[导读]先进制程晶圆代工市场战火愈演愈烈。继台积电宣布将分别于2015、2017年推出16和10奈米鳍式电晶体(FinFET)制程后,格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出将超前台积电1年,于2014年导入14奈米量产,并将发挥FinFET专利
先进制程晶圆代工市场战火愈演愈烈。继台积电宣布将分别于2015、2017年推出16和10奈米鳍式电晶体(FinFET)制程后,格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出将超前台积电1年,于2014年导入14奈米量产,并将发挥FinFET专利数量优势,于2015年抢先进入10奈米世代,让双方竞争更趋白热化。
格罗方德先进技术架构副总裁SubramaniKengeri表示,格罗方德自尚未从超微(AMD)分割出来前,就已与IBM紧密合作开发FinFET制程、材料与设备技术,至今已累积超过10年丰富经验,同时也掌握全球现有70%专利,因此可望领先群伦在2014年推出14奈米FinFET晶圆前段闸极制程加20奈米后段金属拉线制程的混搭方案。
因应上述混搭方案发展,该公司亦将在今年下半年推出20奈米高介电系数金属闸极(HKMG)制程,一方面增强与台积电在市场上竞争的实力,另一方面也能藉优化20奈米产线的经验,加速提升14/20奈米混搭制程良率。Kengeri指出,格罗方德几乎与英特尔(Intel)在同一时间投入发展FinFET,加上后续又与IBM、三星(Samsung)组成策略联盟并产出大量专利,所以能紧追英特尔之后,成为第一个克服FinFET商用量产桎梏的晶圆代工业者。
不仅如此,格罗方德亦正紧锣密鼓研拟第二代FinFET电晶体架构,以及10奈米制程所需的三重曝光(Triple-patterning)技术,从而在晶圆前后段制程均实现FinFET架构,更进一步增强产品效能并缩减尺寸及功耗,预计2015年即可进入量产。
据悉,晶圆代工厂从传统SiON/Poly,或目前28/20奈米主流HKMG制程转换至FinFET,将面临电晶体架构验证、矽智财(IP)设计,以及蚀刻、曝光等设备开发问题,必须仰赖长久的研发投资与技术优化,才能取得关键制程参数,并顺利导入商用。
Kengeri强调,格罗方德目前已拥有不少28奈米投片案,在晶圆代工市场上坐二望一;同时因最早投入FinFET开发,经年积累下来的Know-how,不是其他业者短期内扩增研发预算或设备投资就能迎头赶上;因此,未来将可在市场上扩大竞争优势。
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