业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ
时间：2015-09-07 21:40:22
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[导读] SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基MOSFET技术，扩大了终端系统的功率范围，在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on)，大大减小了热管理系统的尺寸，很好地解决了散热及显著降额的问题。与目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平台为电源转换设计者提供了更多的创新空间，方便实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源设计方案。这也是新一代电力转换系统与硅成本平价的解决方案。
图 基于900V SiC MOSFET平台的C3M0065090J
世强代理的C3M0065090J，是该平台的主导产品，其额定工作电压/电流分别为900V/32A；在25°C条件下，可以实现最低至65 mΩ的额定导通电阻，在更高温度(Tj=150°C)工作时，导通电阻Rds(ON)也只有90mΩ，减少了系统的冷却需求。另外，该产品不仅拥有业界标准的TO247-3/TO220-3封装，还能够提供低阻抗D2Pak-7L表面贴封装，采用了开尔文(Kelvin)连接以帮助减小栅极振荡。C3M0065090J适合用于包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统、三相工业电源、高电压直流/直流转换器、关模式电源在内的高频电力电子应用。
C3M0065090J的功能与特点：
采用卓越的C3M SiC Mosfet平面技术，n沟道增强型场效应晶体管技术；
高阻断电压、高开关频率、高功率密度；
应用快速体二极管，反向恢复时间短；
额定电压/电流值为900V/32A，额定导通电阻最低至65mΩ(25°C)、90mΩ（Tj=150°C）；
标准TO247-3/TO220-3封装和低阻抗D2Pak-7L表面贴封装；
无卤素、通过无铅认证；
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