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英飞凌将为Rivian的R2平台供应用于电动汽车牵引逆变器的功率模块
【2025年6月10日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将为Rivian的R2平台提供适用于牵引逆变器的功率模块。R2平台将使用英飞凌HybridPACK™ Drive G2产品系列的碳化硅（SiC）和硅（Si）模块。英飞凌预计将从2026年开始供货。此外，英飞凌还将为该平台提供其他产品，包括AURIX™ TC3x微控制器和电源管理IC。
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英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK™ CoolGaN™ 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
【2025年5月15日, 德国慕尼黑讯】随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。
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舍弗勒推出创新型高压PCB嵌入式功率模块
舍弗勒推出高压嵌入式功率模块，可适配新能源汽车800V平台应用 得益于创新的PCB嵌入式封装技术，该产品具有低损耗、高集成度、高效耐用等特点 计划于2026年在舍弗勒天津基地实现量产 舍弗勒致力于电气化发展，通过持续创新不断拓展产品矩阵，为客户创造价值 上...
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英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能AI数据中心垂直供电
【2025年3月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS™ TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞凌一贯的稳健性，为AI数据中心运营商实现业界领先的功率密度，降低总体拥有成本（TCO）。
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功率模块有哪些作用？功率模块和功率IC如何区分
在下述的内容中，小编将会对功率模块的相关消息予以报道，如果x是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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功率模块工作流程是怎样的？与功率集成电路有什么区别
一直以来，功率模块都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来功率模块的相关介绍，详细内容请看下文。
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逆变电源为什么大多采用正弦波脉宽调制(SPWM)技术
逆变主电路采用的智能功率模块不仅使电路结构简单，而且使得出现的浪涌电压、门极振荡、噪声引起的干扰等问题能有效得到控制。
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英飞凌推出超高电流密度功率模块，助力高性能AI计算
【2024年11月5日, 德国慕尼黑讯】数据中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推动下，预计到2030年，这一数字将增长到7%左右，相当于整个印度目前的能耗。实现从电网到核心的高效功率转换对于实现卓越的功率密度至关重要，从而在降低总拥有成本（TCO）的同时提高计算性能。因此，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）将推出TDM2354xD和TDM2354xT双相电源模块，具有出色的功率密度，适用于高性能AI数据中心。这些模块实现了真正的垂直功率传输（VPD），并提供了业界领先的电流密度1.6A/mm2。英飞凌在今年早些时候还推出了TDM2254xD双相功率模块。
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安森美发布升级版功率模块，助力太阳能发电和储能的发展
硅与碳化硅混合解决方案在减少尺寸的同时，将输出功率提高了15%
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大面积烧结高性能功率模块封装技术
传统上，硅功率器件(如IGBT或MOSFET)被焊接到金属陶瓷基板上，使用铝线键合作为互连技术，并使用焊膏或导热硅脂将功率模块连接到底板或冷却器。这种结构如图1(左)所示。
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借助智能功率模块系列提高白色家电的能效
CIPOS™ Mini IM523系列是一个全新的智能功率模块(IPM)系列，这些产品采用完全隔离的双列直插式封装，通过集成第二代逆导型IGBT，可以实现更高的电流密度和系统能效。IM523智能功率模块具有一个带自举功能的集成式绝缘体上硅栅极驱动器和一个可向控制器提供模拟反馈信号的温度监测器，从而最大限度地减少了对外部元件的需求。得益于这些特性，这个新的IPM系列的产品堪称冰箱和洗衣机等家用电器所使用的变频系统的完美搭档。
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英飞凌携手上能电气， 共绘储能新篇章
【2024年6月5日，中国上海讯】近日，英飞凌宣布与上能电气股份有限公司达成合作，为上能电气提供业界领先的1200V EconoDUAL™ 3功率模块，用于2MW集中式储能应用。 得益于英飞凌最新的TRENCHSTOP™ IGBT7技术，1200V EconoDUAL™ 3功率模块可助力上能电气提升功率密度，简化系统设计，进一步提升产品的市场竞争力。
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TDK 针对表面温度测量应用推出坚固耐用的 SMT NTC 传感器
该传感器能与测量表面实现出色的热耦合，结合了高耐湿性和快速响应的特点，并且适合恶劣工况应用，温度范围 为-40 °C 至+150 °C，防水时间长达 500 小时。此外，传感器采用氧化铝陶瓷表面，耐电压高达 2500 V AC(60 秒)。
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英飞凌推出高密度功率模块，为AI数据中心提供基准性能，降低总体拥有成本
【2024年3月1日，德国慕尼黑和加利福尼亚州长滩讯】人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长，促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本(TCO)。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构，通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率，在满足AI GPU(图形处理器单元)平台高功率需求的同时，显著降低总体拥有成本。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模块，助力降低供暖和制冷能耗
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用，能实现更高能效和更佳性能
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意法半导体车规双列直插碳化硅功率模块提供多功能封装配置
2023 年 10 月 30日，中国– 意法半导体发布了ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
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意法半导体SiC技术助力博格华纳Viper功率模块设计，为沃尔沃下一代电动汽车赋能
2023年9月7日，中国 - 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)将与提供创新和可持续移动解决方案的全球领导者博格华纳公司(纽约证券交易所股票代码：BWA)合作，为博格华纳专有的基于 Viper 功率模块提供意法半导体最新的第三代 750V 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 芯片。博格华纳将使用该功率模块为沃尔沃现有和未来的多款电动车型设计电驱逆变器平台。
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Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器
SCALE-2技术将流行的100mmx140mm IGBT和SiC半桥功率模块的均流能力提高了20%
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赛米控丹佛斯推出配备罗姆 1200V IGBT的功率模块
赛米控丹佛斯与罗姆在IGBT多源供应方面进一步加强合作
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。
