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冲刺28nm/FinFET研发 晶圆厂资本支出创新高
为争抢先进制程商机大饼，包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂，下半年均将扩大资本设备支出，持续扩充28奈米制程产能;与此同时，受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激，各大晶圆厂也不断加码技术投资，将驱动整体晶
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冲刺28nm/FinFET研发 晶圆厂资本支出创新高
为争抢先进制程商机大饼，包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂，下半年均将扩大资本设备支出，持续扩充28奈米制程产能;与此同时，受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激，各大晶圆厂也不断加码技术投资，将驱动整体晶
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争抢先进制程商机 晶圆厂加大投资冲刺28nm/FinFET研发
为争抢先进制程商机大饼，包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂，下半年均将扩大资本设备支出，持续扩充28奈米制程产能;与此同时，受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激，各大晶圆厂也不断加码技术投资，将驱动整体晶
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Cadence和格罗方德合作改进20及14纳米节点DFM签收
益华电脑(Cadence Design Systems)宣布，晶圆代工业者格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIES)与该公司合作，为20nm与14nm制程提供样式分析资料。GLOBALFOUNDRIES运用Cadence样式分类(Pattern Classification)与样式比对(Pa
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冲刺28nm/FinFET研发 晶圆厂资本支出创新高
为争抢先进制程商机大饼，包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂，下半年均将扩大资本设备支出，持续扩充28奈米制程产能；与此同时，受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激，各大晶圆厂也不断加码技术投资，将驱动整体
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联电近五季营运表现概况
晶圆代工厂联电（2303）昨（8）日举行法说，第1季税后纯益65.9亿元，创近十季来新高，每股税后纯益（EPS）0.52元，其中，业外获利有60亿元来自收购和舰的附加商业价值利益回冲。法人预期，这意味着联电当初购买和舰的
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联电近五季营运表现概况
晶圆代工厂联电（2303）昨（8）日举行法说，第1季税后纯益65.9亿元，创近十季来新高，每股税后纯益（EPS）0.52元，其中，业外获利有60亿元来自收购和舰的附加商业价值利益回冲。 法人预期，这意味着联电当初购买和
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益华电脑/格罗方德合作改善20/14奈米制程
益华电脑宣布，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)与益华电脑合作，为20与14奈米(nm)制程提供样式分析资料。格罗方德运用益华电脑样式分类(Pattern Classification)与样式比对(Pattern Matching)解决方案，因为使用者能够使可
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四强时代到来 全球代工竞争格局将更复杂化
台积电与英特尔以前是“河水不犯井水”，但是随着英特尔开始接受Altera的14nmFPGA订单，两大半导体巨头开始出现较为明显的碰撞。而另一家代工厂格罗方德近日也宣布要在两年内在工艺制程方面赶上台积电。这
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联电 世界 Q2产能近满载
台积电（2330）日前法说释出第2季季增最高17.5%佳音，优于外界预期，本周将举行「2013台湾技术论坛」，再成业界焦点，另世界先进（5347）及联电（2303）本周将接棒举行法说，市场预期，世界先进及联电第2季产能利用率
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联电 世界 Q2产能近满载
【萧文康╱台北报导】台积电（2330）日前法说释出第2季季增最高17.5%佳音，优于外界预期，本周将举行「2013台湾技术论坛」，再成业界焦点，另世界先进（5347）及联电（2303）本周将接棒举行法说，市场预期，世界先进
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GLOBALFOUNDRIES发豪语 2015年量产10奈米
先进制程晶圆代工市场战火愈演愈烈。继台积电宣布将分别于2015、2017年推出16和10奈米鳍式电晶体(FinFET)制程后，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出将超前台积电1年，于2014年导入14奈米量产，并将发挥FinFET专利
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英飞凌与格罗方德共同开发40nm嵌入式Flash制程
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製
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英飞凌与格罗方德共同开发40nm嵌入式Flash制程
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製
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GLOBALFOUNDRIES发豪语 2015年量产10奈米
先进制程晶圆代工市场战火愈演愈烈。继台积电宣布将分别于2015、2017年推出16和10奈米鳍式电晶体(FinFET)制程后，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出将超前台积电1年，于2014年导入14奈米量产，并将发挥FinFET专利
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超越台积电 格罗方德称2015推出10纳米晶圆
OFweek电子工程网讯：晶圆代工厂格罗方德（Globalfoundries）技术长苏比（Subi Kengeri）日前来台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2
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降低先进制程风险 Foundry 2.0营运模式兴起
晶圆代工市场将出现新的Foundry 2.0经营模式。由于先进制程投资剧增，经营风险愈来愈大，传统专业晶圆代工厂或整合元件制造商(IDM)的营运方式均备受挑战；因此已有晶圆代工业者开始推行可兼顾两者运作优点的Foundry
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超越台积电 格罗方德称2015推出10纳米晶圆
晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
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超越台积电 格罗方德称2015推出10纳米晶圆
晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
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超越台积电 格罗方德称2015推出10纳米晶圆
—— 比英特尔2016年投入研发还领先一年 晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两
