前言作为DDR2的继任者,根据JEDEC标准, 目前DDR3的数据速率跨度从800Mbps开始直至1.6Gbps。在带给用户更快性能体验的同时, DDR3却能保持较低的功耗,相比DDR2减少约20%。虽然2008年整个DRAM市场低迷,DDR3的出货量远
台湾内存公司(TMC)成立过程峰回路转,力成董事长蔡笃恭对TMC持中立态度,如果政府觉得DRAM产业重要,就该救,只是如何救变成见仁见智。蔡笃恭认为,台面上的DRAM厂应想办法以整合方式存活下来,一旦DRAM厂倒闭归零,
台湾内存公司(TMC)成立过程峰回路转,力成董事长蔡笃恭对TMC持中立态度,如果政府觉得DRAM产业重要,就该救,只是如何救变成见仁见智。蔡笃恭认为,台面上的DRAM厂应想办法以整合方式存活下来,一旦DRAM厂倒闭归零
三星近日宣布,将全力推动DDR3的普及。由于2GB容量DDR3与DDR2模组差价模已拉近至1美元,近期三星锁定部分一线大客户,利用DDR3与DDR2的差价策略,鼓励PC用户积极采购DDR3平台。 三星力推DDR3与DDR2无价差策略 DRAM
为了配合英特尔不久前刚宣布的Xeon 5500系列处理器的需求问题,三星电子准备开始50纳米的DDR3量产。 DDR3是第3代的同步双速率存储器。三星及业界都相信今年底将成为全球存储器的主流技术。但也有些分析师,包括Need
韩国电子公司三星宣布,因英特尔推出5500系列Xeon服务器处理器,刺激需求增长,公司决定增加50奈米制程技术的DDR3 DRAM之产能。 DDR3是第三代的双倍数据率同步动态随机存取内存。三星和其它公司相信DDR3将在今年底
DRAM价格持续低于现金成本;2009年资本支出大减56% 随着全球DRAM产业面临了超过二年的不景气,加上去年下半年金融风暴袭卷造成消费需求急冻之下,2008年DRAM颗粒价格下跌逾85%,2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb价格回到
韩国三星电子宣布,已经开始供货配备了采用50nm工艺技术的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模块。共备有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款产品。主要面
1月16日消息,据台湾地区的主板厂商称,虽然英特尔和AMD原来预计其所有产品都要在2009年全面向DDR3内存过渡,但是,这两家厂商现在要推迟仅支持DDR3内存的芯片组。DDR3这代内存预计要在2010年之后才能广泛应用。 由
美国Rambus公司宣布,其已向日本松下提供Rambus的DDR3内存接口技术授权(英文发布资料)。松下计划将该技术应用于消费电子产品用SoC(系统芯片)。 通过该技术的宏单元(Macrocell),可使SoC端的控制逻辑和DDR3型
内存供货商奇梦达(Qimonda)宣布,其1GB及2GB的DDR3无缓冲双信道内存模块(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules,UDIMMs),已通过即将推出的英特尔Core 7处理器和英特尔X58 Express芯片组的验证,使奇梦达的内存产
内存供货商奇梦达公司(Qimonda)在Datacenter Dynamics研讨会中,发表DDR3服务器内存模块的节能成果。相对于奇梦达同类型的产品,其它主要供货商的2GB和4GB服务器内存模块,在1.5伏特的电力下,需多耗费27-54%的电
德州仪器 (TI) 宣布推出首款针对寄存式双列直插式存储器模块(RDIMM)的锁相环 (PLL) 集成式DDR3寄存器的量产版本SN74SSQE32882。该器件在广泛的电压与温度范围内实现了恒定的时钟与输出延迟,从而实现了较高的系统
德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款针对寄存式双列直插式存储器模块 (RDIMM)的锁相环 (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量产版本。