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垂直 GaN 技术：在哪些领域会有重大的技术扩张机会？
垂直氮化镓设备能够达到更高的频率和操作在更高的电压，这应该导致新一代更有效的电力设备，现在的一些挑战，具体来说，你正在工作与横向氮化镓相比，有什么制造问题，问题降低成本?我想这很重要。所以，我们谈论的是学术上的垂直氮化镓，还是我们可以在市场上找到解决方案?
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Onsemi：使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献
为可再生能源提供动力以创造更美好的明天，因此，不仅是 GaN 和 SiC 等宽带隙半导体，还有围绕电力电子、智能电网、微电网、宏观电网、人工智能的多种技术，都将支持这种扩展。我们作为技术社区和工程师的责任是采取行动做某事，所以我们每个人都应该迈出第一步。因此，我们不仅对个人负责，而且对组织负责。那么阻碍零碳和低碳能源更广泛部署的关键技术瓶颈是什么?你认为生产太阳能电池板等的所谓稀有材料的竞争?
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GaN在能源和电力市场已经彻底改变了高功率应用
到目前为止，我们已经涉足能源和电力市场数十年，我们的目标确实是为专注于电力转换和储能应用的客户提供支持，例如交通运输、可再生能源、重型工业机械。我们一直在全球范围内这样做。所以我想说大约十年前，我们看到对更高效的电源解决方案和高功率密度以及小尺寸的需求在增加。所以这就是为什么我们一直专注于宽带半导体的早期阶段。我指的是氮化镓或 GaN 和碳化硅。这帮助我们走在了今天采用这些技术的前沿。
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聊一聊碳化硅，下一波SiC制造的供应链和成本
今天，我们就来聊一聊碳化硅，下一波SiC制造，供应链和成本。SiC 行业在许多市场都在增长。电动汽车市场正准备转向 SiC 逆变器，正如特斯拉已经做的那样。作为战略合作的一部分，梅赛德斯-奔驰已将 onsemi SiC 技术用于牵引逆变器。因此，SiC 器件的范围得到了广泛认可，并提供了传统 IGBT 的宽带隙替代品。
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意法半导体推出具超强散热能力的车规级表贴功率器件封装ACEPACK SMIT
2023 年 1 月 16日，中国——意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK™ SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK™ SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。
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碳化硅器件动态特性测试技术剖析
碳化硅功率器件作为新一代功率半导体器件，以其优异的特性获得了广泛的应用，同时也对其动态特性测试带来了挑战。
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飞虹微电子：功率器件客户对国产厂商质量要求更高
在工业级市场，实际上客户对国内厂商的品质要求往往比国外竞品更高。无论是采购，还是负责选型的工程师，选择主流进口品牌的产品都是风险最低的抉择。因为选择国产品牌，万一出问题，相关负责人要承担极大的问责。
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RS瑞森半导体之LLC方案设计有“理”可依
瑞森半导体照明方案利用LLC谐振电路工作原理构成PFC电路，实现高PF(可高达0.99）和低THD(小于10%）两个性能，节省APFC电路中所需要的芯片和PFC电感与MOS，极大减少了元件数量
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RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用
瑞森半导体提供不同功率的碳化硅二极管助力太阳能逆变器市场的发展
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RS瑞森半导体低压MOS在电动车控制器中的应用
瑞森半导体低压MOS-SGT产品，具有参数一致性高、抗冲击能力强等特点，为电动车驾乘提供有力保障
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提高功率器件动态参数测试效率的7个方法
本文介绍了提高功率器件动态参数测试效率的7个方法，希望能够帮助工程师快速完成测试、获得测试结果、提升工作效率、节约时间和精力。
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GaN 功率器件，E-模式 HEMT技术选择介绍和发展情况
最流行的 e-mode HEMT 结构是在栅极上使用 p-GaN 层。实现的典型 Vt 在 1-2 V 范围内。HEMT 在开关应用中的固有优势得以保留，并且开关损耗可以更低。e-mode 器件的主要缺点之一是其低 Vt，这可能导致栅极对噪声和 dV/dt 瞬态的抗扰度较差。出于可靠性原因，最大栅极电压通常限制为 6-7 V，并且可能需要负电压来关闭器件。
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.GaN 功率器件，D 模式 HEMT技术选择介绍
氮化镓 (GaN) 功率器件在几个关键性能指标上都优于硅 (Si)。具有低本征载流子浓度的宽带隙允许更高的临界电场，从而允许在更高的击穿电压下具有降低的特定导通电阻 (Rds on ) 的更薄的漂移层。导通损耗可以通过较低的 Rdson 降低，而动态损耗可以通过GaN可能的更小的裸片尺寸来降低. 当它与铝基异质结构结合时形成二维电子气 (2DEG) 的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件。
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RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用
多款低压MOS产品应用在九阳小家电上，瑞森半导体坚持“首件确认，始终如一”的原则，成为众多品牌的长期合作伙伴
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RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白
瑞森半导体研发出耐压更高、导通内阻更低的900V-1500V的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面
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英飞凌的新建工厂计划，扩大功率器件的产能
英飞凌扩展印度尼西亚后端站点以满足汽车 IC 需求 作为其长期投资战略的一部分，德国芯片制造商英飞凌科技表示，它计划扩大其在印度尼西亚巴淡岛的现有后端业务。预计将于 2024 年开始生产。
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高温对电气设备的影响分析，电气设备的热分析
有没有想过人们对电路过热引起的电涌引起的爆炸以及电器损坏甚至火灾的后果的反应?人们在身体、情感和心理上受到创伤的方式促使电力行业的专家将注意力集中在分析电力行为上。这样，可以防止此类损坏，如果可能的话，可以通过适当的热管理消除此类损坏。
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排名前 10 名开关和继电器-继电器器件
与开关一样，继电器也有多种形式，包括通用型、电源型、簧片型以及接触器，它们旨在处理非常高的电流和电压以及固态设备。
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钽电容器的优点和器件最新发展，钽电容产品操作指南
钽电容器为高密度、高性能电子电路的设计人员提供了性能稳定的可靠高电容解决方案。钽电容器历来深受设计工程师的喜爱，广泛用于大容量储能、滤波和去耦等应用。钽电容器技术的进步包括聚合物阴极系统的成熟，这带来了更低的有效串联电阻 (ESR)、封装密度的显着提高以及有效串联电感 (ESL) 的降低。在这里，我们将研究这些发展对绩效的影响。
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RS瑞森半导体在电动工具、锂电保护板上的应用
瑞森RS40N130G型号及低压MOSFET-SGT系列 在电动工具、锂电保护板上的应用
