFT-LCD、集成电路等主要行业成长良好。 集成电路 相比09年除了接近年尾的小高峰，全年没什么起色的市场行情不同，2010年的集成电路先抑后扬，后期市场高位缓慢下探，价格指数值高峰出现在7月份的105.98，年底价格下滑的动力不强。旗下众多细分类别，价格涨跌交替，部分指数价格走势拐点出现在7、8月份，代表产品有CPU、MCU等。有些类别全年价格涨跌交替，没有明显的拐点，代表类别有芯片、逻辑电路、数字电路等。还有部分类别产品全年几乎保持一致上涨形势，代表类别电源电路、放大器、DSP等。 分立器件 作为半导体产业的两大分支之一，半导体分立器件具有广泛的应用范围和不可替代性，也具有稳定的市场空间。在市场需求上，由于分立器件品种多，应用范围广，通用性高、技术相对成熟，市场发展平稳，产品更新换代较慢，采购渠道和资源丰富等特点，促使销售额一直比较稳定的增长。 从监测的价格指数数据可以看出，09年分立器件价格总体上有了10百分点的增幅，全年一直保持较均匀的增长趋势。2010年的分立器件市场价格在整体电子行业价格看涨声中，也水涨船高，出现大幅度攀升现象。价格在二季度涨势最明显，最大月度涨幅高达11个百分点，此后价格在7月份上升至128.7，创历史新高。此后价格一路下滑，今年底，下降速度有减缓势头，但12月份的同比价格依然具有显著优势，高出10个百分点。 电子元件 电子元件在整个电子基础产业中所占的市场份额不大，但是对于电子产品来说，是必备板块，市场上产品型号数以万计。整体价格在2009年平稳微幅度上涨基础上，2010年价格出现一季度下滑，二、三季度大幅上涨，而第四季度开始出现明显回落的走势。电子元件的价格在二季度呈“V”字型强力反弹，从4月份始，价格节节攀高，市场大面积涨价一直持续到8月份。旗下电容器价格持续稳定的上涨，对于整体电子元件行业价格的上涨功不可没。其中，在4月下旬，由于某些权重型号出现价格翻倍上涨，拉动总体指数出现近17个百分点上涨。此后，价格一直稳定在高位。电子元件价格指数在8月份出现历史最高值，报点115.47，环比指数上涨近6个百分点，而同比指数上涨高达19个百分点。 电容器 相比09年价格的稳定走势，电容器在2010年价格走势显得格外跌宕起伏。3、4月份短暂大幅下滑之后，价格迅速上涨，5月份位居涨幅位居前位，涨幅最高达20多个百分点，成为电子元件价格指数上涨的助推指数。后期接连几个大幅度上涨，指数值在8月份冲击最高点109.11，此后，价格明显回落，到年底平均价格已经下降到09年以下的水平。 电容器今年上半年电子市场的大体走势，与去年预期相差并不太大，一季度电子市场整体价格呈现温和上涨，涨价主要原因是缺货。缺货现象在今年4、5月份反映更明显，导致部分型号有价无市，部分型号呈现翻番的涨价，从而促使电子市场价格指数在3、4月份明显上升走势。今年头5个月，电容器的价格指数呈现V型走势，价格在4月中旬出现强力反弹现象，旗下众多型号，出现大面积涨价。今年一季度开始，电子行业掀起缺货潮，而4、5月份缺货不但没得到改善，反而出现更严重现象。电容器总指数上涨幅度出现20多个点的反常现象，缺货及有意囤货惜卖让部分型号价格翻番。 四季度电容器价格出现明显下滑，并不是所有的电容器价格都在大幅度滑坡，也有部分产品价格还是维持上涨走势，代表类别就有铝电解电容器。铝电解电容器的价格将呈上升趋势，原因是原材料（铝，纸张等）、能源成本（阳极铝箔生产成本的主要组成部分）的花费上升，与此同时，中国劳动力成本上升也很快，预计未来几年还会继续上升。钽电解电容情况也与之类似。 电阻器 2010年电阻器的价格走势呈现不对称的“∧”型走势，8月份成为价格上涨的拐点。相比09年及其稳定的价格走势，今年的价格显得更加大起大落，8月份以前，价格月度环比指数一直保持大于1的态势，增长率在2季度大幅提高，指数值最大涨幅近10个百分点。8月之后，价格一路滑坡，一直到年底未见止跌趋势，价格整体水平恢复到今年的4、5月份左右。 由于手机市场、个人电脑和通讯市场的驱动，市场对电阻的需求持续强劲。每一个新手机可以使用400多个芯片电阻，而一个电脑则可以使用多达1000个。交货时间和价格将保持相对平稳，一些0201封装产品的交货时间和价格有小幅增加，供应商们正在增加产量。同时原材料上涨和市场缺货，电阻器价格逐月上升，指数在4月下旬突破100点之后，大幅攀升，从而出现8月份125点的高峰。  

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  • 芯片制造三巨头的次世代光刻技术战略异同分析

    台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头，不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言，在提供的产品方 面，Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务（至少从对外公布的路线图上看是这样），而相比之下，台积电的28nm制 程则有HKMG和传统的多晶硅栅+SION绝缘层两种工艺可供用户选择。另外，两者对待450mm技术的态度也不相同，台积电是450mm的积极推进者， 而Globalfoundries及其IBM制造技术联盟的伙伴们则对这项技术鲜有公开表态。不过我们今天分析讨论的重点则是其次世代光刻技术方面的战略异同。   资料图片：Mapper lithographics公司的E-beam tool   三家公司光刻技术策略的异同对比： Globalfoundries，台积电以及Intel三家在光刻技术方面的策略各有不同。其中台积电一直对无掩模的电子束直写技术最为热衷，但是他们最近对EUV技术的态度忽然变得热烈起来。而Intel则对EUV技术十分看重，将其视为下一代光刻技术的首选(Intel的EUV投入量产时间点大概也定在2015年左右），当然两家公司对电子束直写以及EUV也均有投入研究力量，但是侧重点则有所不同而已。相比之下，Globalfoundries则与台积电对比鲜明，他们对EUV技术显得非常热衷，不过他们对电子束直写的态度最近开始变得热烈起来。 传统的光刻技术领域，台积电主要使用ASML生产的光刻机，而Globalfoundries则脚踩ASML/尼康两只船。自从45nm节点起，Globalfoundries便一直在使用193nm液浸式光刻机，他们认为193nm液浸式光刻技术至少可以沿用到20nm节点。相比之下Intel则32nm节点起才开始使用193nm液浸式光刻机，此前使用的是193nm干式光刻技术，Intel曾经表示过准备把193nm液浸式光刻技术沿用到10nm节点。 Globalfoundries的次世代光刻技术攻略详述：20nm节点两种光刻技术可选？？ GlobalfoundriesEUV技术的热衷程度与台积电形成了鲜明的对比。去年Globalfoundries跳过ASML的预产型EUV光刻机，直接订购了ASML的量产型EUV设备。据Globalfoundries高管Harry Levinson介绍，他们计划在20nm节点为用户提供分别采用两种不同光刻技术的选择。 第一个选择是使用193nm液浸式光刻+双重成像技术（以下简称193i+DP）制造的20nm制程产品，另外一个选择则是使用EUV光刻技术制造的20nm制程产品。 据Harry Levinson表示，理论上讲，193i+DP的光刻速度相对较慢，成本也相对较高，不过EUV光刻技术则急需解决曝光功率，掩模方面的问题。 Globalfoundries的计划是2012年安装自己从ASML订购的量产型EUV光刻机，并于2014-2015年开始将EUV光刻技术投入量产。不过按照计划，Globalfoundries会在2013年推出基于22/20nm制程的芯片产品。这样推断下来，至少在Globalfoundries将EUV光刻机投入量产的2014年前，他们的20nm制程产品只能使用193i+DP技术来制造。 不过Levinson并没有透露20nm节点之后Globalfoundrie在量产用光刻技术的布局计划，但令人稍感意外的是，他们最近似乎开始热衷于研究电子束直写等无掩模型的光刻技术。对小尺寸晶圆以及ASIC即专用集成电路器件而言，无掩模技术显得更适合作为下一代光刻技术使用。 台积电的次世代光刻技术攻略详述：16nm节点还是未知数 与Globalfoundrie类似，台积电也在40nm节点开始使用193i光刻技术，台积电计划将这种技术沿用到28/20nm节点，至于16nm节点，台积电则表示还在评估193i+DP，EUV以及无掩模光刻这三种技术的优劣。  台积电过去对EUV技术的热乎劲一直不是很高，但是最近由于在无掩模光刻技术的研发上遇到一些困难，因此他们似乎又开始重视这种技术。台积电纳米成像部的副总裁林本坚表示：“台积电16nm制程节点会是EUV或者无掩模光刻技术的二选一。而最终哪项技术会胜出则取决于其‘可行性’。” 台积电不准备脚踏两只船，同时走EUV和无掩模技术两条路。他们曾一度大力支持无掩模技术的发展，并曾积极投资无掩模技术的设备厂商 Mapper Lithography，后者还曾在台积电的研究设施中安装了一台5KeV功率的110-beam电子束光刻设备，并使用这台机器成功造出了20nm制程级别的芯片。不过这台机器仍为“Alpha”试验型产品，不适合做量产使用。 但台积电最近在光刻战略上有了较大的转变，他们最近从ASML那里订购了一台试产型NXE:3100 EUV光刻机,这台光刻机将在今年早些时候安装到台积电的工厂中， 林本坚为此表示：“EUV技术的研发资金投入状况更好一些，不过我们担心研发成本问题。” 另外，台积电也对EUV在曝光功率方面的问题表示担忧。当然无掩模电子束光刻技术也碰上不少问题，比如如何解决数据量，产出量问题等。有人认为Mapper公司可能还需要再凑足3一美元左右的资金才可以开发出一台量产型的电子束直写设备。 那么台积电在16nm节点究竟会采用哪一种次世代光刻技术呢？这个问题目前还得不出明确的答案。不过如果从各项技术所获得的资源支持来看，EUV获选的可能性似乎是最大的。林本坚表示：“这就像是一场龟兔赛跑，而富有的一方则是那只兔子。”他还表示：“我们已经开始关注这个问题。”同时他还不无讽刺地表示，虽然市面上有许多研发无掩模光刻技术的厂商，但Globalfoundries目前还没有找到能够符合其要求的解决方案。  

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  • 美国印第安人抗议太阳能开发项目

    美国印第安人与联邦政府在大规模太阳能项目的建设上发生冲突，他们担心这些项目会有损于西部沙漠中的圣地和重要文化遗址。最近有两个印第安人组织提起诉讼，对六个拟议中的太阳能开发项目形成威胁——为扩大清洁能源的生产奥巴马政府已将其列为优先项目。其中一项诉讼已使南加州的一个太阳能转化场的工作陷于停顿。土地开发与法律专家表示，这两项诉讼标志着美国内政部与印第安人充满矛盾的历史关系进入一个新阶段。印第安人过去曾诉诸法律，抵制该机构所管辖的公共领土上的油气、采矿和其它能源开发项目。有关联邦官员声称，他们已向多家印第安人部落进行了咨询，确信这些大规模太阳能项目不会对任何历史遗迹造成损害，而且某些遗址不值得保护。

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  • 日本熊本县的太阳能产业发展“经”

    位于日本西部九州岛的熊本县人口约１８０万，是日本屈指可数的农业大县，现在又开始大力培育太阳能产业，力争成为日本的“太阳能先进县”，并取得不小进展。一个农业大县如何成为太阳能产业大县？记者日前在日本外国记者中心组织下，前往熊本县了解当地发展太阳能产业的情况。据熊本县知事办公室宣传科主任干事吉村始介绍，当地发展太阳能产业，要诀就是因地制宜。首先，虽然熊本县临海，但是熊本平原被群山环绕，属于盆地地形，所以更加接近内陆型气候，晴朗天气非常多，适宜发展太阳能发电。其次，在熊本县的工业中，半导体一直是龙头老大，熊本县大力发展太阳能发电产业，也是作为振兴半导体业的一个措施。早在２００６年７月，该县就建立了旨在促进“产官学合作”（企业、政府和研究机构合作）的“太阳能事业推进协议会”，致力于推进研究开发、培育人才、扶持地方太阳能发电产业等。这一年，熊本县还制定了“熊本太阳能产业振兴战略”，支持开发新的半导体技术用于太阳能发电。同时，努力在住宅、民间企业和公共设施普及太阳能发电设施。根据战略，熊本县大力推动太阳能电池企业到当地办厂。富士电机系统公司和本田太阳能发电系统公司两家大型太阳能电池厂家在熊本县的工厂分别在２００６年和２００７年投产，这起到了标杆效应，不少零件厂家和原材料厂家纷纷跟进，一些当地企业也开始与太阳能电池厂家进行合作。为了将太阳能发电产业建成熊本县的支柱产业，２００９年熊本县政府又建立了负责统筹规划的“熊本太阳能项目小组”。其基本方针就是发挥半导体相关企业的技术潜力，形成世界上少有的太阳能产业集聚地，并将太阳能产业培育为龙头产业，从而实现低碳发展和“环境立县”。项目小组采取的主要措施就是通过产官学合作开发下一代技术，建立以有机薄膜技术为核心的产官学合作技术基地，推进研究开发，培养人才。目前，项目小组主导的实验项目包括柔韧性太阳能电池利用方法实验、百万千瓦太阳能发电实验、新型太阳能电池和发光二极管实验等。此外，熊本县还将县内具备开发条件的与太阳能发电有关的３３处设施和企业认定为“熊本太阳能公园”，目的是吸引普通市民参观相关设施，普及太阳能发电知识，促进公众采用太阳能发电装置。同时，熊本县还对企业和住宅安装太阳能发电系统提供补贴，例如县内的天草市每千瓦补贴５万日元（１美元约合８１日元），上限为２０万日元。目前，通过一系列措施，熊本的太阳能产业取得了丰硕成果。熊本县境内已经聚集了２８家与太阳能电池有关的企业。住宅用太阳能发电系统普及率达到４．３１％，跃居全国第二位。截至２００９年度，在公共设施和民间企业已经设立了２６９处太阳能发电系统。而日本国内最大的太阳能发电厂也位于熊本县境内。

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  • 美方称新一代电子芯片将给军事电子市场带来革命性进展

    美国《防务新闻》周刊网站2月28日报道 原题：经过长时间研发，国防业有了高性能芯片(记者戴夫·马宗达) 美国国防工业及政府官员表示，新一代电子芯片将注定给军事电子市场带来革命性的变化。 美国国防部高级研究项目局负责微系统技术的副局长马克·罗斯克表示，基于氮化镓的电子芯片已经达到了一定程度的可靠性和产量。这种新一代芯片将在很大程度上取代昔日的砷化镓芯片，特别是在各种高性能的用途中。 他还指出，这种技术将会越来越成熟，甚至能最终帮助研制出功能更为强大的硬件。 来自克里、雷神等芯片制造商的业内官员表示，向新型芯片的过渡进程已经开始。 洛克希德-马丁公司采用这种新型芯片的雷达系统部负责研究项目的高级经理汤姆·麦内利斯认为：“氮化镓有望使芯片的价格更为合理、效率更高且系统性能更为强大。” 业内及政府官员表示，与砷化镓相比，这种新型技术将使芯片的生产成本、外形尺寸、功率及效率得到大大改进。氮化镓还可以具有比砷化镓材料高出7倍的热导率，这就意味着它的冷却要求较低，但可以具有更大的功率。 总的来说，氮化镓功率放大器对于手机电话基站、干扰发射台、战术射频、卫星通信站、配电系统以及军用雷达系统等高输出、高频率设备特别有用。 然而，对于手机及其他低功率用途的设备来说，砷化镓可能仍是最好的选择，因为这种材料在这个功率水平上性能表现非常出色。 雷神公司研究氮化镓技术的工程师柯林·惠兰认为，采用氮化镓材料的主动电子扫描相控阵雷达搜索能力相当于类似尺寸砷化镓雷达的5倍，或者说搜索范围可以扩大50%。甚至可以使雷达的尺寸缩小一半，但仍能具有更强大的性能。  

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  • 节能成为芯片厂商未来发展的重中之重

    最新一代的图形处理器集成了30亿个晶体管，耗能约为200瓦。这个数字确实令人印象深刻--迄今为止你可以想象人类的大脑就等同于一万亿个晶体管，耗能仅为20瓦，远远低于点亮一个电灯泡的能耗。 半导体制造商希望在他们应对行业中的最新挑战时能拥有这样令人羡慕的头脑：在能效上更进一步。这一直是芯片设计者关注的重点，但是当降低能耗的常用技术正在逐渐丧失他们的效率时就必须采取新的手段了。 美国加利福尼亚大学伯克利工程学院的教授简.若比本周在参加旧金山举行的固态电路大会时表示"在过去十年间我们所采用的技术正在逐渐失去它的作用"。这不是一种抽象的关系。能效的稳步提升是当下功能强大的计算机迅猛发展的主要助推器，特别是iPhone这样的移动设备，其电池的寿命是至关重要的。最大的收获来自"处理器体积的缩小"或者说向更新的制造工艺发展，可以让晶体管的体积越来越小。这种规则性的发展就是众所周知的摩尔定律，但是每一代处理制程能改进半导体每瓦的性能也是半导体行业追求的目标。 数字设备公司，Broadcom和苹果的前任芯片工程师DanDobberpuhl表示，制程工艺的进步理论上来说可以将能效提高三倍，但是目前的发展只能将能效提高1.4倍。 三星电子公司总裁Oh-HyunKwon之前曾经说过"低于30纳米的话，我们就必须采用新的材料和架构来降低晶体管的电压"。 工程师一直在采用其他的方法来降低能耗，比如控制电流的泄漏，但是得到的回报也在不断递减。就有参加固态电路大会的与会者提议要将未来处理器的能耗降低10倍。 TSMC公司的首席技术官杰克.桑表示，最新的处理器设计能解决部分问题。他们的选择是一种称之为FinFET的设计，在每个晶体管上使用多个门栅，另外一种设计叫做无缝晶体管。 研究人员在FinFET的研发上取得了巨大的进步，TSMC公司希望这种设计能用在未来的CMOS上，这也是半导体行业中的标准硅芯片制造流程。 桑和其他参加讨论的与会者还对称之为3D堆栈的包装技术充满了信心，这种设计是芯片位于彼此的顶端而不是并排的排列方式。这样就可以让芯片以更短的距离互联在一起，从而降低电子损耗。 不过这些技术中有很多依然处于研发阶段，如果他们无法与目前的CMOS制造设备相兼容，那么实施成本将比较昂贵。 STMicroelectronics公司负责研发的副总裁PhilippeMagarshack表示，还有一种方法可以解决这个问题。目前的芯片非常的不灵活，因此这些芯片无法与他们的环境完全适应。他提议了一种被他称作"感觉和反馈"的方法。 智能手机芯片的需求变化的非常广泛。芯片应该根据智能手机是打电话还是显示视频来调节他们的电压，时钟频率和其他的组件的高低。     Magarshack表示，目前是根据时钟门控和电压范围来实施的，但是如果每个组件-比如天线，接收器等等要同步设计才能做得更好。 解决方案就是系统只在需要的时候才消耗能量。使用我们目前的工具要想实现这一点是绝对不可能的。我们需要新一代的工具和方法。 Magarshack和桑都提议了一种称之为输入/输出体系结构的方法，可以允许多个组件来共享输入/输出设备。举例来说，一个动态随机存储器芯片可以被配置在基础处理器上，取代连续输入/输出执行的方式并行处理。 前任DEC工程师Dobberpuhl表示，最大的收获是来自于改进的运算法则和体系结构，包括更加高效的并行设计。 英特尔移动通讯公司的总裁Herman Eul表示，关键是通过类似处理器将功能转移为数字形式。数字电路缩小规模要更容易一些，他们可以被重新编译，从而一个单个的无线电收发器可以用于一部3G手机的所有五个频率波段，来替代目前所使用的五个独立的芯片。 "最具能效的晶体管是目前还没有出现的晶体管"Eul表示。总的来说与会的讨论者们看起来都比较乐观，或许只是因为半导体工程的进步已经突破了过去的许多障碍。"概括而言就是工程师们从来都不曾放弃"Eul强调说。  

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  • 解读中国集成电路产业新政

    为鼓励集成电路产业的发展，国务院于2000年制定发布的《鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策》（国发〔2000〕18号）（以下简称“18号文件”）。经过10年的发展，国内集成电路产业取得了有目共睹的快速发展，同时也还存在很大差距与诸多不足。为进一步加快集成电路这一国家战略性、基础性产业的发展，国务院于2011年1月28日正式发布了《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发〔2011〕4号）（以下简称 “4号文件”），对集成电路产业给予进一步鼓励与扶持。新政策的发布，将继续推动产业的投资与创新，中国集成电路产业将迎来新一轮快速发展期。 　　 4号文件从财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权以及市场等多个方面对软件与集成电路产业的发展给予了诸多优惠。具体来看，与18号文件进行比较，新的4号文件具有如下特点： 　　 1、政策扶持力度更大。4号文件明确提出，“继续实施国发18号文件明确的政策，相关政策与本政策不一致的，以本政策为准”，其中对集成电路产业的支持更由设计企业与生产企业延伸至封装、测试、设备、材料等产业链上下游企业，可见4号文件是18号文件的拓展与延伸。国家对集成电路产业的政策扶持力度更进一步增强。 　　 2、集成电路产业得到进一步强调。18号文件共计13章，其中专门集成电路产业的内容仅有1章（第十二章），其余均为软件方面内容。4号文件共计8章，各章内容对集成电路产业均有涉及。政策内容上，4号文件全文共34条，其中与集成电路产业有关的政策达到29条，18号文件全文中“软件”一词共计出现106次，“集成电路”一词仅出现24次，而在4号文件全文中，“软件”一词共出现82次，而“集成电路”一词出现频次已增加到61次。新政策中集成电路产业地位的提升由此可见一斑。 　　 3、更加注重解决企业实际经营中遇到的不便与困难。经过10年发展，国内集成电路产业从小到大，并新建立了众多集成电路企业。这些企业在几年的发展中，积累了一定经验，也在日常生产经营中遇到了不少与集成电路产业特点相关的实际问题。4号文件中对这些问题给予了针对性的解决办法。如项目建设中产生的短期内难以抵扣的增值税进项税额占用资金问题，集成电路设计企业进口料件的保税问题，软件企业和集成电路设计企业需要临时进口的自用设备的进口关税问题，质检、通关时长时间等待导致对集成电路相关设备、仪器造成不良影响的问题，以及文件给予的所得税优惠与其它优惠政策交*时如何处理的问题等等。 　　 4、对政策的落实工作十分重视。“落实难”是18号文件执行过程中遇到的突出问题。国家已充分意识到这一问题，并在4号文件突出强调政策的细化与落实。18号文件规定：“各地人民政府和国务院有关部门要根据《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》的要求，抓紧研究制定相应的实施细则和配套政策，尽快组织实施。”4号文件则进一步强调：“各地区、各有关部门要高度重视，加强组织领导和协调配合，抓紧制定实施细则和配套措施，切实抓好落实工作。发展改革委要会同有关部门及时跟踪了解政策执行情况，加强督促指导，确保取得实效”。新政策不仅强调要“高度重视”、“抓紧制定细则”、“切实落实”、“确保实效”，更明确了督促政策实施的具体部门，可说是极大的注重实效。 　　 分析4号文件对国内集成电路产业发展带来的积极意义，主要体现在以下几个方面： 　　 首先是坚定了产业发展的信心与决心。4号文件的发布，表明了国家重点发展集成电路产业的决心。这对于广大集成电路企业，以及计划进入集成电路产业的企业而言，无疑坚定了其发展的信心与决心。“信心比黄金还要宝贵”，这一点在18号文件颁布后的10年中已经得到充分显现。未来4号文件还将继续起到国家政策对产业发展的导向作用。 　　 其次是引起了各方的广泛关注与重视。4号文件本身已明确要求“各地区、各有关部门要高度重视”，未来集成电路产业无疑将继续作为各级政府优先发展的产业受到重点扶持。同时，通过政府部门、产业界、投资机构，以及新闻界对文件的宣传，“集成电路产业大有可为”这一信息将传递到社会各界。未来4号文件对于产业发展外部环境的进一步优化将起到积极作用， 　　 第三、也是最重要的，是给予了行业急需的优惠与扶持。 4号文件已经在财税、投融资、研发、进出口、人才、知识产权保护、市场等多个方面，对集成电路产业给予了多项行业急需的优惠与扶持。借鉴18号文件的经验，有关部委正在制定的实施细则中，将在此基础上给予更多细节上优惠。同时，未来各地方政府出台的相应地方性政策中，还将有更加细致、更加优惠的内容，4 号文件的对产业扶持的倍增作用不言而喻。  

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