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选择功率 MOSFET 的简单指南
鉴于现在可用的 MOSFET 可供选择的范围很广，并且分配给主板电源的空间越来越小，使用可靠、一致的方法来选择正确的 MOSFET 变得越来越重要。这种方法可以加快开发周期，同时优化特定应用的设计。
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如何在我们的项目中选择合适的 MOSFET 器件
随着为个人计算机 (PC) 应用中的核心 DC-DC 转换器开发的同步降压转换器的开关频率向 1MHz-2MHz 范围移动，MOSFET 损耗变得更高。由于大多数 CPU 需要更高的电流和更低的电压，这一事实变得更加复杂。当我们添加其他控制损耗机制的参数(如电源输入电压和栅极驱动电压)时，我们需要处理更复杂的现象。但这还不是全部，我们还有可能导致损耗显着恶化并因此降低功率转换效率 (ξ) 的次要影响。
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关于氮化镓实际使用的热管理方面讨论
所以，我想说这个概念是完全可扩展的。因此，我们可以为低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或为高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通过简单地重塑设计，它可以扩展到低电压，但这个概念是成立的。这就是我们基本上认为我们已经实现了最初目标的方式。
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多层外延工艺超结MOS在电源中的应用
瑞森超结mos对标英飞凌产品性能，看其在电源中的应用
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英领物联 | 成为“功率器件”的大满贯选手
从碳达峰到碳中和，无疑是需要付出艰苦努力的。对于半导体行业从业者们来说，则意味着一系列与新能源、电子转换、节电相关的技术产品需求会在未来几年内迅速升温。我们有理由相信，面对浩瀚如海洋星辰的物联网产业，通过持续的材料、技术与应用创新，英飞凌将为产业带来更多低碳、高效的互联解决方案。
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我们如何看待未来几年的 GaN?
我们如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了碳化硅。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供更好的价值呢?我们期望在哪里看到下一波增长?
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氮化镓技术讨论，第二部分
目前有几个 GaN 器件概念。那么你能告诉我哪些是主要的，从设计的角度来看你的发展方向是什么? 所以我想说有很多概念，远不止两个，但不知何故，我们可以谈论极端：所谓的Cascode GaN和所谓的增强模式GaN。由于我的第一家公司，级联 GaN 实际上是第一个诞生的。当功率 GaN 研究的先驱 International Rectifier 首次开始开发基于级联的 GaN 解决方案时，我就在那里。
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氮化镓技术讨论，第一部分
氮化镓提高了功率转换级的效率。GaN 很有吸引力，因为它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量和更便宜的总成本。在剑桥 GaN 器件业务开发副总裁 Andrea Bricconi 的讨论中，我们将分析这个宽带隙生态系统的最新技术，这些技术将推动下一步的改进。
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分析SiC器件的成本竞争力，第四部分
目前SiC在成本方面，以及 150 毫米直径的基板或 200 毫米。因此，展望未来，重点将放在开发用于扩大碳化硅器件应用的技术上。有分析认为，未来未来，碳化硅解决方案将占据电力电子市场的很大一部分，很大一部分，可以说是电动汽车。那么，我们如何看待它和降低成本的技术对于实现这些市场渗透尤为重要。那么，高价格背后的原因是什么，以及可以采取哪些措施来为下一个市场未来降低价格?
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分析SiC器件的成本竞争力，第二部分
如我们所知，目前增长最快的碳化硅产品是二极管和 MOSFET。主要碳化硅生产商最近发布的新闻稿强调了一些为电动汽车提供模块的长期合同。
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分析SiC器件的成本竞争力，第一部分
在多个能源行业中，碳化硅 (SiC) 行业正在扩展以提供高效，而碳化硅 (SiC) 正在多个能源行业扩展以提供极其高效和紧凑的解决方案。由于碳化硅在电动汽车和新能源等领域的重要性，许多公司正在评估和投资晶圆技术。在华威大学 SiC 功率器件教授兼 PGC 咨询公司创始人 Peter Gammon 的访谈中，我们将探讨 SiC 的成本和技术。
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封装、集成和快速切换：已经取得了什么成就，下一步发展是什么？
今天，由于该领域众多公司的研究，功率器件已达到极高的效率水平。优异的成绩是由于不同电子和物理部门的协同作用，它们结合在一起，可以达到最高水平。让我们看看功率器件的封装和集成如何实现非常高的效率，尤其是在高开关速度下，从而积极利用所有可用功率。
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GaN FET：发烧友的首选技术
从智能设备充电器等低功率、低成本应用一直到高功率汽车应用，氮化镓 FET 正成为许多产品的广泛首选。大多数情况下，设计人员对 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。
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泰克先进半导体开放实验室在北京盛情开幕，提供一站式、全方位测试服务
这是全国首个企业级第三代半导体功率器件测试服务实验室！
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GaN半桥电源集成电路最大限度地提高性能，降低成本
氮化镓是一种具有较大带隙的下一代半导体技术，已成为精密电力电子学发展的关键。它比硅快20×，可以提供高达3×的功率或充电，其尺寸和重量是硅器件的一半。
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GaN HEMT：一些器件特性和应用权衡，第二部分
在电机驱动应用中，功率器件需要承受过载或故障条件，这些条件会造成器件处于高电压和高电流导通状态且器件处于饱和状态。高温会导致灾难性的破坏。功率器件及其栅极驱动器需要协同工作才能关闭器件，之前将 1us 视为正常响应时间。几项关于 GaN HEMT 的研究报告了更短的 SCWT 时间，这被认为是来自高电流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。随着 Vds 升高，SCWT 急剧下降，许多研究表明 Vds ≥ 400V 时小于 500ns。
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博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局
以高性能GaN器件应对能源管理挑战！
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GaN HEMT：一些器件特性和应用权衡，第一部分
GaN HEMT 器件处于创造新机会以及在广泛的功率转换和功率传输应用中取代现有的硅基设计的最前沿。在本文中，我们将回顾一些更广泛使用的 HEMT 的一些关键器件特性，并尝试强调每个方面的一些权衡。
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第五部分
我的最后一个问题是关于展望未来：您如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了一些关于碳化硅的事情。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的价值?我们期望在哪里看到下一波增长?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第四部分
现在讨论的一个主题是器件的热管理方面，而宽带隙半导体、氮化镓，但不仅是碳化硅解决方案，承诺更高的工作温度和更高的效率。如您所知，在将这些设备设计到系统中时，设计人员还需要考虑热管理问题。那么，您的技术战略是什么，您如何看待随着功率密度的增加而对工艺和封装技术的未来发展产生影响的热管理需求?
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