台积电与汉辰正积极研发新制程与设备技术。由于半导体进入10奈米制程世代后,电晶体的微缩将面临物理极限,亟需新的材料、制程与设备加以克服;因此台积电与汉辰皆已针对未来可望取代矽的锗和三五族元素,分别投入发
晶圆代工厂台积电与联电节水成效佳,估计两公司1年节省的制程水水量约2个宝二水库。全台水情吃紧,包括新北市林口区、桃园县及高雄地区已陆续实施第一阶段离峰时段减压限水措施;台湾科技产业重镇新竹地区水情预警灯
晶圆代工厂台积电与联电节水成效佳,估计两公司1年节省的制程水水量约2个宝二水库。 全台水情吃紧,包括新北市林口区、桃园县及高雄地区已陆续实施第一阶段离峰时段减压限水措施;台湾科技产业重镇新竹地区水情预
据悉,极特先进科技公司(GTAdvancedTechnologies)(NASDAQ:GTAT)与Soitec(NYSEEuronext:SOI)宣布一项开发及授权合约,根据该协议,GT将开发、生产和商品化大容量多晶圆HVPE系统。这套HVPE系统将用于生产LED或其他高成
中芯国际去年由亏转盈,净利润2,280万美元,2011年还亏损2.46亿美元。受到整体晶圆付运数量增长带动,去年销售额成长将近三成,毛利率也因产能利用率与生产效率改善大幅提升12.8个百分点至20.5%。 根据HIS iSuppl
晶圆代工厂台积电与联电节水成效佳,估计两公司1年节省的制程水水量约2个宝二水库。 全台水情吃紧,包括新北市林口区、桃园县及高雄地区已陆续实施第一阶段离峰时段减压限水措施;台湾科技产业重镇新竹地区水情预
盛美半导体设备(上海)有限公司日前在 Semicon China上宣布了2013年第一季度一举获得两台单片背面清洗机订单,分别来自上海华虹 NEC 电子有限公司以及中科院微电子所。这两台背面清洗机的订单,反映了盛美在技术上不断
大和证券出具报告表示,台积电(2330-TW)市场竞争将进入新战局,预估第2季营季增5%成放缓,在格罗方德和联电28奈米良率预估分别达70%、40%下,28奈米制程兴起将使晶圆价格将更竞争,预估今年营收为年增13%,较市场预期
大和证券出具报告表示,台积电(2330-TW)市场竞争将进入新战局,预估第2季营季增5%成放缓,在格罗方德和联电28奈米良率预估分别达70%、40%下,28奈米制程兴起将使晶圆价格将更竞争,预估今年营收为年增13%,较市场预期
全球第2大矽晶圆厂商SUMCO Corp. 8日于日股收盘后公布上年度(2012年度;2012年2月-2013年1月)财报:在智慧型手机、平板电脑需求支撑下,带动半导体用12寸矽晶圆需求呈现增长,加上退出太阳能矽晶圆事业并彻底进行
台积电(2330-TW)(US-TSM)、联电(2303-TW)(US-UMC)、世界先进(5347-TW)今(8)日同步公布2013年2月自结营收报告。因工作天数减少,台积电、世界2月业绩同步下滑逾13%,联电则在初步纳入和舰科技后月减约7.6%。 台积电
Central Semiconductor(中文名:美国中央半导体),与时俱进的分立半导体日前携其创新的解决方案亮相于IIC China 2013。该厂商一贯承诺,无论需要增强性能,还是空间受限,或者需要定制元件,美国中央半导体公司均有
法人表示,封测大厂日月光(2311)第1季28nm高阶封装量占整体封装出货比重,可超过5%。观察日月光第1季高阶制程封测出货表现,法人表示,28nm手机晶片台系客户第1季新产品出货量不大,另外,美系手机晶片大厂第1季28nm
法人表示,封测大厂日月光(2311)第1季28奈米高阶封装量占整体封装出货比重,可超过5%。 观察日月光第1季高阶制程封测出货表现,法人表示,28奈米手机晶片台系客户第1季新产品出货量不大,另外,美系手机晶片大厂第
飞思卡尔半导体正在筹划下一个单片机市场爆发点,那就是物联网。据最新消息,飞思卡尔发布了业界超小型32位MCU KL02,该产品仅为1.9mm*2.0mm封装面积,采用Chip-Scale晶圆级封装技术。该产品拥有48MHz ARM Cortex-M0
英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月,从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS家族产品,得到了第一批客户的首肯。从始至终,基于这项新技术的生
英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月,从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS家族产品,得到了第一批客户的首肯。从始至终,基于这项新技术的生
半导体业界认为,阿尔特拉与台积电独家合作关系将从14纳米划上句点,意味IC设计业者寻求多重晶圆代工来源,借以分散出货风险,台积电不容易再有独吃客户订单的局面,要维持晶圆代工一哥角色,挑战加剧。 近年来行
英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月,从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS家族产品,得到了第一批客户的首肯。从始至终,基于这项新技术的生
21ic讯 英飞凌科技股份公司已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月,从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS™家族产品,得到了第一批客户的首肯。从始至终,基于