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高功率密度设计：如何通过平面变压器与3D封装将适配器体积缩小50%？
消费电子与工业设备对电源适配器提出“更小、更强、更高效”需求，高功率密度设计已成为电源技术演进的核心命题。通过平面变压器与3D封装技术的协同创新，适配器体积可从传统方案的200cm³压缩至100cm³以内，实现50%的体积缩减。这一突破源于对电磁转换原理的深度重构、空间利用率的革命性提升，以及热管理技术的系统性优化。
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全国产3D封装，天成先进携“九重”三维集成技术体系亮相Elexcon2025
随着半导体行业迈向后摩尔时代，先进封装技术正成为推动芯片性能提升和产业创新的核心驱动力。在晶体管微缩逐渐逼近物理极限的背景下，先进封装通过异构集成、3D堆叠和高密度互连等技术，突破传统封装的瓶颈，实现更高性能、更低功耗和更小尺寸的芯片设计。
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高功率密度AC-DC设计，平面变压器与3D封装技术的热应力分析
在数据中心、通信基站等高可靠性场景中，AC-DC电源模块的功率密度突破已成为技术演进的核心命题。以金升阳LOF550系列为例，其23W/in³的功率密度与94%的转换效率，标志着平面变压器与3D封装技术的深度融合。然而，这种集成化设计在提升能效的同时，也带来了热应力分布失衡、材料界面失效等可靠性挑战。本文将从技术原理、热应力成因及优化策略三个维度，解析高功率密度AC-DC电源设计的关键路径。
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亿铸科技熊大鹏博士荣登2023百大科创家榜
该榜单是36氪首次面向“中国科学家、研究者、工程师 、产业专家”群体展开广泛征集和调研，围绕基础创新方向、学术级别、期刊级别、专利级别、商业模式、融资情况、财务情况等多维度进行严格地量化评估，选拔出100位极具创新力、发展潜力和市场影响力的科创企业家，他们或将成为引领时代发展的科研领军人物。
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密度提升10倍，Intel展示新一代3D封装技术
据业内消息，近日Intel在业内知名的IEDM大会公布了多项研究成果，其中有可将密度再提升10倍的3D封装技术。
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3D封装模型在PCB设计中有什么作用跟好处？
几乎一直到DXP甚至后来的AD时代，3D封装模型技术才开始慢慢日趋成熟，自此3D封装的发展完美的解决了这个问题，3D封装能够让我们在设计之前就能够看到真实的3D模型，很多器件空间比如长宽高，甚至在一些中空的地方下面摆一些东西，可以直观的知道有没有空间干涉问题。准确的3D模型，可以用于在真实的3D中进行电路板布局。通过对PCB设计的3D图形化，能够以3D的形式检查设计的内外各个方面。
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7nm 600亿晶体管中国芯 首颗国产“3D封装”研发成功
据悉，中国已研发出首颗“3D封装”芯片，这意味着中国首颗7nm芯片诞生!所谓的“3D封装”芯片，此前泛指台积电生产技术，据相关数据显示，“3D封装”芯片突破了7nm工艺极限，集成了600亿晶体管。
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台积电近几年获得了苹果A系列芯片和M系列芯片的全部代工订单
在很多网友的心目中，要提升芯片性能，就要推动芯片工艺的进步，比如从7nm到5nm，再到3nm，再到2nm。而过去的这些年，芯片厂商、晶圆厂商都是这么教育市场、教育消费者的，手机芯片、电脑从10nmn进步到7nm。
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3D封装技术简介
3D晶圆级封装，英文简称(WLP)，包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括：多功能、高效能;大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。
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3D封装技术
3D晶圆级封装，英文简称(WLP)，包括CIS发射器、MEMS封装、标准器件封装。是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。主要特点包括：多功能、高效能;大容量高密度，单位体积上的功能及应用成倍提升以及低成本。
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3D封装与LED封装技术
由于电子整机和系统在航空、航天、计算机等领域对小型化、轻型化、薄型化等高密度组装要求的不断提高，在MCM的基础上，对于有限的面积，电子组装必然在二维组装的基础上向z方向发展，这就是所谓的三维(3D)封装技术。
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手把手教你从网上白嫖PCB 3D封装库
▼点击下方名片，关注公众号▼推荐一个常用的PCB3D封装下载网站。https://www.3dcontentcentral.cn/Default.aspx打开界面如下图所示：接下来我们以0603封装的电阻为例讲解。首先在搜索栏中输入0603，即可出现0603的电阻，如下图所示。点...
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手把手教你从网上白嫖PCB 3D封装库
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【干货分享】一大波3D封装免费送给大家！
一大波3D模型来袭 2017年11月分享了618个3D模型，分为3组，一个为常用元件的封装库，第二个为插座封装，第三个为排针座。今天再分享一波，貌似在上次的基础上，又增加了不少新的，包括电阻，电容，晶体管、端子、模块、传感器、晶振、芯片等等，两次加起来的
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提升10倍内存带宽！AMD展示新一代X3D封装技术
2015年代号为Fiji的AMD Fury X显卡发布，代表着HBM显存第一次进入大众视野。将传统传统的2D显存引向立体空间，通过堆叠，单个DIE可以做到8GB容量，位宽也高达1024bit。相比之下
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酷睿i5-L16G7：Intel 3D封装5核心处理器Lakefield首款型号现身
一年多前的CES 2019大展上，Intel正式公布了Foveros 3D立体封装技术，首款产品代号Lakefield，整合22nm工艺的基底层和10nm的计算层，将用于微软Surface Duo双屏
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英特尔全新的先进封装技术
为了更好地面向以数据为中心的、更加多元化的计算时代，英特尔围绕自身在半导体技术和相关应用方面的能力提出了构建“以数据为中心”战略的六大技术支柱，即：制程和封装、架构、内存和存储、互连、安全、软件。而制程和封装作为六大技术支柱的首个要素，实际上对其他五大要素来说是重要的核心，也是其他技术支柱发展的重要基础。封装不仅仅是芯片制造过程的最后一步，它也正在成为芯片产品性能提升、跨架构跨平台、功能创新的催化剂。
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从Agilex FPGA看英特尔六大支柱如何重新定义产品设计新模式
两个月前，也就是曾经的FPGA巨头Altera被英特尔收购的4年之后，英特尔推出了“全面借助自身能力”开发的新一代FPGA产品——Agilex。
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Molex MediSpec MID/LDS利用先进紧凑式3D封装
适用于高密度医疗器械的集成式小螺距21ic讯 Molex 公司首次发布MediSpec™ 成型互连设备/激光直接成型 (MID/LDS) 产品，满足创新性的 3D 技术的开发要求，将先进的 MID 技术与 LDS 天线的专业知识结合到一起，
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IBM与3M研发3D半导体粘接材料，3D封装铸就“硅片大厦”
【导读】近日3M公司和IBM公司宣布将共同研发一种新的粘接材料，用来把半导体封装成密集的叠层硅片“塔”(towers)。两家公司的目标是创制一种新型的材料。有了它，就可以史无前例地用100片独立硅片组合成商用微处理器
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